用于集成电子模块的垂直磁性屏障制造技术

本公开涉及用于集成电子模块的垂直磁性屏障。一种集成电子组件配件，可以包括导电结构，所述导电结构包括：在所述集成电子组件配件的外部上能够接近的两个或多个导电末端；在所述集成电子组件配件内用于第一组件的第一组件附接区域；和在所述集成电子组件配件内用于第二组件的第二组件附接区域。所述集成电子组件配件可以包括耦合所述导电结构或由所述导电结构限定的导电可磁性渗透的屏障，所述导电可磁性渗透的屏障位于所述第一和第二组件附接区域之间，包括沿着由所述第一和第二组件附接区域限定的平面外面方向延伸的部分，从而抑制所述第一和第二组件之间的磁性耦合。

【技术实现步骤摘要】

技术介绍
集成电子模块可用于执行各种功能。例如，这样的模块可以包括一个或多个无源组件和互连部分，例如提供能够放置在一个印刷电路板组件的单个单元化模块组件。这样的模块可以包括用于执行各种功能的，例如提供一个无源滤波器电路，例如，或用于提供更复杂的功能，例如，包括一个或多个单片集成电路s或有源器件。一种单片集成电路可以包括一个或多个有源器件例如晶体管，或无源器件例如电阻器，电感器，或电容，和互连部分第这样的单片集成电路可根据被制造或包括一个半导体衬底。限制可以相对于存在于无源组件的值的大小，可以使用单片集成电路来实现。因此，在某些应用中，单片集成电路可耦合到“芯片外”，位于一个或多个组件，但这些组件可能仍然被包括内集成的电子模块包。在一个说明性的应用中，一个单片集成电路可以包括一个电源控制器电路例如包括一个或多个模拟或数字的电路系统形成一个稳压电源的一部分。在集成电路和其他片组件的组合可以提供稳压电源电路。部件从分离集成电路可以包括能量存储元件(例如一个电感器)，与其他电路系统例如一或多个大旁路电容器或电力开关设备(例如功率晶体管)。旁路电容器的使用仍可能导致在各种负载条件下的输出纹波(例如输出电压的变化或噪声从标称稳压输出电压偏离)的不希望的水平。因此，不同的技术可用于提供过滤或脉动的抑制。在一种方法中，一个调谐滤波器电路可以用来衰减波纹，例如具有对应于脉动信号的基本频率的阻带。
技术实现思路
在一个例子中，一个或多个部件可以位于一个共同共享电子组件模块包组件可以包括一个或多个无源组件例如一或多个感应设备(例如包括电感器或变压器)，一个或多个电容器内，或一个或多个电阻器。代替或另外，这些组件可以包括一个或多个单片集成电路芯片。的间隔和内单独组分的取向的集成电子组件模块包可能导致部件之间的不期望的电耦合，即使这些组件之间不存在导电耦合路径。例如，如果组件包括电感器，不需要的相互磁性耦合可以这样电感器之间发生。不希望的相互磁性耦合可不利地影响电路的功能，例如移动的工作频率或改变的调谐电路的品质因数，或引起不期望的灵敏度来处理或其他变化，例如元件值的变化，或敏感性在负载和温度变化的工作条件下。不希望的耦合例如电容性或静电耦合的其他形式可发生，这也可能影响电路的功能。其中，本专利技术人已经认识到，组件例如电感器都位于人口稠密的集成电子模块包具有紧凑包几何并拢时，这种不期望的电耦合可以加剧。这种紧凑的几何形状可以包括，但不限于，芯片级封装(CSP)或邻近的CSP的外形。在一个说明性示例中，一个CSP或接近的CSP模块可以包括一个单片集成电路含有至少一个直流对直流(DC-DC)的一部分切换方式调节器，以及离散的组件(例如1或多个电阻器，电容器或电感器)，例如，以提供一个高-集成模块。这样的模块可以由最终用户在应用电路更小的体积或更简单的实现相比，一个电源电路，其包括一个单一的包单片集成电路耦合到外部组件上的印刷电路板组件。在另一例子中，集成电子组件模块可以包括两个或多个无源组件，例如，以提供一个单一的部件模块执行过滤器或其他信号调节电路，例如，以提供可被定位在集成无源滤波器模块和放置在印刷电路板组件作为一个单一的单元化模块组件。其中，本专利技术人已经认识到，导电可磁性渗透的屏障可以包括在一个集成电子组件模块，例如，以阻抑或抑制相互磁性耦合的某些之间组件。这种导电可磁性渗透的屏障可导电和可磁性渗透的。这样的屏障也可以提供静电屏障，例如以减少组件之间的电容耦合。在一个例子中，集成电子组件配件可以包括导电结构，所述导电结构包括：在所述集成电子组件配件的外部上能够接近的两个或多个导电末端；在所述集成电子组件配件内用于第一组件的第一组件附接区域；和在所述集成电子组件配件内用于第二组件的第二组件附接区域。