复合基板10具有：压电基板12；以及支持层14，所述支持层14接合于压电基板12上，由在接合面内不具有结晶各向异性的材料制成，厚度小于压电基板12。此外，压电基板12与支持层14通过粘着层16相接合。复合基板10的总厚度为180μm以下。将压电基板12的厚度设为t1，将支持层14的厚度设为t2时，基材厚度比Tr＝t2/(t1+t2)为0.1以上且0.4以下。厚度t1为100μm以下。厚度t2为50μm以下。支持层14由硼硅玻璃、石英玻璃等玻璃、Si、SiO2、蓝宝石、陶瓷、铜等金属等形成。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及。
技术介绍
一直以来，已知有使用压电基板的传感器、弹性表面波装置等压电装置。例如，专利文献I记载了在压电基板上制造有梳齿状激发电极(IDT电极)的弹性表面波元件。 现有技术文献 专利文献 专利文献1:日本专利特开2006-128809号公报
技术实现思路
专利技术要解决的课题 压电装置也被用作手机使用的电子部件，需要其更加小型化。然而，例如作为一种弹性表面波装置的SAW滤波器，由于其元件的大小取决于操作频率，故减少安装面积是困难的。因此，为了小型化(减小体积)，要求薄型化(low profile)，将来要求将元件的厚度制成ΙΟΟμπι以下。然而，如果压电基板的厚度变薄，那么具有各向异性的单晶材料例如LiTaO3和LiNbO3等易于产生裂纹等，从而变得难以处理。由此，要求LiTaO3或LiNbO3等压电基板较薄并且不易破裂。 本专利技术是为了解决上述问题而作的专利技术，其主要目的在于提供一种较薄并且可抑制裂纹产生的复合基板。 解决课题的方法 本专利技术的复合基板具有:压电基板；以及支持层，所述支持层接合于所述压电基板上，由在接合面内不具有结晶各向异性的材料制成，厚度在压电基板厚度以下。 本专利技术的压电装置具有:上述的本专利技术的复合基板以及形成于所述压电基板上的电极。 本专利技术的复合基板的制造方法包括: (I)在压电基板上形成支持层的步骤，所述支持层由在与该压电体的接合面内不具有结晶各向异性的材料制成；以及⑵对所述压电基板的表面进行研磨的步骤， 其中，所述支持层的厚度在所述步骤(I)中形成为所述步骤(2)的研磨后的压电基板的厚度以下，或者在所述步骤(2)或所述步骤(2)前后通过研磨该支持层的表面以使支持层的厚度为所述步骤(2)的研磨后的压电基板的厚度以下。 专利技术效果 在本专利技术的复合基板中，由在接合面内不具有各向异性的材料制成的支持层与例如钽酸锂(LiTaO3，也记作LT)、铌酸锂(LiNbO3，也记作LN)等压电体相比，不易产生裂纹。因此，压电基板可用支持层增强。由此，可薄化复合基板，并且与压电基板不具有支持层的情况相比，可抑制压电基板中产生裂纹。此外，本专利技术的复合基板可将压电基板薄化至在压电基板不具有支持层的情况中会产生裂纹的厚度而不产生裂纹。由于复合基板如上所述较薄并且不易破裂，故本专利技术的压电装置可制成比以往更加薄型化的压电装置。通过本专利技术的复合基板的制造方法，可以相对简单地制造上述复合基板。 【附图说明】 图1为表不复合基板10的一个例子的说明图。 图2为图1的八-六截面图。 图3为表示复合基板110的截面的一个例子的说明图，该复合基板通过用直接接合方式来接合压电基板12和支持层14获得。 图4为表示将复合基板10用作作为弹性表面波装置的单埠湖谐振器30的集合体时的状态的说明图。 图5为表示实施例1中改变基材厚度比作的情况下的基材厚度比作与最大位移之间关系的图。 符号说明 10，110复合基板、12压电基板、14支持层、16粘着层、30单埠湖谐振器、32，34101电极、36反射电极 【具体实施方式】 本专利技术的复合基板具有:压电基板；以及支持层，所述支持层接合于所述压电基板上，由在接合面内不具有结晶各向异性的材料制成，厚度在压电基板厚度以下。优选支持层的厚度小于压电基板。支持层越薄，越可减薄复合基板整体。因为支持层的厚度过薄会导致过度的机械脆性，故将所述压电基板的厚度设为11，将该支持层的厚度设为12时，基材厚度比作=12/(11+12)优选为0.1以上。进一步地，由于加热复合基板时压电基板与支持层之间的热膨胀系数差所导致的翘曲变得过大，故基材厚度比作优选为0.4以下，更优选为0.3以下。基材厚度比作优选为0.1以上且0.4以下，更优选为0.1以上且0.3以下。压电基板的厚度七1没有特别限制，例如为100 ^以下，也可为50?70 支持层的厚度七2没有特别限制，例如为50 ^ 0以下，也可为10?20 ^ 0。压电基板的尺寸没有特别限制，例如直径为50?150臟。