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提供制作薄膜半导体器件的工艺，该工艺适合于批量生产并使生产成本降低。对第一基板进行阳极化以在其上形成多孔层。然后，在该多孔层上形成薄膜半导体层。通过使用该薄膜半导体层，形成半导体器件，且在各半导体器件之间形成布线。其后，将第一基板上的半导体...
该专利属于索尼株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过索尼株式会社授权不得商用。

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