以表面浮雕结构来增强载流子迁移率的有机薄膜晶体管制造技术

技术编号:3203106 阅读:184 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本申请公开了一种有机薄膜晶体管,包括:衬底、栅电极、有机绝缘层、有机活性层和源/漏电极,其中有机绝缘层与有机活性层之间的界面是具有浮雕结构的界面。依照本发明专利技术,不管是否使用有机绝缘材料,都可得到电性能增强的有机薄膜晶体管。(*该技术在2024年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种借助于表面浮雕结构来增强载流子迁移率的有机薄膜晶体管,更具体地,本专利技术涉及一种包括衬底、栅电极、有机绝缘层、有机活性层以及源/漏电极的有机薄膜晶体管,其中有机绝缘层与有机活性层之间的界面是具有浮雕结构的界面。
技术介绍
近来,在功能性电子和光学元件领域,由于成型容易、柔软、导电及低生产成本等若干原因,已经积极地研究采用聚合物作为新的电材料。在这些采用导电聚合物制备的元件中,有机薄膜晶体管(下文中称之为TFT)的研究始于八十年代,并从此在全球范围展开研究。最近,期望在有源矩阵显示器、智能卡及存货标签的塑料芯片的驱动元件中采用有机TFT。有机TFT的性能是根据载流子迁移率、开/关比例、阈值电压和阈下电压来评价的。已经发现,在有机活性层中使用并五苯,可以显著地提高有机TFT的性能,使之与α-Si TFT相匹敌。另一方面,已经尝试在有机TFT的绝缘层中使用有机材料如聚酰亚胺、BCB(苯并环丁烯)和光活性丙烯(photoacryl),但是发现这种绝缘层劣于无机绝缘层。近来,有机TFT的应用已经扩展到用于驱动柔性显示器和液晶显示器的有机电致发光器件,所以需要10cm2/本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种有机TFT,包括:衬底、栅电极、有机绝缘层、有机活性层和源/漏电极,其中有机绝缘层与有机活性层之间的界面是具有浮雕结构的界面。

【技术特征摘要】
KR 2003-10-10 70549/031.一种有机TFT,包括衬底、栅电极、有机绝缘层、有机活性层和源/漏电极,其中有机绝缘层与有机活性层之间的界面是具有浮雕结构的界面。2.根据权利要求1的有机TFT,其中所述有机绝缘层是利用选自聚烯烃、聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯、聚氨酯、聚酰亚胺及其衍生物的聚合物形成的。3.根据权利要求2的有机TFT,其中所述聚合物在其主链或侧链上具有如下各式所示的能够参与光致异构化、光致交联或光致聚合的部分4.根据权利要求1的有机TFT,其中所述有机绝缘层是通过浸涂、旋涂、印刷、喷涂或辊涂形成的。5.根据权利要求1的有机TFT,其中所述有机绝缘层的表面浮雕结构,是通过机械摹拓、静电力控制(poling)、表面浮雕光栅、光刻或者采用模具的盖印或压纹形成的。6.根据权利要求1的有机TFT,其中所述表面浮雕结构的主轴平行于源电极与漏电极之间的通道。...

【专利技术属性】
技术研发人员:慎重汉韩国珉徐银美巴马托夫伊夫吉尼希贝夫瓦莱里
申请(专利权)人:三星电子株式会社
类型:发明
国别省市:KR[韩国]

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