不导电基底的金属化方法和由此形成的金属化的不导电基底技术

公开了金属化不导电基底的方法。该方法包括：（ａ）提供不导电基底，该基底具有暴露的不导电表面；（ｂ）在该不导电表面上形成过渡金属层；和（ｃ）使该过渡金属层暴露于包含６个或更多碳原子的化合物的液体溶液，且该化合物选自一种或多种膦酸和它们的盐，和磷酸的单酯和它们的盐的化合物。该不导电基底可以是例如光纤。此外公开了通过本发明专利技术的方法制备的金属化的不导电基底和金属化的光纤，以及包含这种金属化的光纤的光电子封装。可以在光电子产业中在光纤的金属化和形成密封光电子器件封装中得到具体的应用。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及金属化不导电基底的方法。本专利技术同时涉及具有金属化表面的不导电基底。可以在光电子产业中金属化光纤和包含金属化的光纤的密封光电子器件封装的制备中得到具体的应用。
技术介绍
使用光脉冲序列的信号传输在高速通讯中变得原来越重要。光纤已经成为光通讯所需架构中的基础。典型将光纤连接至在器件封装中的光电子元件例如激光二极管，发光二极管(LED)，光电探测器，调制器等等。所得到的光纤与封装之间的玻璃-金属的连接形成了密封(hermetically sealed)结构。密封封装为典型对环境条件敏感的封闭器件提供了容纳和保护。在这点上，大气污染物例如湿气，灰尘，化学气体，和自由离子会在光学和光电子元件的操作中引起裂化。封装中元件的光学输入/输出表面对污染物尤为敏感，然而封装的金属表面容易受到腐蚀的影响。这些影响均会引起可靠性问题。因此需要封装的密封来阻止与外界空气的接触。为了容许将光纤连接至光电子器件封装并形成密封，在光纤的不导电，二氧化硅表面上形成金属结构。几种用于金属化光纤的方法在本领域中是熟知的。例如，已提出例如溅射和蒸发的物理气相沉积(PVD)技术，非电镀，和非电镀与电镀技本文档来自技高网...

【技术保护点】
金属化不导电基底的方法，该方法包括：（ａ）提供不导电基底，该基底具有暴露的不导电表面；（ｂ）在该不导电表面上形成过渡金属层；和（ｃ）使该过渡金属层暴露于包含６个或更多碳原子的化合物的液体溶液中，该化合物选自一种或多种 膦酸和它们的盐，和磷酸的单酯和它们的盐。

【技术特征摘要】
US 2003-12-31 60/533,6891.金属化不导电基底的方法，该方法包括(a)提供不导电基底，该基底具有暴露的不导电表面；(b)在该不导电表面上形成过渡金属层；和(c)使该过渡金属层暴露于包含6个或更多碳原子的化合物的液体溶液中，该化合物选自一种或多种膦酸和它们的盐，和磷酸的单酯和它们的盐。2.权利要求1的方法，其中该不导电基底是光纤。3.权利要求2的方法，其中该金属层是镍层或镍合金层。4.权利要求2或3的方法，其中该化合物包含多个烃链。5.权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：TJ佩雷特，
申请(专利权)人：罗姆和哈斯电子材料有限责任公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]