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本发明公开了一种声表面波器件抗300℃高温剥离方法，包括如下步骤：1）在基片上制作金属芯片；2）在基片的金属面上贴上一层干膜；3）对金属芯片的引线键合区进行套刻曝光；4）对干膜进行显影；5）对引线键合区表面有干膜的基片表面制作SiO2温度补...
该专利属于中国电子科技集团公司第二十六研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第二十六研究所授权不得商用。

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