正型抗蚀剂组合物以及抗蚀剂图案形成方法技术

本发明专利技术提供一种含有在酸的作用下碱溶性增大的基材成分（Ａ）和利用曝光产生酸的产酸剂成分（Ｂ）的正型抗蚀剂组合物，其中，所述基材成分（Ａ）含有：具有２个以上苯酚性羟基且分子量为３００～２５００的多元酚化合物（ａ）中的所述苯酚性羟基被酸解离性溶解抑制基保护的化合物（Ａ１），而且，所述化合物（Ａ１）的每一分子保护数（个）的标准差（σ↓［ｎ］）不到１或者每一分子的保护率（摩尔％）的标准差（σ↓［ｐ］）不到１６．７。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种。本申请基于2005年5月17日申请的特愿2005 — 144391号，对其主 张优先权，在此引用其内容。
技术介绍
近年来，在半导体元件或液晶显示元件的制造中，光刻法技术的进步 使图案的微细化快速地发展。作为微细化的方法，通常进行曝光光源的短波长化。具体而言，以往 使用g射线、i射线为代表的紫外线，而现在开始大量生产使用KrF激元 激光或ArF激元激光的半导体元件。另外，还对与这些激元激光的波长相 比更短的F2激元激光、电子射线、EUV (极紫外线)或X射线等进行了 研究。另外，作为可以形成微细尺寸的图案的图案形成材料之一，已知含有 具有膜形成能力的基材成分和利用曝光产生酸的产酸剂成分的化学扩增 型抗蚀剂。化学扩增型抗蚀剂包括因曝光而碱可溶性降低的负型和因曝光 而碱可溶性增大的正型。以往，作为这样的化学扩增型抗蚀剂的基材成分，使用聚合物，例如 可以使用聚羟基苯乙烯(PHS)或用酸解离性溶解抑制基保护该羟基的一 部分的树脂等PHS树脂、从(甲基)丙烯酸酯衍生的共聚物或用酸解离 性溶解抑制基保护其羧基的一部分的树脂等。但是，在使用这样的图案形成材料形成图案的情况下，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种正型抗蚀剂组合物，其是含有在酸的作用下碱溶性增大的基材成分（Ａ）、和利用曝光产生酸的产酸剂成分（Ｂ）的正型抗蚀剂组合物，其中，　　　　所述基材成分（Ａ）含有：具有２个以上苯酚性羟基且分子量为３００～２５００的多元酚化合物（ａ）中的所述苯酚性羟基被酸解离性溶解抑制基保护的化合物（Ａ１），而且，　　　　所述化合物（Ａ１）的每一分子的保护数（个）的标准差（σ↓［ｎ］）不到１。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 2005-5-17 144391/20051.一种正型抗蚀剂组合物，其是含有在酸的作用下碱溶性增大的基材成分(A)、和利用曝光产生酸的产酸剂成分(B)的正型抗蚀剂组合物，其中，所述基材成分(A)含有具有2个以上苯酚性羟基且分子量为300～2500的多元酚化合物(a)中的所述苯酚性羟基被酸解离性溶解抑制基保护的化合物(A1)，而且，所述化合物(A1)的每一分子的保护数(个)的标准差(σn)不到1。2. —种正型抗蚀剂组合物，其是含有在酸的作用下碱溶性增大的基 材成分(A)、和利用曝光产生酸的产酸剂成分(B)的正型抗蚀剂组合 物，其中，所述基材成分(A)含有具有2个以上苯酚性羟基且分子量为300 2500的多元酚化合物(a)中的所述苯酚性羟基被酸解离性溶解抑制基保 护的化合物(Al)，而且，所述化合物(Al)的每一分子的保护率(摩尔％)的标准差(0p) 不到16.7。3. 根据权利要求1所述的正型抗蚀剂组合物，其中， 所述多元酚化合物(a)为从下述通式(I) 、 (II)或(III)表示的化合物构成的组中选择的至少一种， [化l]<formula>see original document page 2</formula>[式(I)中，R11 R17分别独立地表示碳原子数为1 10的烷基或者 芳香族烃基，其结构中也可以含有杂原子；g、 j分别独立地为1以上的整数，k、 q为0或1以上的整数，而且g+j+k+q为5以下；h为1以上的整数，1、 m分别独立地为0或l以上的整数，而且h+l+m为4以下； i为1以上的整数，n、 o分别独立地为0或1以上的整数，而且i+n+o 为4以下；p为0或l; X为下述通式(Ia)或(Ib)表示的基][化2]<formula>see original document page 3</formula>(式(la)中，R18、 R19分别独立地表示碳原子数为1 10的烷基或者芳香族烃基，其结构中也可以含有杂原子；r、 y、 z分别独立地为0或1以上的整数，而且r+y+z为4以下) [化3]<formula>see original document page 3</formula>[式(II)中，R21 R26分别独立地表示碳原子数为1 10的烷基或者芳香族烃基，其结构中也可以含有杂原子；d'、 g'，分别独立地为1以上的整数，h'为0或1以上的整数，而且d' + g'+h'为5以下；e'为1以上的整数，i'、 j'分别独立地为0或1以上的整数，而且e'+ i'+j'为4以下；f'、 k'分别独立地为1以上的整数，l'为O或l以上的整数，而且f'+k' + l'为 5以下；q'为1 20的整数] [化4]<formula>see original document page 4</formula>[式(III)中，R31 R38分别独立地表示碳原子数为1 10的垸基或者芳香族烃基，其结构中也可以含有杂原子；a、 e，，分别独立地表示1以 上的整数，f，为0或l以上的整数，而且a + e + f，为5以下；b、 h 分别独立地为l以上的整数，g为0或l以上的整数，而且b+h+g 为5以下；c、 I分别独立地为1以上的整数，j为0或1以上的整数， 而...

【专利技术属性】
技术研发人员：广崎贵子，盐野大寿，平山拓，
申请(专利权)人：东京应化工业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]