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公开了金属化不导电基底的方法。该方法包括：（ａ）提供不导电基底，该基底具有暴露的不导电表面；（ｂ）在该不导电表面上形成过渡金属层；和（ｃ）使该过渡金属层暴露于包含６个或更多碳原子的化合物的液体溶液，且该化合物选自一种或多种膦酸和它们的盐，和...
该专利属于罗姆和哈斯电子材料有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过罗姆和哈斯电子材料有限责任公司授权不得商用。

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