一种抗蚀图形改进材料以及使用该材料制备抗蚀图形的方法技术

本发明专利技术公开了一种抗蚀图形改进材料以及使用该材料制备抗蚀图形的方法。该方法包括：形成抗蚀图形；和在抗蚀图形的表面上涂覆抗蚀图形改进材料，其中，抗蚀图形改进材料与抗蚀图形在它们之间的界面上混合，其中所述抗蚀图形改进材料包括：（ａ）一种水溶性或者碱溶性的成分，包含：（ｉ）一种树脂，和（ｉｉ）一种交联剂或者非离子表面活性剂，和（ｂ）一种水溶性芳香族化合物；其中水溶性芳香族化合物选自包含以下物质的组中：多元酚，代表性的有五倍子酸，以及它的衍生物；萘多元醇，代表性的有萘二醇，萘三醇，以及它们的衍生物；和苯甲酮衍生物，代表性的有茜素黄Ａ，其中抗蚀图形通过照射ＡｒＦ受激准分子激光或者波长短于ＡｒＦ受激准分子激光的波长的激光来形成，并且其中抗蚀图形改进材料的图形包括一种基本上不透过ＡｒＦ受激准分子激光的基础树脂。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种改进的光致抗蚀图的材料以及使用该材料制备光致抗蚀图的一种方法。本专利技术特别地涉及通过光照射的光致抗蚀图的表面覆盖层结构的改进，覆盖层和光致抗蚀图表层的混合，以及因此而使抗蚀图的边缘粗糙度减小。这样的抗蚀图被应用于半导体器件，磁传感器，还有各种各样的功能部件，等等。
技术介绍
光照射技术通常高效率用于大规模生产。为了继续提高大规模生产的生产率，要求使用光照射技术来生产制备越来越细小的产品。因此，研究的方向不仅是为了寻找一种比以往的光辐射具有更短波长的远紫外线，而且也在寻找改进掩模图形，光源的形状等等。这就需要发展一种改进的技术，这种技术不仅让用户很容易实现，而且要使继续使用以前的光照射技术能够生产比以往更加细小的抗蚀图成为可能。 如果使用氟化氪(KrF)受激准分子激光器作为辐射源，它通常应用于半导体器件的最后制造工序，它大约能够实现的最小分辨率图形尺寸为130nm，如果它与一些高级的分辨率技术相结合，它能够实现的最小分辨率图形尺寸将有可能小于130nm。在大规模生产的下一代光照射技术中，一般来说具有比以往更短波长的氟化氩(ArF)受激准备分子激光源被认为本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制备图形的方法，包括：　形成抗蚀图形；和　在抗蚀图形的表面上涂覆抗蚀图形改进材料，其中，抗蚀图形改进材料与抗蚀图形在它们之间的界面上混合，其中所述抗蚀图形改进材料包括：　（ａ）一种水溶性或者碱溶性的成分，包含：　 （ｉ）一种树脂，和　（ｉｉ）一种交联剂或者非离子表面活性剂，和　（ｂ）一种水溶性芳香族化合物；　其中水溶性芳香族化合物选自包含以下物质的组中：多元酚，代表性的有五倍子酸，以及它的衍生物；萘多元醇，代表性的有萘二醇，萘三醇， 以及它们的衍生物；和苯甲酮衍生物，代表性的有茜素黄Ａ，其中抗蚀图形通过照射Ａｒ...

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：野崎耕司，小澤美和，
申请(专利权)人：富士通株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]