声表面波器件抗300℃高温剥离方法技术

本发明专利技术公开了一种声表面波器件抗300℃高温剥离方法，包括如下步骤：1）在基片上制作金属芯片；2）在基片的金属面上贴上一层干膜；3）对金属芯片的引线键合区进行套刻曝光；4）对干膜进行显影；5）对引线键合区表面有干膜的基片表面制作SiO2温度补偿层，同时进行原位退火；6）最后在NMP溶剂中，进行剥离，去除引线键合区的干膜以及该部分干膜表面上的SiO2温度补偿层。本发明专利技术能够在高温环境下进行生产加工，从而提高声表面波器件的稳定性。

【技术实现步骤摘要】
声表面波器件抗300°C高温剥离方法
本专利技术涉及声表面波器件加工
，尤其涉及一种声表面波器件抗30(TC高温剥离方法。
技术介绍
声表面波(SAW)器件大量应用于各类通信中，在未来的通信应用中，为适应各种更加严酷的外界环境，迫切需要提高声表面波器件的工作稳定性。温度是影响声表面波器件工作稳定性的重要参数之一。参见图1，现有的声表面波器件包括基片1、金属芯片2以及金属叉指区3 ;在SAW器件的制作过程中，器件一旦封装完毕，其状态就确定了。但随着外界温度的变化，声表面波器件的许多参数，如叉指和基片的厚度、宽度以及弹性系数等都将随之发生变化。SAW的波速、频率也会因此而发生漂移。同时温度的变化还会产生热应力，恶化器件的工作性能。比如，在128--YX铌酸锂上制作的SAW器件(TCF=-75ppm/°C )，在IGHz的中心频率下，工作温度从-55°C变化到85°C时，频率有10.5MHz的漂移。因此在温度变化过程中，如何保证SAW器件具有良好的稳定性，成为提高其工作性能的主要问题，许多专家学者对此进行了各种探索和研究。 为了满足更好的温度稳定性，需要在常规的SAW器件表面制作厚S12温度补偿层。由于需要在引线键合区域露出窗口以便能进行引线键合，露出窗口部分可以使用光刻胶套刻工艺完成，同时在后续使用剥离工艺剥离该窗口的厚S12温度补偿层。但在制作厚S12温度补偿层时需要进行300°C的原位退火，而普通光刻胶在200°C时会发生碳化，失去光刻胶的剥离功能，这就制约了原位退火的剥离工艺发展。
技术实现思路
针对现有技术存在的上述不足，本专利技术的目的在于怎样解决现有声表面波器件高温稳定性差的问题，提供一种声表面波器件抗300°C高温剥离方法，能够在高温环境下进行生产加工,从而提高声表面波器件的稳定性。 为了解决上述技术问题，本专利技术采用的技术方案是这样的:一种声表面波器件抗300°C高温剥离方法，其特征在于:包括如下步骤:1)在基片的器件面上制作声表面波器件的金属芯片；2)在加温到120°C、加压到500PSI并抽真空的情况下，在基片的金属面上贴上一层干膜，并切除基片边缘的干膜；3)在曝光机上使用掩膜版对金属芯片的引线键合区进行套刻曝光，其曝光量为50_300mj/cm2 ； 4)在重量百分比为1%的NaCO3溶剂中对干膜进行显影，显影时间为100-300S； 5)在镀膜机中对引线键合区表面有干膜的基片表面制作厚度为50-3000nm的S12温度补偿层，同时在300°C条件下进行原位退火2小时；6)最后在NMP溶剂中，在温度为90°C、压强为1000PSI的环境下进行剥离，去除引线键合区的干膜以及该部分干膜表面上的Si02温度补偿层。 进一步地，所述基片采用钽酸锂单晶或铌酸锂单晶压电基片。 进一步地，所述干膜采用HP3610型干膜。 与现有技术相比，本专利技术具有如下优点:1.能抗300°C高温的干膜，不二次腐蚀金属铝的显影液。 2.比使用干法刻蚀具有光刻胶容易去除，引线键合区无Si02温度补偿层残留或者引线键合区金属铝不被过度刻蚀等优点。 3.能够提高声表面波器件的温度性能稳定性。 【附图说明】 图1为现有技术中声表面波器件剖面结构示意图。 图2为本专利技术中声表面波器件剖面结构示意图。 图3为在基片上制作金属芯片后的不意图。 图4为贴干膜后的示意图。 图5为曝光过程中的示意图。 图6为显影后的示意图。 图7为镀S12温度补偿层并原位退火后的示意图。 图8为剥离后的示意图。 