球门阵列封装及其封装方法技术

本发明专利技术提供一种球门阵列的封装方法及球门阵列封装，其封装方法包括下列步骤：提供一半导体芯片／晶粒；一球闸基底，具有：一具有狭缝图案的散热片，及一系列的球状接点。半导体芯片／晶粒是固定在球闸基底上。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于一种，特别是有关于一种超级。
技术介绍
由于考虑有关热效应、高输入-输出量和高速度的缘故，部分具有高能量消耗的产品会选择使用超级球门阵列(SBGA)的封装。超级球门阵列为向下凹陷型的热辅助球门阵列，它也被称做「激光薄层球门阵列」(L2BGA)、辅助球门阵列(EBGA)及载带球门阵列等等。位于超级球门阵列上的低介电常数(LK)晶粒会被黏附在一膨胀系数较硅为大的散热片(heat spreader)上，硅例如是硅半导体芯片。如果使用的散热片的膨胀系数与硅芯片的膨胀系数间不匹配，可能会导致TC/TS测试的失败。LK是介电常数约低于3.9的介电材料，例如是二氧化硅，通常是被使用来隔离微小装置里相近的金属线的内层介电层。低介电材料可降低金属线间的电容耦合现象。LK晶粒是具有金属间介电层(IMD)的晶粒，例如是使用LK介电材料来作为IMD层。TC(Temperature Cycling)是温度循环，温度循环的测试是用来决定一组件可抵抗的最高温和最低温并且使其轮流暴露在这些极值下。TS(TS shock)是热影响，热影响的目的为使用热应力来定义固态装置暴露于极端的温度变化下其抵本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种球门阵列的封装方法，包括下列步骤：提供一个半导体芯片／晶粒；提供一球闸基底，该球闸基底具有：一具有狭缝图案的散热片；及一系列与该散热片背向设置的球状接点；及将该半导体芯片／晶粒固定在该球闸 基底上。

【技术特征摘要】
US 2003-9-5 10/655,6891.一种球门阵列的封装方法，包括下列步骤提供一个半导体芯片/晶粒；提供一球闸基底，该球闸基底具有一具有狭缝图案的散热片；及一系列与该散热片背向设置的球状接点；及将该半导体芯片/晶粒固定在该球闸基底上。2.根据权利要求1所述的球门阵列的封装方法，其中所述的球状接点的组成为63Sn37Pb、96.5Sn3.5Ag、95.5Sn3.8Ag0.7Cu或96.2Sn2.5Ag0.8Cu0.5Sb；该散热片的组成为铜、铝、铬电镀在铜材料上，或是铬电镀在铝材料上，或为镍电镀在铜材料上。3.根据权利要求1所述的球门阵列的封装方法，其中该半导体芯片/晶粒为一个硅半导体芯片/晶粒，热膨胀系数为2.5到3.5；该散热片的热膨胀系数为10到25。4.根据权利要求1所述的球门阵列的封装方法，其中该半导体芯片/晶粒为一锗半导体芯片/晶粒，热膨胀系数为5.5到6.5；该散热片的热膨胀系数为10到25。5.根据权利要求1所述的球门阵列的封装方法，其中该散热片上的狭缝深度占该散热片厚度的25％到85％。6.根据权利要求1所述的球门阵列的封装方法，其中该狭缝的行列具有1.0到5.0mm的间距，每一狭缝间彼此的间距为0.5到2.5mm。7.根据权利要求1所述的球门阵列的封装方法，其中该狭缝的形态排列为平行/垂直排列、圆型、放射状、矩形、正方形、同心圆、同心正方或同心八角形。8.根据权利要求1所述的球门阵列的封装方法，其中球门阵列封装为一超...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄永盛，郭彦良，林裕庭，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]