水溶性材料、化学放大型抗蚀剂及使用它们的图形形成方法技术

一种水溶性材料、化学放大型抗蚀剂以及图形形成方法，在抗蚀膜（１０２）上形成含有水溶性聚合物、酸生成剂以及形成可包合该酸生成剂的包合物的化合物的水溶性膜（１０３）。接着，借助水溶性膜（１０３），对抗蚀膜（１０２）照射由ＮＡ为０．６８的ＫｒＦ准分子激光器发出的透过掩膜（１０４）的曝光光（１０５），以进行图形曝光。然后，对已进行图形曝光的抗蚀膜（１０２），使用电热板在１０５℃的温度下烘焙６０秒。接着，在用水除去水溶性膜（１０３）之后，对已烘焙的抗蚀膜（１０２）进行显影，得到由抗蚀膜（１０２）的未曝光部构成的具有良好形状的抗蚀图形（１０２ａ）。根据本发明专利技术可以得到显影时不会生成表面难溶层且具有良好形状的微细化图形。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及在半导体装置的制造工序等的图形形成中使用的水溶性材料、化学放大型抗蚀剂以及使用它们的图形形成方法。
技术介绍
伴随着半导体集成电路的大集成化以及半导体元件的小型化，对光刻技术所要求的性能也正在逐渐地提高。特别是为了实现图形的微细化，目前，将化学放大型抗蚀剂用作抗蚀剂材料。化学放大型抗蚀剂在曝光以及曝光后的加热条件下，其成分中的酸生成剂生成酸，并将生成的酸作为催化剂而引起抗蚀剂的反应，由此可以改善曝光的分辨力以及感光度。下面，参照图7(a)～图7(d)对以往的图形形成方法进行说明。首先，准备具有下述组成的正型化学放大型抗蚀剂材料。聚((叔丁氧基羰基甲氧基苯乙烯)(65mol％)-(羟基苯乙烯)(35mol％))(基体聚合物)……………………………………………2g三苯基锍九氟甲磺酸盐(酸生成剂)………………………………0.05g丙二醇单甲基醚醋酸酯(溶剂)……………………………………18g接着，如图7(a)所示，在基板1上涂敷上述的化学放大型抗蚀剂材料，形成厚度为0.4μm的抗蚀膜2。接着，如图7(b)所示，借助掩膜4对抗蚀膜2照射由NA为0.68的KrF准分子激光器发本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种水溶性材料，其包含：水溶性聚合物；酸生成剂；表面活性剂；和用于结合所述酸生成剂的包合物。

【技术特征摘要】
JP 2003-12-22 2003-4250711.一种水溶性材料，其包含水溶性聚合物；酸生成剂；表面活性剂；和用于结合所述酸生成剂的包合物。2.根据权利要求1所述的水溶性材料，其中所述包合物是环状低聚糖。3.一种化学放大型抗蚀剂，其包含酸生成剂；和用于结合所述酸生成剂的包合物。4.根据权利要求3所述的化学放大型抗蚀剂，其中构成包合物的所述化合物是环状低聚糖。5.根据权利要求4所述的化学放大型抗蚀剂，其中所述环状低聚糖是环糊精。6.一种图形形成方法，该方法包含如下步骤在基板上形成化学放大型抗蚀膜；在所述抗蚀膜上形成包括水溶性聚合物、酸生成剂以及用于结合所述酸生成剂的包合物的水溶性膜；通过所述水溶性膜对所述抗蚀膜选择性地照射曝光光以进行图形曝光；和在图形曝光之后，除去所述水溶性膜而后对所述抗蚀膜进行显影。7.根据权利要求6所述的图形形成方法，其中所述包合物是环状低聚糖。8.根据权利要求7所述的图形形成方法，其中所述环状低聚糖是环糊精。9.根据权利要求8所述的图形形成方法，其中所述环糊精是α-环糊精、β-环糊精、γ-环糊精或δ-环糊精。10.根据权利要求6所述的图形形成方法，其中所述水溶性聚合物是聚乙烯醇、聚乙烯吡咯烷酮、聚苯乙烯磺酸、聚丙烯酸或支链淀粉。11.根据权利要求6所述的图形形成方法，其中所述水溶性材料进一步包括表面活性剂。12.根据权利要求11所述的图形形成方法，其中所述表面活性剂是阳离子表面活性剂或非离子表面活性剂。13.根据权利要求12所述的图形形成方法，其中所述阳离子表面活性剂是十六烷基甲基氯化铵、硬脂基甲基氯化铵、十六烷基三甲基氯化铵、硬脂基三甲基氯化铵、二硬脂基二甲基氯化铵、硬脂基二甲基苄基氯化铵...

【专利技术属性】
技术研发人员：远藤政孝，笹子胜，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]