图9为采用本专利技术制作的高温度稳定性的SAW器件在不同温度下的滤波器频响图图10为采用本专利技术制作的高温度稳定性的SAW器件频率温度系数图。 图中2 —图8中:1 一基片，2—金属芯片，3—金属叉指区，4一Si02温度补偿层,5—引线键合区，6—干膜，7—掩膜版，8—紫外光。 【具体实施方式】 下面将结合附图及实施例对本专利技术作进一步说明。 实施例:参加图2，一种声表面波器件抗300°C高温剥离方法，包括如下步骤:I)参见图3，在基片I的器件面上制作声表面波器件的金属芯片2 ;该金属芯片2包括金属叉指区3和引线键合区5。所述基片I采用钽酸锂单晶或铌酸锂单晶压电基片I。 2)参见图4，在加温到120°C、加压到500PSI并抽真空的情况下，在基片I的金属面上贴上一层干膜6，并切除基片I边缘的干膜6 ;所述干膜6采用HP3610型干膜6。以保证干膜6整体位于基片I上并位于基片I边缘内侧。 3)参见图5，在曝光机上使用掩膜版7对金属芯片2的引线键合区5进行套刻曝光，其曝光量为50_300mj/cm2 ;由于干膜6对紫外光8感光，因此该曝光机米用紫外光源,从而通过紫外光8对引线键合区5进行曝光。 4)参见图6，在重量百分比为1%的NaCO3溶剂中对干膜6进行显影，显影时间为100_300s ο 5)参见图7，在镀膜机中对引线键合区5表面有干膜6的基片I 一面制作厚度为50-3000nm的S12温度补偿层4，同时在300°C条件下进行原位退火2小时； 6)参见图8，最后在NMP溶剂(N-甲基吡咯烷酮)中，在温度为90°C、压强为1000PSI的环境下进行剥离，去除引线键合区5的干膜6以及该部分干膜6表面上的Si02温度补偿层4。 参见图9，本专利技术制作的高温度稳定性的SAW器件在不同温度下的滤波器频响图，参见图10，为采用本专利技术制作的高温度稳定性的SAW器件频率温度系数图；从图9、图10中可以看出，SAff器件的温度飘移大大减小。 最后需要说明的是，以上实施例仅用以说明本专利技术的技术方案而非限制技术方案，本领域的普通技术人员应当理解，那些对本专利技术的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本技术方案的宗旨和范围，均应涵盖在本专利技术的权利要求范围当中。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种声表面波器件抗300℃高温剥离方法，其特征在于：包括如下步骤：1）在基片的器件面上制作声表面波器件的金属芯片；2）在加温到120℃、加压到500PSI并抽真空的情况下，在基片的金属面上贴上一层干膜，并切除基片边缘的干膜； 3）在曝光机上使用掩膜版对金属芯片的引线键合区进行套刻曝光，其曝光量为50‑300mj/cm2；4）在重量百分比为1%的NaCO3溶剂中对干膜进行显影，显影时间为100‑300s； 5）在镀膜机中对引线键合区表面有干膜的基片表面制作厚度为50‑3000nm的SiO2温度补偿层，同时在300℃条件下进行原位退火2小时； 6）最后在NMP溶剂中，在温度为90℃、压强为1000PSI的环境下进行剥离，去除引线键合区的干膜以及该部分干膜表面上的SiO2温度补偿层。

【技术特征摘要】
1.一种声表面波器件抗30(TC高温剥离方法，其特征在于:包括如下步骤: 1)在基片的器件面上制作声表面波器件的金属芯片； 2)在加温到120°C、加压到500PSI并抽真空的情况下，在基片的金属面上贴上一层干膜，并切除基片边缘的干膜； 3)在曝光机上使用掩膜版对金属芯片的引线键合区进行套刻曝光，其曝光量为50_300mj/cm2 ； 4)在重量百分比为1%的NaCO3溶剂中对干膜进行显影，显影时间为100-300S； 5)在镀膜机中对引线键合区表面有干膜的...

【专利技术属性】
技术研发人员：冷俊林，董加和，陈运祥，陈彦光，金中，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第二十六研究所，
类型：发明
国别省市：重庆;85