支持层的尺寸没有特别限制，例如直径为50?15011^ 本专利技术的复合基板的总厚度可为180^111以下，也可为100^111以下。复合基板的总厚度越薄，越可对使用其的装置进行薄型化。此外，在压电基板与支持层通过粘着层接合的复合基板中，压电基板、支持层以及粘着层的总厚度为复合基板整体的厚度。此外，在压电基板与支持层通过直接接合方式接合的复合基板中，压电基板与支持层的总厚度为复合基板整体的厚度。 在本专利技术的复合基板中，作为压电基板，可例举钽酸锂也记作11)、铌酸锂他03，也记作110、1^-11固溶体单晶、硼酸锂、硅酸镓镧、水晶等。在将复合基板用于3八I滤波器等弹性表面波装置的情况中，优选口或⑶。由于口和⑶的弹性表面波的传播速度快、机电耦合系数大，故其适合用于高频率且宽频带频率的弹性表面波装置。 在本专利技术的复合基板中，作为支持层，可例举硼硅玻璃和石英玻璃等玻璃、31、3102、蓝宝石、陶瓷等。作为陶瓷，可例举氮化铝、氧化铝、2=0和31(:等。如果支持层的材料与压电基板的热膨胀系数相近，那么可抑制复合基板加热时的翘曲。 本专利技术的复合基板可为近似圆盘状的晶片，也可具有定向平面(OF)。此外，本专利技术的复合基板可以是从晶片中切割出的状态。 本专利技术的制造方法包括:(1)在压电基板上形成支持层的步骤，所述支持层由在与该压电体的接合面内不具有结晶各向异性的材料制成；以及(2)对所述压电基板的表面进行研磨的步骤，其中，所述支持层的厚度在所述步骤(I)中形成为所述步骤(2)的研磨后的压电基板的厚度以下，或者在所述步骤(2)或所述步骤(2)前后通过研磨该支持层的表面以使支持层的厚度为所述步骤(2)的研磨后的压电基板的厚度以下。此外，优选所述支持层的厚度在所述步骤(I)中形成为小于所述步骤(2)的研磨后的压电基板的厚度，或者在所述步骤(2)或所述步骤(2)前后通过研磨该支持层的表面以使支持层的厚度小于所述步骤(2)的研磨后的压电基板的厚度。 在本专利技术的复合基板的制造方法中，在上述步骤(I)中，可通过粘着层来间接接合压电基板和支持层从而在压电基板上形成支持层，也可以通过所谓直接接合的接合方式在压电基板上形成支持层。直接接合技术可使用例如通过等离子处理来活化表面以实现常温下接合的表面活化接合技术。 在压电基板上形成支持层之后，在上述步骤(2)中，通过分别研磨压电基板和支持层的表面使得支持层的厚度在研磨后的压电基板的厚度以下(优选小于)，可获得本专利技术的复合基板。此外，在上述步骤(I)中，在可形成支持层以使其厚度在研磨后的压电基板的厚度以下(优选小于)时，也可省略支持层的研磨。 图1为表示复合基板10的一个例子的说明图，该复合基板10通过粘着层16接合压电基板12和支持层14获得。此外，图1的复合基板10为近似圆盘状的晶片，具有定向平面(OF)。图2为图1的A-A截面图。图3为表示复合基板110的截面的一个例子的说明图，该复合基板110通过直接接合方式接合压电基板12和支持层14获得。 本专利技术的压电装置具有上述任何实施方式的本专利技术的复合基板以及在所述压电基板上形成的电极。本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种复合基板，其具有：压电基板以及支持层，所述支持层接合于所述压电基板上，由在接合面内不具有结晶各向异性的材料制成，厚度在压电基板厚度以下。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2012.07.12 US 61/670,7321.一种复合基板，其具有:压电基板以及支持层，所述支持层接合于所述压电基板上，由在接合面内不具有结晶各向异性的材料制成，厚度在压电基板厚度以下。2.如权利要求1所述的复合基板，其中，将所述压电基板的厚度设为将所述支持层的厚度设为七2时，基材厚度比作=12/(11+12)为0.4以下。3.如权利要求1或2所述的复合基板，其中，所述复合基板的总厚度为1809 0以下。4.如权利要求1?3中任一项所述的复合基板，其中，所述复合基板的总厚度为100 1-1 III 以下。5.如权利要求1?4中任一项所述的复合基板，其中，所述支持层由玻璃、31、3102、蓝宝石、陶瓷中的任一个制成。6.如权利要求1?5中任一项...
【专利技术属性】
技术研发人员：堀裕二，多井知义，浜岛章，仲原利直，
申请(专利权)人：日本碍子株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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