分子束外延生长设备和控制它的方法技术

在使用组Ⅴ材料（和／或组Ⅵ材料）的多个分子束的系统中，将旋转射线遮断器（８）等安装在这些多个组Ⅴ分子束源发射管（５、６）（和／或组Ⅵ分子束源发射管）的相应发射器的前方；执行引起从相应的分子束源发射管（５、６）发射的分子束以周期方式被重复地阻断和发射的间断控制；以及受到间断控制的这分子束的相互同步引起以如晶体生长所需的充分数量或诸数量供应多个组Ⅴ材料（和／或组Ⅵ材料）的相应的分子束，同时有效地控制晶体内的合金比例。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及分子束外延(MBE)生长设备和控制它的方法。
技术介绍
在图9中示出了一典型的分子束外延生长设备(MBE设备)的结构。图9中示出的分子束外延生长设备装备有能够被抽至超高真空的真空室101；当基底200被保持在该真空室101内的一规定位置时加热和旋转基底200的基底操作器102；朝基底200的表面发射分子束的多个分子束源发射管103、104、105和106；以及分别安装在相应的发射管的射出口的前方的发射管活门107。该设备例如引起镓(Ga)和砷(As)被加热和蒸发，以便从分子束源发射管103…106以分子束的形式发射至基底200的表面，引起在基底200的表面上晶体被外延生长。利用例如该设备的MBE技术的晶体生长的一优点是它可以通过迅速发射和/或阻挡先质材料获得达到在原子层次分级上的精度的明显的异界面(多个异界面)。例如，镓砷(GaAs)晶体将要生长的地方，在分子束源发射管处被加热和蒸发的充分数量的砷可以供应到基底200；以及对于在该领域中的该系统，在分子束源发射管处被加热和蒸发的金属镓的供应期间，安装在相应分子束源发射管的前方的发射管活门的打开和/或关闭可以控制生长达到本文档来自技高网...

【技术保护点】
一分子束外延生长设备，它引起作为从多个分子束源发射管朝基底表面或多个表面的至少一个发射一个或多个分子束的结果、在一个或多个基底表面上的一个或多个晶体的生长，该分子束外延生长设备包括一个或多个控制机构：控制分子束的发射和／或阻断，从而引起来自多个分子束源发射管的至少一部分的分子束或诸射线的至少一个的间断发射；以及控制来自多个分子束源发射管的至少一部分的诸分子束的至少一部的发射和／或阻断，以便是相互基本同步和／或具有在诸分子束源发射管处的诸基本相同的周期。

【技术特征摘要】
JP 2003-8-25 2003-3000781.一分子束外延生长设备，它引起作为从多个分子束源发射管朝基底表面或多个表面的至少一个发射一个或多个分子束的结果、在一个或多个基底表面上的一个或多个晶体的生长，该分子束外延生长设备包括一个或多个控制机构控制分子束的发射和/或阻断，从而引起来自多个分子束源发射管的至少一部分的分子束或诸射线的至少一个的间断发射；以及控制来自多个分子束源发射管的至少一部分的诸分子束的至少一部的发射和/或阻断，以便是相互基本同步和/或具有在诸分子束源发射管处的诸基本相同的周期。2.按照权利要求1所述的一分子束外延生长设备，其特征在于，控制机构或诸机构的至少一个具有带一个或多个旋转叶轮组件的一个或多个射线遮断器，该组件引起分子束或诸射线的至少一个的间断发射。3.按照权利要求2所述的一分子束外延生长设备，其特征在于，射线遮断器或诸遮断器的至少一个的旋转叶轮组件或诸组件的至少一个大致是具有一个或多个缺口的一盘的形式；以及旋转叶轮组件或诸组件的至少一部分被设置成旋转叶轮组件或诸组件的至少一部分的旋转引起沿着来自诸分子束源发射管的至少一部分的分子束或诸射线的至少一部所经过的至少一路径、按至少一规定的周期出现缺口或诸...

【专利技术属性】
技术研发人员：川崎崇士，
申请(专利权)人：夏普株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]