所述集成电子组件配件可以包括耦合所述导电结构或由所述导电结构限定的导电可磁性渗透的屏障，所述导电可磁性渗透的屏障位于所述第一和第二组件附接区域之间，包括沿着由所述第一和第二组件附接区域限定的平面外面方向延伸的部分，从而抑制所述第一和第二组件之间的磁性耦合。此概述意欲提供对本专利申请的主题的概述。它并不旨在提供本专利技术的排他性或穷尽的说明。被包括的详细描述，以提供关于本专利申请的进一步的信息。附图说明图1A通常至少部分描述一部分集成电子模块，包括导电结构，例如包括引线框架。图1B通常至少部分描述一部分集成电子模块，包括介电基材和导电结构，例如包括耦合介电基材的金属化层。图1C通常至少部分描述一部分集成电子模块，包括介电基材和导电结构，例如包括耦合介电基材的金属化层。图1D通常至少部分描述一部分集成电子模块，例如具有由电镀区域和介电填料限定的导电“扇出”结构。图2A通常部分描述一部分集成电子模块，例如包括导电结构和导电可磁性渗透的屏障，电气和机械性地耦合导电结构。图2B通常部分描述一部分集成电子模块，例如包括导电结构，包括限定导电可磁性渗透的屏障的部分。图3通常描述代表集成电子模块，例如可以包括各种组件的电路图的示意性例子。图4通常描述至少一部分集成电子模块，例如可以包括限定各种组件附接区域的导电结构的示意性例子，内连图3的电路图的示意性例子。图5通常示出了示出用于在共振频率变化的模拟的一个示例性例子的谐振陷波滤波器电路时一个电感器包括作为一部分的谐振陷波滤波器电路感应耦合到另一电感器根据各种偶系数。图6一般地示出用于测试电路包括各种屏障构造测量脉动衰减的说明性示例。图7通常示出技术，例如可以包括形成集成电子模块的方法，包括导电末端、组件附接区域和导电可磁性渗透的屏障。在附图中，附图不一定按比例绘制，相同的标号可在不同的视图描述相似组件。具有不同字母后缀可以表示类似组件。附图的不同实例标号一般说明，以举例的方式，而不是通过限制的方式，各种实施例在本文档中讨论。具体实施方式图1A通常至少部分描述一部分的集成电子模块，包括一个导电结构180例如包括一个集成模块包一个引线框架。导电结构180可以包括或定义两个或多个导电末端，例如末端到的外部访问一个集成电子模块组件，例如上或超出的密封剂150。导电结构180的表面可访问可以定义或以其它方式包括一个或多个组件附接区域，例如一个第一组件附接区域建立提供电气和机械的连接对于第一组件104和第二组件附接区域建立，以提供一个第二组件106电气和机械连接。第一组件附接区域可以包括一个或多个土地或“垫”包括所述导电结构180，例如导体112和导体132导体112可以电耦合至一个末端，或者可以定义一个末端延伸超出密封剂区域150在图1A中，例如示出说明性。第二组件附接区域还可以包括一个或多个土地或“垫”包括所述导电结构180例如导体114和导体116导体116也可以被电耦合到一个末端或可以定义一个末端延伸超出密封剂区域150，如在图1A中所示示例。如示出和本文别处描述的，本专利技术人已经认识到，除其他事项外，不希望的电组件之间的耦合，例如在第一和第二组件104和106，可以使用抑制或抑制例如一个导电可磁性渗透之间的屏障108，例如电气和机械性地耦合一屏障区域的导电结构180118或者，或另外，可磁性渗透的屏障108可以由来定义，或者从导电结构180的一部分而形成，例如在图2B的实例中说明性地示出。如图图1A和在本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种集成电子组件配件，包括：导电结构，包括：在所述集成电子组件配件的外部上能够接近的两个或多个导电末端；在所述集成电子组件配件内用于第一组件的第一组件附接区域；和在所述集成电子组件配件内用于第二组件的第二组件附接区域；以及位于所述集成电子组件配件内的导电可磁性渗透的屏障，所述导电可磁性渗透的屏障耦合所述导电结构或由所述导电结构限定，所述导电可磁性渗透的屏障位于所述第一和第二组件附接区域之间，包括沿着由所述第一和第二组件附接区域限定的平面外面方向延伸的部分，从而抑制所述第一和第二组件之间的磁性耦合。

