蚀刻方法、有多个凹部的基板、微透镜基板、透射屏和背面投影仪技术

公开了一种蚀刻方法，包括以下步骤：准备基板５；在基板上形成第一和第二膜（６１）和（６２），每层膜具有预定的内应力，从而第一和第二膜（６１、６２）的内应力互相抵消或相减；在第一和第二膜（６１、６２）中形成多个初始孔（６３），以形成掩模（６）；和通过利用掩模（６）使基板（５）经受蚀刻过程，而在基板（５）上对应多个初始孔（６３）的部位形成多个凹部（３）。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种蚀刻方法、一种具有多个凹部的基板、一种微透镜基板、一种透射屏和一种背面投影仪。
技术介绍
例如，已知一种将图像投影到屏幕上的透射显示装置。在这样的透射显示装置中，液晶面板(液晶光闸)被用于产生图像。该液晶面板被构造为具有用于控制各个像素的多个薄膜晶体管(TFTs)以及多个像素电极的液晶驱动基板(TFT基板)通过液晶层被接合到用于具有黑底、共用电极以及类似物的液晶面板的对向基板上。由于在具有这种结构的液晶面板(TFT液晶面板)中，黑底在与用于液晶面板的对向基板的像素对应的部分之外的部分处形成，因此，在液晶面板中入射光被透射的区域受到限制。这样，入射光的透射率减小。为了增大入射光的透射率，已知一种液晶面板，其中，大量微小微透镜设置在与用于液晶面板的对向基板中的像素对应的部分处。通过用于液晶面板的对向基板透射的光被会聚到在黑底上形成的开口处，从而增加光的透射。作为在基板上形成凹部以形成这样的微透镜的一种方法(在此称为蚀刻方法)，例如，已知一种使用掩模的方法(例如参见日本公开专利申请2000-281383)。迄今为止，对于用于这种掩模的构成材料的选择已经集中在对将要经历本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种蚀刻方法，包括以下步骤：准备基板；在基板上形成第一和第二膜，每层膜具有预定的内应力，从而第一和第二膜的内应力互相抵消或相消减；在第一和第二膜中形成多个初始孔，以形成掩模；和通过利用掩模使基板经受蚀刻过程， 而在基板上对应多个初始孔的部位形成多个凹部。

【技术特征摘要】
JP 2003-12-26 2003-4352681.一种蚀刻方法，包括以下步骤准备基板；在基板上形成第一和第二膜，每层膜具有预定的内应力，从而第一和第二膜的内应力互相抵消或相消减；在第一和第二膜中形成多个初始孔，以形成掩模；和通过利用掩模使基板经受蚀刻过程，而在基板上对应多个初始孔的部位形成多个凹部。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，第一和第二膜形成步骤包括以下步骤在基板上形成第一膜；和在第一膜上形成第二膜。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，第二膜形成步骤包括通过相对于第一膜的平均厚度调节第二膜的平均厚度来控制整个第一膜和第二膜的内应力的步骤。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，在第一膜的平均厚度和第二膜的平均厚度分别设定为X(nm)和Y(nm)的情况下，X和Y满足关系式0.01≤X/Y≤0.8。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在基板上仅仅形成第一膜时，第一膜的内应力在-1,700到-700mPa的范围内。6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在基板上仅仅形成第二膜时，第二膜的内应力在500到1500mPa的范围内。7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，整个第一和第二膜的内应力在-400至400mPa的范围内。8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在掩模形成步骤中形成的掩模的平均厚度在5至500nm的范围内。9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，第一膜的内...

【专利技术属性】
技术研发人员：清水信雄，山下秀人，石井诚，
申请(专利权)人：精工爱普生株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]