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本发明公开了一种ＳＯＮＯＳ存储器件及从其中擦除数据的方法。通过穿过隧道氧化膜能垒将热空穴注入到氮化膜中而擦除数据。所述热空穴通过形成于至少与一条位线接触的第一和第二电极中之一和与字线接触的栅电极之间的强电场而产生。该擦除方法提高了擦除速度，...
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