【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及薄膜半导体器件的制作工艺。此外，本专利技术涉及使用该工艺制作的薄膜半导体器件和安装有该薄膜半导体器件的装置。2.
技术介绍
当前，在用于透射式LCD(液晶显示器)中的TFT(薄膜晶体管)中，主要使用多晶硅或非晶硅。使用薄膜单晶硅作为材料的TFT具有优良的性能，使得电流驱动能力高、阈电压Vth变化小等。作为制作TFT的方法，例如，已经提出一种方法，其中，晶体管和隔离区在SOI(绝缘体上的硅)基板上形成，并使用氢氟酸蚀刻绝缘膜来清除。例如，请参见如下文献。日本专利申请公开No.Hei9-312349此外，当前，作为具有为改善电流驱动能力结构的晶体管，正在开发一种双栅极薄膜单晶硅晶体管。具有此结构的晶体管能通过例如一种接合方法制作。该制作方法具有如下特点将背面栅极预先结合到层状基板上以形成SOI基板。然而，该晶体管存在技术问题，在于不能达到自对准以及提高了制作成本。在上述问题中，关于自对准结构，例如，IBM已经提出一种方法，称为FinFET结构方法。该制作方法具有如下特点从垂直的SOI层侧面上蚀刻出一个栅极。该方法能使在两侧上的栅极的长度相互完全相等，因...
【技术保护点】
制作薄膜半导体器件的工艺，所述工艺包括下列步骤：依次在第一基板上形成多孔层、形成薄膜半导体层和使用所述薄膜半导体层的半导体器件；粘接所述第一基板与第二基板，且于其后，在所述多孔层处将所述第二基板与所述第一基板分离；处 理所述第二基板分离的表面以部分地移除所述薄膜半导体层，以此使所述半导体器件与另一半导体器件电绝缘；和在所述第二基板的所述分离的表面上形成绝缘体。
【技术特征摘要】
JP 2003-9-17 323871/031.制作薄膜半导体器件的工艺，所述工艺包括下列步骤依次在第一基板上形成多孔层、形成薄膜半导体层和使用所述薄膜半导体层的半导体器件；粘接所述第一基板与第二基板，且于其后，在所述多孔层处将所述第二基板与所述第一基板分离；处理所述第二基板分离的表面以部分地移除所述薄膜半导体层，以此使所述半导体器件与另一半导体器件电绝缘；和在所述第二基板的所述分离的表面上形成绝缘体。2.制作薄膜半导体器件的工艺，所述工艺包括下列步骤依次在第一基板上通过阳极化形成多孔层、形成薄膜半导体层和使用所述薄膜半导体层的半导体器件；在所述半导体器件和另一半导体器件之间形成布线；粘接所述第一基板与第二基板；将粘接到所述第二基板上的所述半导体器件与所述第一基板分离；从所述第二基板的分离的表面部分地移除所述薄膜半导体层，以使所述半导体器件与另一半导体器件电绝缘；和在所述第二基板的所述分离的表面上形成一绝缘体。3.制作薄膜半导体器件的工艺，所述工艺包括下列步骤依次在第一基板上通过阳极化形成多孔层、形成薄膜半导体层和使用所述薄膜半导体层的半导体器件；在所述半导体器件和另一半导体器件之间形成布线；在所述布线上形成遮光层；粘接所述第一基板与第二基板；将粘接到所述第二基板上的所述半导体器件与所述第一基板分离；从所述第二基板的分离的表面部分地移除所述薄膜半导体层，并以此使所述半导体器件与另一半导体器件绝缘；和在所述第二基板的所述分离的表面上形成一绝缘体。4.制作薄膜半导体器件的工艺，所述工艺包括下列步骤依次在第一基板上通过阳极化形成多孔层、形成薄膜半导体层和使用所述薄膜半导体层的半导体器件；在所述半导体器件和另一半导体器件之间形成布线；粘接所述第一基板与第二基板；将粘接到所述第二基板上的所述半导体器件与所述第一基板分离；从所述第二基板的分离的表面部分地移除所述薄膜半导体层，并以此使所述半导体器件与另一半导体器件绝缘；和在所述第二基板的所述分离的表面上形成一绝缘体在所述第二基板的所述分离的表面上形成遮光层。5.根据权利要求1的制作薄膜半导体器件的工艺；其中，所述第一基板包括单晶半导体材料。6.根据权利要求1的制作薄膜半导体器件的工艺；其中，所述第一基板包括元素半导体或化合物半导体。7.根据权利要求1的制作薄膜半导体器件的工艺；其中，所述薄膜半导体层包括单晶半导体材料。8.根据权利要求1的制作薄膜半导体器件的工艺；其中，所述薄膜半导体层包括元素半导体或化合物半导体。9.根据权利要求1的制作薄膜半导体器件的工艺；其中，所述薄膜半导体层的厚度为几百埃到大约1μm。10.根据权利要求1的制作薄膜半导体器件的工艺；其中，所述半导体器件包括MIS结构、PN结结构、双极晶体管结构、激光振荡结构和CCD结构中的任何一种结构。11.根据权利要求1的制作薄膜半导体器件的工艺；其中，所述半导体器件包括MIS晶体管。12.根据权利要求1的制作薄膜半导体器件的工艺；其中，所述半导体器件包括双栅极结构MIS晶体管的层状结构的一部分。13.根据权利要求1的制作薄膜半导体器件的工...
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