半导体器件及传导结构形成工艺制造技术

可以形成带有金属层的半导体器件和传导结构。在一种实施方案中，半导体器件含有非晶质金属层（２２）和晶质金属层（４２）。非晶质金属层（２２）有助于减少通过该层可能的渗透杂质。在非晶质金属层（２２）上形成的更具传导性晶质金属层（４２）有助于保持相对较低的电阻系数。在形成传导结构时，含金属前体气体和清扫气体至少在一个时间点同时吹流。传导结构可以是栅电极的一部分。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术一般涉及半导体器件，更详细地，涉及半导体器件制作工艺。
技术介绍
较小的半导体器件要求使用新材料以制造高性能的半导体晶体管。焦点包含两个方面，用高-k栅电介质材料和金属栅。正在研究用中间带隙能级材料用作金属电极。被研究作金属栅的材料包含难熔金属如钛，钽，和钨化合物。钨有一个问题是在代表性的形成中有六氟化钨(WF6)和分子氢(H2)气体反应。反应时显著数量的氟会进入沉积的膜中。当晶片进一步加工时，氟离开钨扩散进栅电介质。在栅电介质中，氟能降低栅电介质的品质和降低其介电常数。在器件里使用的高-k栅电介质，氟抵消了高-k栅电解质的效果。进一步讲，即使用二氧化硅栅，膜的有效介电常数也要减少，栅电极与下面半导体基底间的电容性耦合量下降。随着采用WF6和H2反应而来的另外的问题是，氟太多引起在氧化物层和金属层之间粘连问题，以及形成的晶体管的较高的漏电流。使用某些难熔金属氮化物，靠其自身，难以阻断氟的渗透。例如，如果氮化钛层被以常规形成的钨层覆盖，在随后的退火阶段氟仍能穿过氮化钛，引起相同的问题。金属栅材料的物理蒸汽沉积不是一个好的办法。在物理蒸汽沉积时会通常产生等离子体。在溅射过程本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种形成传导结构的工艺，其特征在于：流过含金属前体气体；以及流过清扫气体，其中：清扫气体包括选自下列组中的至少一种气体前体：半导体元素、氮、和氧；至少在一个时间点上同时流过含金属前体气体和清扫气体；以 及形成非晶质含金属层（２２）且包含小于百分之十的清扫气体中的任何元素。

【技术特征摘要】
US 2000-1-19 09/487,4721.一种形成传导结构的工艺，其特征在于流过含金属前体气体；以及流过清扫气体，其中清扫气体包括选自下列组中的至少一种气体前体半导体元素、氮、和氧；至少在一个时间点上同时流过含金属前体气体和...

【专利技术属性】
技术研发人员：菲利浦J特宾，欧鲁布米阿德图土，比卡斯迈逖，
申请(专利权)人：飞思卡尔半导体公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]