【技术特征摘要】
2015.06.29 US 14/754,2411.一种集成电子组件配件，包括：导电结构，包括：在所述集成电子组件配件的外部上能够接近的两个或多个导电末端；在所述集成电子组件配件内用于第一组件的第一组件附接区域；和在所述集成电子组件配件内用于第二组件的第二组件附接区域；以及位于所述集成电子组件配件内的导电可磁性渗透的屏障，所述导电可磁性渗透的屏障耦合所述导电结构或由所述导电结构限定，所述导电可磁性渗透的屏障位于所述第一和第二组件附接区域之间，包括沿着由所述第一和第二组件附接区域限定的平面外面方向延伸的部分，从而抑制所述第一和第二组件之间的磁性耦合。2.权利要求1所述的集成电子组件配件，其中所述导电结构包括用于集成电路芯片的集成电路芯片附接区域；和其中所述第一和第二组件包括无源组件。3.权利要求1所述的集成电子组件配件，还包括第一和第二组件；和其中所述第一和第二组件包括电感器。4.权利要求3所述的集成电子组件配件，其中所述电感器包括：第一电感器，导电和机械性地耦合由位于所述第一组件附接区域中的导电结构限定的垫；和第二电感器，导电和机械性地耦合由位于所述第二组件附接区域中的导电结构限定的垫；以及其中所述导电可磁性渗透的屏障被构造为和缺少导电可磁性渗透的屏障的集成电子组件配件相比，抑制或压抑所述第一和第二电感器之间的相互电感耦合。5.权利要求4所述的集成电子组件配件，包括集成电路芯片附接区域；和集成电路芯片，机械性地附接所述集成电路芯片附接区域，所述集成电路包括被构造为提供至少一部分切换方式调节器电路的电路系统；其中所述第一电感器包括导电性地耦合所述集成电路芯片的存储电感器；其中所述第二电感器包括一部分陷波滤波器电路；和其中所述导电可磁性渗透的屏障被构造为和缺少导电可磁性渗透的屏障的集成电子组件配件相比，稳定由所述陷波滤波器电路建立的陷波频率。6.权利要求1至5中任一项所述的集成电子组件配件，其中所述导电结构包括耦合第一介电材料的金属化层，所述第一介电材料包括用于所述集成电子组件配件的基材。7.权利要求6所述的集成电子组件配件，包括外壳；其中所述第一和第二组件以...

【专利技术属性】
技术研发人员：A·S·里姆杰科，M·丘萨克，D·G·奥沙利文，P·J·米汉，T·康韦，
申请(专利权)人：亚德诺半导体集团，
类型：发明
国别省市：百慕大群岛;BM