【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及激光加工，更具体地说，本专利技术涉及通过激光光束的形状控制切割的激光加工装置、加工掩模、半导体装置(器件)、激光加工方法以及用于制造半导体装置的方法。
技术介绍
近年来，在半导体装置中，已使用低介电常数(low-k)的绝缘膜(电介质膜)以便于可通过减小配线(布线、互连)间容量而进行高速下的操作。然而，当使用刀片在具有low-k绝缘膜作为层间绝缘膜的半导体装置上执行切割时，层间绝缘膜会被剥离。例如，在其上制造半导体装置的硅(Si)基片(基底、基板)上，堆积有多层结构，所述结构包括诸如有机二氧化硅膜和多孔二氧化硅膜的low-k绝缘膜、通过使用诸如碳化硅(SiC)、氮化硅(Si3N4)、氮碳化硅(SiCN)、氧化硅(SiO2)膜、聚酰亚胺膜等防止铜(Cu)扩散的扩散防止膜。当使用刀片切割具有形成于其上的所述多层膜的Si基片时，由于弱粘附力，因此易于出现从SiC膜、Si3N4膜、SiCN膜等的分界面处剥离的情况。而且，由于low-k绝缘膜的机械强度较弱，因此在诸如有机二氧化硅膜和多孔二氧化硅膜的low-k绝缘膜中会出现裂缝。为了防止绝缘膜的剥离，存在这样...
【技术保护点】
一种激光加工装置，它包括：被构造成沿从加工对象物的第一端到所述加工对象物的另一端的扫描方向移动所述加工对象物的扫描系统；被构造成在垂直于激光光束的光轴的平面上沿所述扫描方向将所述激光光束变换成非对称加工激光光束的光束成形单元；以及被构造成把从所述光束成形单元发射的所述加工激光光束照射到所述加工对象物上的照射光学系统。
【技术特征摘要】
JP 2003-9-1 309338/20031.一种激光加工装置，它包括被构造成沿从加工对象物的第一端到所述加工对象物的另一端的扫描方向移动所述加工对象物的扫描系统；被构造成在垂直于激光光束的光轴的平面上沿所述扫描方向将所述激光光束变换成非对称加工激光光束的光束成形单元；以及被构造成把从所述光束成形单元发射的所述加工激光光束照射到所述加工对象物上的照射光学系统。2.依照权利要求1中所述的装置，其特征在于，所述光束成形单元包括部分地衰减所述加工激光光束的强度的光衰减器。3.依照权利要求1中所述的装置，其特征在于，所述光束成形单元包括沿所述光轴的方向倾斜的加工掩模。4.依照权利要求1中所述的装置，其特征在于，所述照射光学系统包括被构造成限定沿所述扫描方向倾斜的焦点位置的物镜。5.依照权利要求1中所述的装置，其特征在于，它还包括被构造成向所述加工对象物的前表面供给液体的液体供给系统。6.一种用于通过在垂直于用于加工对象物的激光加工的激光光束的光轴的平面上扫描所述激光光束而变换所述用于加工对象物的激光加工的激光光束的形状的加工掩模，它包括具有垂直于所述光轴设置的垂直遮光部和倾斜于所述垂直遮光部的平面的倾斜遮光部的遮光部；在所述垂直遮光部中设置开口的第一加工开口；以及以沿与所述第一加工开口相反的方向延伸的方式在所述倾斜遮光部中设置与所述第一加工开口相连接的开口的第二加工开口。7.依照权利要求6中所述的加工掩模，其特征在于，所述第一加工开口沿与所述激光光束的扫描方向对应的方向具有非对称形状。8.一种激光加工方法，它包括沿第一方向将激光光束变换成非对称加工激光光束；将所述加工激光光束投影到加工对象物上；以及沿与所述第一方向对应的扫描方向在所述加工对象物的表面上扫描所述加工激光光束。9.依照权利要求8中所述的方法，其特征在于，所述加工对象物是半导体基片并且切割沟槽通过所述加工激光光束形成在所述半导体基片中，所述加工激光光束被构造成使得投影成像位置沿所述扫描方向从所述半导体基片的前表面朝向所述半导体基片的后表面倾斜。10.依照权利要求8中所述的方法，其特征在于，所述加工对象物是半导体基片并且切割沟槽通过所述加工激光光束形成在所述半导体基片中，所述加工激光光束具有在所述扫描方向的前方部中的矩形形状的第一沟槽加工激光光束；沿所述扫描方向从垂直于所述第一沟槽加工激光光束的所述扫描方向的后侧的每端处延伸的梯形形状的第二沟槽加工激光光束；以及具有与所述第二沟槽加工激光光束的梯形的后端部的宽度相同的宽度并且沿所述扫描方向延伸的矩形形状的第三沟槽加工激光光束。11.依照权利要求8中所述的方法，其特征在于，所述加工对象物是其前表面上沉积有绝缘膜的半导体基片，并且所述加工激光光束在所述扫描方向的前方部和后方部中分别包括用以通过去除所述绝缘膜形成切割区域的区域加工激光光束和用以在所述...
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