集成存储模块制造方法技术

本发明专利技术关于一种制造集成存储模块（１０）的方法，所述集成存储模块（１０）包含响应外部操作指令以便设定该存储模块的操作状态进而根据该存储模块的一预定规格而执行操作之一指令译码装置（１３）。依据本发明专利技术，此指令译码装置具有一决定存储器（５０），其包含存储位置（Ｍｉ，ｊ），其储存容量对来自多个不同规格的一规格而言是足以接收被选择之二直接连续的操作指令对的第二操作指令是否或如何被执行的一决定信息项目。在该指令译码装置（１３）被形成之后，于该预定规格内所要求之该决定信息项目乃被写入该决定存储器（５０）的该存储器位置。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是关于制造依据权利要求1前言之具有指令译码装置之集成存储模块之方法。本专利技术之较佳，但非限定，之应用领域是DRAM(dynamic read-write memories with random direct access，动态直接存取之读写存储器)模块之制造。
技术介绍
如已知，半导体芯片(chip)上之存储电路的制造需要多重步骤以便将电路组件以及其间的连接集成于基板上。此种集成通常在复数层或平面的光学微影(lithographically)方式中产生效果，于其中使用了用来定义即将形成于个别平面中之半导体空间图案以及金属结构之曝光罩幕。在量产中，复数相同型态的存储电路(通常是数百个)被形成于一共同基板晶片(wafer)上，其接着被裁切以获得做为小芯片(chip)之个别的存储电路。每一芯片随后被设置在一壳体基板并且和安装于其中之外部端点接脚搭线连接。在后续于壳体内的封装之后，此模块因而形成并且可供应给顾客。在晶片上的集成步骤的结束与传送至顾客之间，个别的存储电路受到各种的测试以便对它们进行检查以及在可能发现缺陷的时候修复。此种修复通常藉由集成可熔的连结(所谓的”fus本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种集成存储模块制造方法，该存储模块包含一指令译码装置（１３），其响应外部操作指令以设定该存储模块之操作状态，进而依据该存储模块之一预定规格其中该指令译码装置乃由集成至少以下组件而形成：－一决定存储器（５０），其包含每个被选择的可应用于来自该存储模块之ｍ个不同的规格的一规格中的二直接连续操作指令对（ｐａｉｒ）组所用之一指派存储位置（Ｍｉ，ｊ），该存储位置之储存容量对该ｍ个规格的一规格而言是足以接收指定该相关对的第二操作指令是否或如何被执行的一决定信息项目；－一保持装置（６０），用以缓冲储存每一被接收的外部操作指令直到后续操作指令的接收为止；－一地址装置（ＢＬ［１∶ｎ］，ＶＬ［１∶ｎ］），其于接...

【技术特征摘要】
DE 2003-12-11 10357862.51.一种集成存储模块制造方法，该存储模块包含一指令译码装置(13)，其响应外部操作指令以设定该存储模块之操作状态，进而依据该存储模块之一预定规格其中该指令译码装置乃由集成至少以下组件而形成-一决定存储器(50)，其包含每个被选择的可应用于来自该存储模块之m个不同的规格的一规格中的二直接连续操作指令对(pair)组所用之一指派存储位置(Mi，j)，该存储位置之储存容量对该m个规格的一规格而言是足以接收指定该相关对的第二操作指令是否或如何被执行的一决定信息项目；-一保持装置(60)，用以缓冲储存每一被接收的外部操作指令直到后续操作指令的接收为止；-一地址装置(BL[1:n]，VL[...

【专利技术属性】
技术研发人员：H费希尔，
申请(专利权)人：因芬尼昂技术股份公司，
类型：发明
国别省市：DE[德国]