含有酮、醛共聚合物的酸分解性树脂组合物制造技术

本发明专利技术，通过加大曝光部和未曝光部的溶解度差，以提供用于高感度下高解像性的细微图形形成的光刻胶等中的组合物为目的。本发明专利技术涉及一种酸分解性组合物，特征在于包含具有式（Ⅰ）表示的重复单元的聚合物以及酸或通过外部刺激产生酸的化合物。式中，Ｒ↓［１］、Ｒ↓［２］各自独立地表示氢原子、卤素原子、Ｃ１～Ｃ２０的烃基、杂环基、氰基、硝基、Ｃ（＝Ｏ）Ｒ↓［４］基、Ｓ（Ｏ）↓［ｎ］Ｒ↓［４］基、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ↓［４］）↓［２］基、Ｍ（Ｒ↓［４］）↓［３］基；Ｒ↓［３］表示Ｃ１～Ｃ２０的烃基、杂环基；Ｒ↓［４］表示Ｃ１～Ｃ２０的烃氧基、Ｃ１～Ｃ２０的烃基；Ｃ１～Ｃ２０的烃硫基或者双Ｃ１～Ｃ２０的烃氨基；Ｍ表示硅原子、锗原子、锡原子、铅原子；ｎ表示０、１和２中的任意一个。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及用于半导体元件等制造的光刻胶组合物，更详细地为涉及用300nm以下的远紫外线，例如KrF受激准分子激光(248nm)等或电子射线等作为曝光能源用于形成阳型图形的光刻胶组合物。另外。还涉及通过具有一定程度的稳定性的酸来断开主链，分解到低分子量，能够容易地去除的树脂组合物。
技术介绍
以往，作为用于半导体元件等制造的光刻胶组合物中的一种，公知的有碱性可溶性树脂、酸发生剂以及具有酸不稳定基的溶解性控制剂的化学增幅型光刻胶。这些组合物，通过照射紫外线、电子射线和X射线使酸发生剂产生酸，继而与酸不稳定基发生连锁反应，通过变化碱性可溶性树脂的溶解性来形成图形。作为碱性可溶性树脂，可用漆用酚醛树脂、酚醛树脂、丙烯酸树脂以及他们的共聚物，碱性可溶性树脂有兼为具有酸不稳定基的溶解性控制剂的情况，也有具有酸不稳定基的树脂与酸反应成为碱可溶性的情况。但是，对于以往的化学增幅型光刻胶，有因酸不稳定基的有无而造成曝光部和未曝光部的溶解度差的关系，可以认为在进行精细加工方面有一定程度的限制。本专利技术的目的是通过增大曝光部和未曝光部的溶解度差，以提供高感度下高解像性的细微图形形成中使用的光刻胶本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种酸分解性组合物，其特征是：包含具有用式（Ⅰ）表示的重复单元的聚合物以及酸或通过外部刺激产生酸的化合物：　　　　＊＊＊　　…（Ⅰ）　　　　式中，Ｒ↓［１］、Ｒ↓［２］各自独立地表示氢原子、卤素原子、Ｃ１～Ｃ２０的烃基、杂环基、氰基、硝基、Ｃ（＝Ｏ）Ｒ↓［４］基、Ｓ（Ｏ）↓［ｎ］Ｒ↓［４］基、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ↓［４］）↓［２］基、Ｍ（Ｒ↓［４］）↓［３］基；Ｒ↓［３］表示Ｃ１～Ｃ２０的烃基、杂环基；Ｒ↓［４］表示Ｃ１～Ｃ２０的烃氧基、Ｃ１～Ｃ２０的烃基；Ｃ１～Ｃ２０的烃硫基或者双Ｃ１～Ｃ２０的烃氨基；Ｍ表示硅原子、锗原子、锡原子、铅原子；ｎ表示０、１和２中的任意一个。

【技术特征摘要】
JP 2002-2-15 38044/2002;JP 2002-3-1 55276/20021.一种酸分解性组合物，其特征是包含具有用式(I)表示的重复单元的聚合物以及酸或通过外部刺激产生酸的化合物 式中，R1、R2各自独立地表示氢原子、卤素原子、C1～C20的烃基、杂环基、氰基、硝基、C(＝O)R4基、S(O)nR4基、P(＝O)(R4)2基、M(R4)3基；R3表示C1～C20的烃基、杂环基；R4表示C1～C20的烃氧基、C1～C20的烃基；C1～C20的烃硫基或者双C1～C20的烃氨基；M表示硅原子、锗原子、锡原子、铅原子；n表示0、1和2中的任意一个。2.根据权利要求1所述的酸分解性组合物，其中，外部刺激为选自热、压力、放射线中的1种或1种以上。3.根据权利要求1所述的酸分解性组合物，其中，通过外部刺激产生酸的化合物为通过放射线照射产生酸的感光性化合物。4.一种光刻胶组合物，其特征是使用包含具有用式(I)表示的重复单元的聚合物的聚合物成分 式中，R1、R2各自独立地表示氢原子、卤素原子、C1～C20的烃基、杂环基、氰基、硝基、C(＝O)R4基、S(O)nR4基、P(＝O)(R4)2基、M(R4)3基；R3表示C1～C20的烃基、杂环基；R4表示C1～C20的...

【专利技术属性】
技术研发人员：远藤刚，三田文雄，须藤笃，久保英夫，
申请(专利权)人：日本曹达株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]