【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种晶格匹配体系上裁剪带隙波长提高光电探测器性能的方法，包括：采用分子束外延法或金属有机物气相外延法，在衬底上生长晶格匹配的缓冲层、多元系光吸收层和宽禁带帽层得到光电探测器件外延结构；其中，生长过程中对多元系光吸收层的带隙进行裁剪设定，在满足应用中对光电探测器长波端截止波长要求的前提下选取宽带隙。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：张永刚，顾溢，
申请(专利权)人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所，
类型：发明
国别省市：
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