The present invention relates to an electronic device, especially a chemically sensitive field effect transistor comprises a substrate (1), is disposed on a substrate (1) printed conductors on the structure (2), and the printed wiring structure (2) functional layer contact (3). In order to construct thin oxidation resistance, and high temperature resistant printed wiring structure (2), the conductor structure (2) by the metal mixture structure, including the metal mixture: platinum, rhodium, iridium, and selected from ruthenium, palladium, osmium, gold, scandium, yttrium and lanthanum, lanthanum or a a variety of metals, titanium, zirconium, hafnium, niobium, tantalum, chromium, tungsten, rhenium, iron, cobalt, nickel, copper, boron, aluminium, gallium, indium, germanium and silicon.
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种用于高温的电子器件，尤其是一种化学敏感的半导体器件。
技术介绍
电子器件可以具有衬底、设置在衬底上的印制导线结构以及通过印制导线结构接 触的功能层，其中印制导线结构为了接触功能层可以部分地被功能层覆盖。例如，这种电子器件可以是化学敏感的、例如气体敏感的场效应晶体管。功能层在 此可以是场效应晶体管的栅极电极。印制导线结构在此通常由纯钼构成。然而，在将化学敏感的场效应晶体管用于检测内燃机、例如机动车的内燃机的废 气中的气体组分时，化学敏感的场效应晶体管遭受化学上侵蚀性的、尤其是氧化性的气氛 和超过500°C的温度。在这些条件下，纯钼会退化，尤其是消失，并且印制导线结构会断。因此，钼构成的 印制导线结构通常具有比功能层明显更大的厚度。然而这会导致功能层在印制导线结构的 垂直面上断开。
技术实现思路
本专利技术的主题是一种电子器件，尤其是一种半导体器件，其包括衬底、设置在衬底 上的印制导线结构以及通过印制导线结构接触的功能层。根据本专利技术，印制导线结构在此 由金属混合物构造，该金属混合物包括钼以及选自铑、铱、钌、钯、锇、金、钪、钇、镧、镧系元 素、钛、...
【技术保护点】
１． 一种电子器件，包括：－衬底（１），－设置在衬底（１）上的印制导线结构（２），以及－通过印制导线结构（２）接触的功能层（３），其特征在于，所述印制导线结构（２）由金属混合物构造，该金属混合物包括：－铂，和－选自铑、铱、钌、钯、锇、金、钪、钇、镧、镧系元素、钛、锆、铪、铌、钽、铬、钨、铼、铁、钴、镍、铜、硼、铝、镓、铟、硅和锗中的一种或者多种金属。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：R·菲克斯，M·维登迈尔，
申请(专利权)人：罗伯特博世有限公司，
类型：发明
国别省市：DE
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