2-杂芳基吡啶化合物的制造方法技术

技术编号:41733999 阅读:27 留言:0更新日期:2024-06-19 12:54
本发明专利技术提供一种式(3)表示的化合物的制造方法、以及式(4)表示的化合物的制造方法等,所述式(3)表示的化合物的制造方法包括:使式(1)表示的化合物与式(2)表示的化合物在金属醇盐或者碱的存在下进行化学反应,所述式(4)表示的化合物的制造方法包括:使式(3)表示的化合物与羟胺或其盐进行化学反应、以及使上述化学反应的产物进行脱水反应。在式(1)中,Q表示取代或无取代的五~六元或九~十元杂芳基,R1表示C1~6烷基。在式(2)中,R2表示氢原子、取代或无取代的C1~6烷基、取代或无取代的C3~6环烷基、取代或无取代的苯基、或者取代或无取代的五~六元杂芳基。在式(3)中,Q、R1和R2表示与式(1)中和式(2)中的Q、R1和R2相同的基团。在式(4)中,Q、R1和R2表示与式(3)中的Q、R1和R2相同的基团。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术涉及一种2-杂芳基吡啶化合物的制造方法


技术介绍

1、含氮杂环是构成作为医药和农药的原药的化合物的主要部分结构(分子砌块)。近年来,正在积极进行具有吡啶环的有害节肢动物防除剂的开发。例如,专利文献1~5中记载了一种具有五元杂芳基和含硫烃基的吡啶化合物。

2、另外,非专利文献1公开了如下内容:通过2-氯-n,n-二甲基氨基三亚甲六氟磷酸盐与苯乙酸甲酯和3-甲氧基-3-氧代丙酸的反应来制造3-苯基-5-氯-2-吡啶酮(4g)和3-羟基羰基-5-氯-2-吡啶酮(4h)。

3、

4、专利文献6公开了基于下述方案的吡啶环的构建方法。

5、

6、上述方案中,q表示吡啶基等,r1表示可以具有1个以上卤素原子的c1~c6烷基,r2表示可以具有1个以上卤素原子的c1~c6烷基等,r3、r4和r5表示氢原子等,n表示0等。

7、现有技术文献

8、专利文献

9、专利文献1:wo 2017/016910a

10、专利文献2:wo 2017/050685a

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【技术保护点】

1.一种式(3)表示的化合物的制造方法,包括:使式(1)表示的化合物与式(2)表示的化合物在金属醇盐或者碱的存在下进行化学反应,

2.根据权利要求1所述的制造方法,其中,式(1)和式(3)中的Q为式(5)表示的基团,

3.一种式(4)表示的化合物的制造方法,包括:

4.一种式(4)表示的化合物的制造方法,包括:

5.根据权利要求3或4所述的制造方法,其中,式(3)和式(4)中的Q为式(5)表示的基团,

6.一种式(3a)表示的化合物,

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种式(3)表示的化合物的制造方法,包括:使式(1)表示的化合物与式(2)表示的化合物在金属醇盐或者碱的存在下进行化学反应,

2.根据权利要求1所述的制造方法,其中,式(1)和式(3)中的q为式(5)表示的基团,

3.一种...

【专利技术属性】
技术研发人员:小林真一松田浩一
申请(专利权)人:日本曹达株式会社
类型:发明
国别省市:

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