【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体制程，特别是一种晶圆背面研磨制程。
技术介绍
随着半导体封装组件的薄化趋势，封装组件内的晶片亦需要符合更薄的厚度。故提出晶圆背面研磨制程。习知的晶圆背面研磨制程系实施于积体电路制作制程之后及晶圆切割制程之前，以使得晶圆上多个晶片能一次完成薄化处理。如图1、图2所示，传统的晶圆背面研磨制程与晶圆切割制程包括如下步骤步骤一提供晶圆提供具有形成积体电路主动面21及对应背面22的晶圆20，通常在晶圆20主动面21贴附保护胶带23。步骤二装载晶圆采用真空吸附方式，以晶圆主动面21朝向研磨盘(grinding chuck)31的方式将晶圆20吸附固定于研磨盘31上，以将晶圆20装载于传统的晶圆背面研磨设备上，此时，晶圆20的背面22显露。步骤三研磨晶圆以研磨头32研磨晶圆20的背面22，以形成更薄的研磨后的背面221。步骤四卸下晶圆以吸附装置接触晶圆20研磨后的背面221，将晶圆20由研磨设备取出。步骤五去除胶带将取出的晶圆20搬移至胶带去除载台，以去除保护胶带23。步骤六切割晶圆前定位在晶圆20背面221黏贴另一定位胶带。步骤七切割晶圆将晶圆20搬移...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种晶圆背面研磨制程，它包括提供具有主动面及背面晶圆的提供晶圆步骤、以吸附固定方式将晶圆装载于研磨盘上并使晶圆背面显露出的装载晶圆步骤、在研磨盘上对晶片背面进行研磨的研磨晶圆步骤及借由去除研磨盘吸附力使晶圆脱离研磨盘的卸下晶圆步骤；其特征在于所述的研磨晶圆步骤与卸下晶圆步骤之间设有在晶圆研磨后的背面贴附定位件的定位件贴附步骤；并定位件贴附步骤中研磨盘保持对晶圆的吸附力；卸下晶圆步骤中系以定位件作为载具移动晶圆。2.根据权利要求1所述的晶圆背面研磨制程，其特征在于所述的提供晶圆步骤中于晶圆的主动面贴附有黏性保护胶带。3.根据权利要求1所述的晶圆背面研磨制程，其特征在于所述的提供晶圆步骤中晶圆的尺寸可为8in或12in。4.根据权利要求1所述的晶圆背面研磨制程，其特征在于所述的研磨晶圆步骤区分为粗研磨及细研磨。5.根据权利要求1或4所述的晶圆背面研磨制程，其特征在于所述的研磨晶圆步骤中晶圆的厚度系研磨至12密尔以下。6.根据权利要求1所述的晶圆背面研磨制程，其特征在于所述的定位件贴附步骤的定位件包括...
【专利技术属性】
技术研发人员：顾沛川，鲁明联，李崇豪，
申请(专利权)人：南茂科技股份有限公司，百慕达南茂科技股份有限公司，宏茂微电子上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
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