存储器件以及从其中擦除数据的方法技术

本发明专利技术公开了一种ＳＯＮＯＳ存储器件及从其中擦除数据的方法。通过穿过隧道氧化膜能垒将热空穴注入到氮化膜中而擦除数据。所述热空穴通过形成于至少与一条位线接触的第一和第二电极中之一和与字线接触的栅电极之间的强电场而产生。该擦除方法提高了擦除速度，因此改进了ＳＯＮＯＳ存储器件的性能。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种SONOS，更具体地说，涉及一种通过采用热空穴改进擦除速度的SONOS存储器件，及从其中擦除数据的方法。
技术介绍
图1A和2A为截面图，其说明了向传统的SONOS快闪EEPROM(电可擦可编程的只读存储器)的存储单元中记录信息和从其中擦除信息的原理。图1B和2B为示意图，其示出了当向图1A和2A所示的EEPROM的存储单元中记录信息和从其中擦除信息时的能带间隙。参照图1A和2A，SONOS快闪EEPROM包括P-Si衬底1、形成在衬底1中的源电极2和漏极3、以及顺序叠置在衬底1上的隧道氧化膜4、氮化膜5、阻塞氧化膜6和多晶Si栅电极7。SONOS快闪存储器中的隧道氧化膜4、氮化膜5和阻塞氧化膜6称为氧化/氮化/氧化(ONO)膜。参照图1A和1B，为在SONOS快闪EEPROM中记录信息，将P-Si衬底1接地，并向栅电极7施加预定的正电压(VG＞0)。然后，在衬底1与栅电极7之间形成电场，并产生跨过隧道氧化膜4的Fowler-Nordheim(FN)电流。在源电极2与漏极3之间行进的电子通过经隧道氧化膜4能垒的隧穿注入氮化膜5。进入氮化膜5的电子e由阻塞氧化膜6本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种连接到位线和字线的ＳＯＮＯＳ存储器件，包括：内部形成有第一和第二电极的衬底；设置在所述衬底上的隧道氧化层；设置在所述隧道氧化层上的氮化膜；以及设置在所述氮化膜上并连接到所述字线的栅电极；其中，通过 穿过所述隧道氧化层将热空穴注入到所述氮化膜中而从所述ＳＯＮＯＳ存储器件擦除数据，而且所述热空穴由形成于所述第一和第二电极中至少之一与所述氮化膜和位线中至少之一之间的强电场产生。

【技术特征摘要】
KR 2003-6-16 38681/031.一种连接到位线和字线的SONOS存储器件，包括内部形成有第一和第二电极的衬底；设置在所述衬底上的隧道氧化层；设置在所述隧道氧化层上的氮化膜；以及设置在所述氮化膜上并连接到所述字线的栅电极；其中，通过穿过所述隧道氧化层将热空穴注入到所述氮化膜中而从所述SONOS存储器件擦除数据，而且所述热空穴由形成于所述第一和第二电极中至少之一与所述氮化膜和位线中至少之一之间的强电场产生。2.如权利要求1所述的SONOS存储器件，其中，在每个所述第一和第二电极上施加相同的正电压，并在所述栅电极上施加负电压。3.如权利要求1所述的SONOS存储器件，其中，所述位线接触所述电极中之一，使来自所述第一和第二电极中之一的热空穴注入所述位线中。4.如权利要求1所述的SONOS存储器件，其中，所述位线包括分别接触所述第一和第二电极的两条线，使来自所述第一和第二电极的热空穴注入这两条线中。5.如权利要求1所述的SONOS存储器件，其中，还包括用于屏蔽电子隧穿的阻塞氧化膜，其介于所述氮化膜与所述栅电极之间。6.如权利要求1所述的SO...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡洙杜，金桢雨，李兆远，金汶庆，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]