【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种以标准CMOS工艺形成的对电可编程的熔丝器件的读出/编程控制电路,尤其是,使用于由电(electrically)-熔丝器件、反熔丝器件等构成的熔丝电路。
技术介绍
现有,半导体集成电路内要将数据进行非易失性存储的场合,其半导体集成电路内必须配置某种存储器件。例如,存储数据的数据量非常多,同时,像多次进行数据重写那样的场合,用迭层栅构造的闪存单元存储其数据。在这里,闪存单元,通过与标准CMOS工艺不同的特殊工艺来形成。为此,在以逻辑LSI等标准CMOS工艺而形成的半导体集成电路内配置闪存单元的场合,谋求存储容量的大容量化等,需要设法抑制用特殊工艺引起的管理开销。但是,例如,在1芯片内混装多种功能的系统LSI等半导体集成电路中,非易失性地存储数据量巨大数据的这一要求几乎没有。在这种半导体集成电路中,如果存在为非易失性地存储有关电路动作的微调数据、芯片ID、保密数据、DRAM和SRAM之类的冗余数据等的少数据量的数据的小容量存储器就足够。而且,这样的数据,1次或即使多次进行多次重写的话,以此就足够,不完全需要保障如闪存单元那样的10万次的数据重写次 ...
【技术保护点】
一种包括部件的熔丝电路,其特征在于,该部件各自具有由电可编程的熔丝器件构成的子熔丝组和控制对该熔丝器件编程的编程控制电路,该熔丝器件当中的1个,是表示该子熔丝组的有效/无效的允许位;该编程控制电路,根据该允许位的值,从该部件 当中决定成为编程对象的部件。
【技术特征摘要】
JP 2003-8-8 2003-2908611.一种包括部件的熔丝电路,其特征在于,该部件各自具有由电可编程的熔丝器件构成的子熔丝组和控制对该熔丝器件编程的编程控制电路,该熔丝器件当中的1个,是表示该子熔丝组的有效/无效的允许位;该编程控制电路,根据该允许位的值,从该部件当中决定成为编程对象的部件。2.按照权利要求1所述的熔丝电路,其特征在于,还包括锁存对成为编程对象的部件的程序数据的程序数据锁存电路。3.按照权利要求1所述的熔丝电路,其特征在于,该部件串联连接到n(n为多个)段,在第1段的部件,该编程控制电路,根据该第1段内的该允许位的值,决定该第1段是否成为编程的对象。4.按照权利要求1所述的熔丝电路,其特征在于,该第1段的部件内的该允许位的值表示该子熔丝组无效时,该第1段的部件就成为编程的对象。5.按照权利要求1所述的熔丝电路,其特征在于,该部件串联连接到n(n为多个)段,在第i(2≤I≤n)段的部件,该编程控制电路,根据该第(i-1)段的部件内的该允许位的值和该第i段的部件内的该允许位的值,决定该第i段是否成为该编程的对象。6.按照权利要求5所述的熔丝电路,其特征在于,该第(i-1)段的部件内的该允许位的值表示该子熔丝组有效,该第i段的部件内的该允许位的值表示该子熔丝组无效时,该第1段的部件就成为该编程序的对象。7.按照权利要求1所述的熔丝电路,其特征在于,该部件各自具有控制对该熔丝器件编程后的熔丝数据读出的读出控制电路,该读出控制电路,根据允许位的值,从该部件当中决定成为读出对象的部件。8.按照权利要求7所述的熔丝电路,其特征在于,该部件串联连接到n(n为多个)段,在第i(1≤i≤n-1)段的部件中,该读出控制电路,根据该第i段的部件内的该允许位的值和第(i+1)段的部件内的该允许位的值,决定该第i段的部件是否成为该读出的对象。9.按照权利要求8所述的熔丝电路,其特征在于,该第i段的部件内的该允许位的值表示该子熔丝组有效、该第(i+1)段的部件内的该允许位的值表示该子熔丝组无效时,该第1段的部件就成为该读出的对象。10.按照权利要求7所述的熔丝电路,其特征在于,该部件串联连接到n(n为多个)段,在第n段的部件中,该读出控制电路,根据该第n段的部件内的该允许位的值,决定该第n段的部件是否成为该读...
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