【技术实现步骤摘要】
本专利技术是提供一种高效能(high performance)集成电路(integratedcircuit，IC)结构，尤指一种具有空气间隔(air gap)的集成电路结构及其制作方法。本专利技术尤其适用于需要高运作效能以及高积集度的逻辑IC或整合性IC(例如系统整合芯片(system-on-chip，SOC))领域。而本专利技术形成具有空气间隔的集成电路结构的方法则提供半导体制造业者一可达到量产(mass production)规模的完整解决方案。
技术介绍
随着半导体制造技术的进步，制作于一半导体晶圆上的半导体组件设计尺寸也持续地缩小，并已经演进到深次微米世代。然而，集成电路密度不断地提高的结果，却造成各金属导线间的时间延迟(RC delay)问题对集成电路的运作效能的影响日渐显著，尤其当制程线宽(line width)降到0.15微米以下，甚至0.13微米以下的半导体制程时，时间延迟对组件运作效能所造成的影响更为明显。金属内联机间的时间延迟可以用金属导线的电阻值(R)与金属导线间的寄生电容(C)的相乘积来表达。目前减少半导体芯片的金属内联机时间延迟现象主...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种具有空气间隔的集成电路结构，其特征在于所述结构包含有一基底，其上具有一底层；一第一层金属导线图案，形成于该底层上；一第二层金属导线图案，形成于该第一层金属导线图案上方；一支撑结构，形成于该第一层金属导线图案以及该第二层金属导线图案之间，用来支撑该第二层金属导线图案，其中该支撑结构包含有一经过等向性蚀刻的介电层；以及由一盖层所形成的复数个空气间隔，形成于该第二层金属导线图案之间。2.根据权利要求1所述的集成电路结构，其特征在于该基底为一硅基底。3.根据权利要求1所述的集成电路结构，其特征在于该第一层金属导线图案以及该第二层金属导线图案是皆由铜所构成。4.根据权利要求1所述的集成电路结构，其特征在于该第一层金属导线图案以及该第二层金属导线图案皆包含有铝金属。5.根据权利要求1所述的集成电路结构，其特征在于该支撑结构另包含有至少一电连接该第一层金属导线图案以及该第二层金属导线图案的接触插塞(via plug)。6.根据权利要求1所述的集成电路结构，其特征在于该盖层是利用电浆加强化学气相沉积法(plasma-enhanced CVD，PECVD)或高密度电浆化学气相沉积法(high density plasma CVD，HDPCVD)形成。7.根据权利要求1所述的集成电路结构，其特征在于该第二层金属导线图案的支撑结构具有一底切轮廓。8.一种具有空气间隔的集成电路结构，其特征在于所述集成电路结构包含有一第一层金属导线图案，形成于一底层上；一第二层金属导线图案，形成于该第一层金属导线图案上方；一支撑结构，形成于该第一层金属导线图案以及该第二层金属导线图案之间，用来支撑该第二层金属导线图案；以及由一盖层所形成的复数个空气间隔，形成于该第二层金属导线图案之间。9.根据权利要求8所述的集成电路结构，其特征在于该支撑结构包含有至少一电连接该第一层金属导线图案以及该第二层金属导线图案的接触插塞(via plug)。10.根据权利要求8所述的集成电路结构，其特征在于该支撑结构包含有一经过等向性蚀刻的介电层。11.根据权利要求8所述的集成电路结构，其特征在于该第二层金属导线图案包含有一虚设图案(dummy pattern)，使缩小该第二层金属导线图案的金属导线间空隙。12.根据权利要求8所述的集成电路结构，其特征在于该第二层金属导线图案包含有一侧壁子形成于该第二层金属导线图案的各侧壁上。13.根据权利要求8所述的集成电路结构，其特征在于该盖层是利用电浆加强化学气相沉积法(PECVD)或高密度电浆化学气相沉积法(HDPCVD...
【专利技术属性】
技术研发人员：卢火铁，李大为，王光志，杨名声，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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