功率金属氧化物半导体场效应晶体管的制造方法技术

一种功率金属氧化物半导体场效应晶体管的制造方法，其特征在于，该制造方法至少包含下列步骤：　　　　提供一第一导电类型的基材；　　　　形成一第一导电类型的磊晶层于该基材之上；　　　　形成一第二导电类型的主体区域于该磊晶层之上；　　　　蚀刻该主体区域、该磊晶层以及该基材，以形成至少一沟渠，其中该沟渠自该主体区域延伸至该基材；　　　　离子布植该沟渠的侧壁；　　　　形成一绝缘层作为该沟渠的衬垫；　　　　形成至少一第一导电类型的源极区域于该主体区域之中并与该沟渠相邻；以及　　　　沉积一导电材质于该沟渠之中并覆盖在该绝缘层之上，以形成一栅极区域。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种金属氧化物半导体场效应晶体管的制造方法，且特别是涉及一种具有沟渠结构的。
技术介绍
双扩散晶体管(double diffused MOS，DMOS)是一种金属氧化物半导体场效应晶体管(metal on semiconductor field effect transistor，MOSFET)，利用扩散来形成其晶体管区域。双扩散晶体管通常被用以作为用于高电压的功率集成电路中的功率晶体管，在低顺向压降的要求下，提供较高的每单位面积电流。双扩散晶体管的一特定类型是所谓的沟渠双扩散晶体管(trench DMOS transistor)100，如图1A所示。沟渠双扩散晶体管100的栅极104形成于一沟渠116a之中，此沟渠116a延伸于源极106与漏极108之间，自P型掺杂主体区域102蚀刻至N-型掺杂磊晶层103而形成。沟渠116a得表面被披覆一薄氧化硅层112作为衬垫，并以多晶硅114填充于其中。此沟渠双扩散晶体管100的信道(tunnel)会形成于其沟渠116a的两侧，而其漏极与源极电流Ids122a则会沿着其信道垂直地传递。因此，漏极与源极电流Ids122a自源极本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种功率金属氧化物半导体场效应晶体管的制造方法，其特征在于，该制造方法至少包含下列步骤提供一第一导电类型的基材；形成一第一导电类型的磊晶层于该基材之上；形成一第二导电类型的主体区域于该磊晶层之上；蚀刻该主体区域、该磊晶层以及该基材，以形成至少一沟渠，其中该沟渠自该主体区域延伸至该基材；离子布植该沟渠的侧壁；形成一绝缘层作为该沟渠的衬垫；形成至少一第一导电类型的源极区域于该主体区域之中并与该沟渠相邻；以及沉积一导电材质于该沟渠之中并覆盖在该绝缘层之上，以形成一栅极区域。2.一种功率金属氧化物半导体场效应晶体管的制造方法，其特征在于，该制造方法至少包含下列步骤提供一第一导电类型的基材；形成一第一导电类型的磊晶层于该基材之上；形成一第二导电类型的主体区域于该磊晶层之上；蚀刻该主体区域、该磊晶层以及该基材，以形成至少一沟渠，其中该沟渠自该主体区域延伸至该基材；离子布植该沟渠的底部；形成一绝缘层作为该沟渠的衬垫；形成至少一第一导电类型的源极区域于该主体区域之中并与该沟渠相邻；以及沉积一导电材质于该沟渠之中并覆盖在该绝缘层之上，以形成一栅极区域；其中该绝缘层位于该沟渠底部的厚度大于该绝缘层位于该沟渠...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈世芳，张鼎张，
申请(专利权)人：茂德科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：