【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种。将分别在2003年12月22日以及2004年2月25日申请的日本特许申请2003-424563号以及2004-49349号的申请文件中所公开的内容作为参考，并全部引用到本说明书中。
技术介绍
随着半导体集成电路的大集成化以及半导体元件的小型化，对光刻技术所要求的性能也正在逐渐地提高。特别是为了实现图形的微细化，目前正采用将KrF准分子激光或ArF准分子激光等用作曝光光的光刻法来形成图形，同时也试着使用波长更短的F2激光。另外，还正在进行增大曝光装置的NA(数值孔径)方面的研究。下面，参照图14(a)～图14(d)、图15(a)以及图15(b)对以往的进行说明。首先，准备具有下述组成的正型化学放大型抗蚀剂材料。聚((降冰片烯-5-亚甲基-叔丁基羧酸酯(t-butylcarboxylate))(50mol％)-(马来酸酐)(50mol％))(基体聚合物)……………………………………………………………………………2g三苯基锍三氟甲磺酸盐(酸生成剂)…………………………………0.06g丙二醇单甲基醚醋酸酯(溶剂)………………………………………20g...
【技术保护点】
一种图形形成方法，该方法包含以下步骤：在基板上形成抗蚀膜；对所述抗蚀膜选择性地照射曝光光以进行图形曝光；图形曝光后，对所述抗蚀膜进行显影；和显影后，通过使用含有环糊精的水溶液对所述抗蚀膜进行漂洗而形成抗蚀图形 。
【技术特征摘要】
JP 2003-12-22 2003-424563;JP 2004-2-25 2004-0493491.一种图形形成方法，该方法包含以下步骤在基板上形成抗蚀膜；对所述抗蚀膜选择性地照射曝光光以进行图形曝光；图形曝光后，对所述抗蚀膜进行显影；和显影后，通过使用含有环糊精的水溶液对所述抗蚀膜进行漂洗而形成抗蚀图形。2.根据权利要求1所述的图形形成方法，其中所述环糊精是α-环糊精、β-环糊精、γ-环糊精或δ-环糊精。3.一种图形形成方法，该方法包含以下步骤在基板上形成抗蚀膜；对所述抗蚀膜选择性地照射曝光光以进行图形曝光；图形曝光后，使用含有环糊精的溶液对所述抗蚀膜进行显影；和显影后，使用水溶液漂洗所述抗蚀膜而形成抗蚀图形。4.根据权利要求3所述的图形形成方法，其中所述水溶液包括环糊精或表面活性剂。5.根据权利要求3所述的图形形成方法，其中所述环糊精是α-环糊精、β-环糊精、γ-环糊精或δ-环糊精。6.根据权利要求3所述的图形形成方法，其中所述溶液进一步包括表面活性剂。7.一种图形形成方法，该方法包括以下步骤在基板上形成包括表面活性剂的抗蚀膜；对所述抗蚀膜选择性地照射曝光光以进行图形曝光；图形曝光后，对所述抗蚀膜进行显影；和显影后，使用含有表面活性剂的水溶液漂洗所述抗蚀膜而形成抗蚀图形。8.根据权利要求7所述的图形形成方法，该方法进一步包含在显影之后且在用所述水溶液漂洗之前，用水漂洗所述抗蚀膜的步骤。9.一种图形形成方法，该方法包含以下步骤在基板上形成抗蚀膜；将所述抗蚀膜暴露于含有表面活性剂的第1水溶液中；在将所述抗蚀膜暴露于所述第1水溶液中之后，对所述抗蚀膜选择性照射曝光光而进行图形曝光；图形曝光后，对抗蚀膜进行显影；和显影后，使用含有表面活性剂的第2水溶液漂洗所述抗蚀膜而形成抗蚀图形。10.根据权利要求9所述的图形形成方法，该方法进一步包括在显影之后且在用所述第2水溶液漂洗之前，用水漂洗所述抗蚀膜的步骤。11.根据权利要求4所述的图形形成方法，其中所述表面活性剂是阳离子表面活性剂或非离子表面活性剂。12.根据权利要求11所述的图形形成方法，其中所述阳离子表面活性剂是十六烷基甲基氯化铵、硬脂基甲基氯化铵、十六烷基三甲基氯化铵、硬脂基三甲基氯化铵、二硬脂基二甲基氯化铵、硬脂基二甲基苄基氯化铵、十二烷基甲基氯化铵、十二烷基三甲基氯化铵、苄基甲基氯化铵、苄基三甲基氯化铵、氯苄烷铵、1，1-二(全氟甲基)-2-全氟乙基乙烯氧基苄基三甲基铵或1，1-二(全氟异丙基)-2-全氟甲基乙烯氧基苄基三甲基铵；以及所述非离子表面活性剂是壬基苯酚乙氧基化物、辛基苯基聚氧乙烯醚、月桂基聚氧乙烯醚、十六烷基聚氧乙烯醚、蔗糖脂肪酸酯、聚氧乙烯羊毛脂脂肪酸酯、聚氧乙烯山梨糖醇酐脂肪酸酯、聚氧乙烯二醇单脂肪酸酯、脂肪酸单乙醇酰胺、脂肪酸二乙醇酰胺、脂肪酸三乙醇酰胺、1，1-二(全氟甲基)-2-全氟乙基乙烯基聚氧乙...
【专利技术属性】
技术研发人员：远藤政孝，笹子胜，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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