【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体晶片的清洗方法和清洗装置。
技术介绍
作为半导体晶片的清洗技术，例如在日本特许公开公报2003-7665号中被公开。在此清洗技术中，形成有球体状钎焊凸起的半导体晶片的下表面通过吸附装置固定在台上。一边旋转此台，一边从设置在半导体晶片上方的清洗喷嘴将清洗液喷射到半导体晶片的上表面，以清洗半导体晶片。由于从晶片上部喷射清洗液，因此就能够去除除了钎焊凸起电极周边焊剂以外的细微的焊屑。但是，在此清洗技术中，清洗嘴由于被设置在半导体晶片表面的球体的钎焊凸起的正上方，因此难以除去位于此球体的钎焊凸起的根部的焊剂，此外，由于以相对于晶片平面成近似直角的状态喷射清洗水，因此清洗面积狭小，反复在晶片上使喷嘴进行扫描，向晶片的整个表面喷射清洗液进行清洗，耗费清洗时间。图7中，用结构图表示出本专利技术的专利技术者等以前制造的现有装置中的清洗单元内部结构。在此装置中，在将晶片11、12、13装载在晶片输送器14上并按箭头标记的方向慢慢移动过程中，利用从喷嘴16喷射出来的清洗液来清洗晶片。从送入口17送入的晶片按箭头标记的方向移动，从送出口18取出清洗后的晶片，...
【技术保护点】
一种半导体晶片的清洗装置，包括：承载半导体晶片、从上方降下的可动罩覆盖该半导体晶片、按一列配置地分别设置各个工位的清洗工序单元、漂洗工序单元；使上述各罩的上下动作联动，在规定的间隔时间内，同时将半导体晶片从承载该半导体晶片的 上述各个工位输送到下工序的各个工位上的输送机构；清洗液容器；漂洗液容器；分别具备可调整清洗液和漂洗液各自的喷射压力和喷射液体量的泵排出调整装置的液体泵，在上述清洗工序单元、上述漂洗工序单元的上述各个工位的每一 个中按规定的值设定液体的喷射压力和喷射液体量。
【技术特征摘要】
JP 2003-7-11 195636/20031.一种半导体晶片的清洗装置，包括承载半导体晶片、从上方降下的可动罩覆盖该半导体晶片、按一列配置地分别设置各个工位的清洗工序单元、漂洗工序单元；使上述各罩的上下动作联动，在规定的间隔时间内，同时将半导体晶片从承载该半导体晶片的上述各个工位输送到下工序的各个工位上的输送机构；清洗液容器；漂洗液容器；分别具备可调整清洗液和漂洗液各自的喷射压力和喷射液体量的泵排出调整装置的液体泵，在上述清洗工序单元、上述漂洗工序单元的上述各个工位的每一个中按规定的值设定液体的喷射压力和喷射液体量。2.根据权利要求1记载的半导体晶片的清洗装置，其中，在上述罩中设置喷嘴，该喷嘴相对于晶片能变换角度自由摇头或选定角度并固定，该喷嘴通过上述液体泵和导液管连接到上述液体容器。3.根据权利要求2中记载的半导体晶片的清洗装置，其中，相时于半导体晶片的水平面的上述喷嘴的液体喷射角度θ在10度≤θ≤30度的范围内。4.根据权利要求1至3任一项记载的半导体晶片的清洗装置，其中，上述输送机构利用卡盘朝着半导体晶片的移动方向从左右将上述半导体晶片抓起，并移到下一个工序，该转移时刻处于上述罩打开状态期间内，并且是预定的承载半导体晶片的各个工位处于空位的时刻。5.根据权利要求1至4任一项记载的半导体晶片清洗装置，包括固定机构，该固定机构，在半导体晶片的侧面上、利用位于半导体晶片输送方向前后的卡盘抓住由横向移动输送过来的半导体晶片、并将其固定。6.根据权利要求1至5任一项记载的半导体晶片清洗装置，其中，干燥工序单元设置在上述漂洗工序单元的下一工段，在将上述半导体晶片输送至该干燥工序单元的时刻，将该晶片的下表面固定在带有真空吸附装置的旋转台上，使该旋转台高速旋转进行离心干燥，经过规定的时间后使旋转停止，此后停止真空吸附。7.根据权利要求1至5任一项记载的半导体晶片清洗装置，其中干燥工序单元设置在上述漂洗工序单元的下一工...
【专利技术属性】
技术研发人员：荒木巧，四方吉和，羽室孝，
申请(专利权)人：株式会社三社电机制作所，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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