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一种功率金属氧化物半导体场效应晶体管的制造方法，其特征在于，该制造方法至少包含下列步骤：　　　　提供一第一导电类型的基材；　　　　形成一第一导电类型的磊晶层于该基材之上；　　　　形成一第二导电类型的主体区域于该磊晶层之上；　　　　蚀刻该主体...
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