正型光刻胶组合物及光刻胶图案形成方法技术

本发明专利技术提供一种正型光刻胶组合物，其是通过在一种有机溶剂（Ｃ）中溶解（Ａ）一种在主链中具有衍生自（甲基）丙烯酸酯的单元的树脂组分，对于该树脂，其在碱中的溶解度在酸的作用下增大，和（Ｂ）一种通过曝光生成酸的酸生成剂组分而形成的，其中树脂组分（Ａ）是一种共聚物，其包含（ａ１）衍生自包含含有可酸离解的、溶解抑制基团的多环基团的（甲基）丙烯酸酯的单元，（ａ２）衍生自包含含有内酯的单环基团或多环基团的（甲基）丙烯酸酯的单元，（ａ３）衍生自包含含有羟基的多环基团的（甲基）丙烯酸酯的单元，和（ａ４）衍生自包含不同于单元（ａ１），单元（ａ２）和单元（ａ３）的多环基团的（甲基）丙烯酸酯的单元。此组合物提供一种化学放大正型光刻胶组合物，其显示优异的分辨率，并且可以提高隔离光刻胶图像的聚焦范围的深度和可以抑制邻近效应。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种化学放大型正型光刻胶组合物，其适于在使用不超过200nm的波长，特别是使用ArF准分子激光器作为光源的方法中使用，以及使用这种组合物的光刻胶图案形成方法。
技术介绍
常规地，其羟基用可酸离解的、溶解抑制基团保护的聚羟基苯乙烯或其衍生物，显示对于KrF准分子激光(248nm)具有高的透光度，被用作化学放大光刻胶的树脂组分。但是，目前，半导体元件的微型化取得了更大的进步，并且正在极力地追求开发使用ArF准分子激光(193nm)的工艺。对于使用ArF准分子激光器作为光源的方法，包含苯环的树脂如聚羟基苯乙烯对于ArF准分子激光(193nm)具有不足够的透光度，因而不适宜在这种方法中使用。因而，为了解决此问题，下面的树脂引起相当多的兴趣，所述的树脂不包含苯环，但在主链内包含衍生自丙烯酸酯或甲基烯酸酯的单元，所述的单元具有在酯部分提供的多环烃基如金刚烷骨架，由此提供优异的耐干蚀刻性，并且已经提出了许多材料(日本专利(授权)公开2881969，日本未审查专利申请，第一次公开Hei 5-346668，日本未审查专利申请，第一次公开Hei7-234511，日本未审查专利申请，第一本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种正型光刻胶组合物，其是通过在一种有机溶剂（Ｃ）中溶解（Ａ）一种在主链中含有衍生自（甲基）丙烯酸酯的单元的树脂组分，对于该树脂组分，其在碱中的溶解度在酸的作用下增大，和（Ｂ）一种通过曝光生成酸的酸生成剂组分而形成的，其中：　　　　所述的树脂组分（Ａ）是一种共聚物，其包含（ａ１）衍生自包含含有可酸离解的、溶解抑制基团的多环基团的（甲基）丙烯酸酯的单元，（ａ２）衍生自包含含有内酯的单环基团或多环基团的（甲基）丙烯酸酯的单元，（ａ３）衍生自包含含有羟基的多环基团的（甲基）丙烯酸酯的单元，和（ａ４）衍生自包含不同于所述单元（ａ１），所述单元（ａ２）和所述单元（ａ３）的多环基团的（甲基）丙烯酸酯的单元...

【技术特征摘要】
JP 2001-12-3 369340/20011.一种正型光刻胶组合物，其是通过在一种有机溶剂(C)中溶解(A)一种在主链中含有衍生自(甲基)丙烯酸酯的单元的树脂组分，对于该树脂组分，其在碱中的溶解度在酸的作用下增大，和(B)一种通过曝光生成酸的酸生成剂组分而形成的，其中所述的树脂组分(A)是一种共聚物，其包含(a1)衍生自包含含有可酸离解的、溶解抑制基团的多环基团的(甲基)丙烯酸酯的单元，(a2)衍生自包含含有内酯的单环基团或多环基团的(甲基)丙烯酸酯的单元，(a3)衍生自包含含有羟基的多环基团的(甲基)丙烯酸酯的单元，和(a4)衍生自包含不同于所述单元(a1)，所述单元(a2)和所述单元(a3)的多环基团的(甲基)丙烯酸酯的单元。2.根据权利要求1所述的正型光刻胶组合物，其中所述的单元(a1)是至少一种选自下面所示的通式(1)，(2)和(3)中的单元 其中R表示氢原子或低级烷基，并且R1表示低级烷基， 其中R表示氢原子或低级烷基，并且R2和R3各自独立地表示低级烷基，和 其中R表示氢原子或低级烷基，并且R4表示叔烷基。3.根据权利要求2所述的正型光刻胶组合物，其中所述的单元(a1)是由所述的通式(1)表示的，并且在所述的通式(1)中的R1是甲基。4.根据权利要求1所述的正型光刻胶组合物，其中所述的单元(a2)是一种衍生自包含内脂基或含内酯基的二环烷基的(甲基)丙烯酸酯的单元。5.根据权利要求4所述的正型光刻胶组合...

【专利技术属性】
技术研发人员：羽田英夫，藤村悟史，岩下淳，
申请(专利权)人：东京应化工业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]