记录介质主盘用正型抗蚀剂组合物以及使用了该组合物的记录介质主盘的制造方法及母版的技术

本发明专利技术提供一种显示出色的耐镀敷性及与玻璃等基板的粘附性的记录介质主盘用正型抗蚀剂组合物以及使用该正型抗蚀剂组合物的记录介质主盘（ｍａｓｔｅｒ）或母版（ｓｔａｍｐｅｒ）的制造方法，其中的记录介质主盘用正型抗蚀剂组合物的特征在于，含有乙烯基系聚合物，该乙烯基系聚合物具有如下所述的单体单元，即：具有用烷基乙烯基醚嵌段的碱溶性基。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种在用于制造光盘等记录介质的主盘(master)中有用 的正型抗蚀剂组合物、使用该正型抗蚀剂组合物的记录介质主盘的制造方 法及使用该正型抗蚀剂组合物的记录介质用母版(stamper)的制造方法。
技术介绍
近年来，为了实现光盘等记录介质的大容量化，提出了各种制造高密 度的记录介质的技术。另一方面，作为光盘的一般制造方法，可以举出首 先制作在表面形成了对应信息信号的需要的图案的主盘，由该主盘制作母 版，使用该母版，或者使用将该母版作为主盘进一步制作的母版，利用注 射模塑成形等大量地制造光盘的方法。具体而言，例如在玻璃基板上涂敷光致抗蚀剂，对应信息信号照射激 光，显影曝光后的抗蚀剂膜，形成凹坑、轨道等图案，得到需要的主盘。 接着，可以在该主盘的表面，用溅射法等方法形成镍等导电膜，进而在导 电膜上电铸镍，通过将其从主盘剥离，得到母版(例如参照特开2002 — 150620号公报、特开2001—338444号公报)。特别是在专利文献1中， 使用含有因曝光而产生酸的化合物的正型抗蚀剂组合物。但是，在这些以 往的技术中，还必需改善基于依赖记录光波长的衍射极限的记录凹坑(匕° :y卜)尺寸的析像分辨极限或由抗蚀剂组合物得到的图案(凹坑)向玻璃 板等基板的粘附性、在用于向该图案上形成导电膜的各种处理中的耐久性 等方面。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种在用于制造光盘等记录介质的主盘及母 版的制造中使用的抗蚀剂组合物，显示出色的向基板的粘附性、导电膜形 成时的耐久性的正型抗蚀剂组合物。本专利技术的记录介质主盘用正型抗蚀剂组合物的特征在于，含有乙烯基 系聚合物，该乙烯基系聚合物具有如下所述的单体单元，即具有用烷基 乙烯基醚嵌段的碱溶性基。本专利技术的记录介质主盘的制造方法的特征在于，具有在基板上形成所 述正型抗蚀剂组合物的层的工序、向该层的规定部照射活化能线的工序、 利用碱显影从所述基板上除去照射部从而在该基板上形成对应信息信号 的所述正型抗蚀剂组合物的图案的工序。本专利技术的记录介质用母版的制造方法的特征在于，具有在基板上形成正型抗蚀剂组合物的层的工序；向该层的规定部照射活化能线的工序；利用碱显影从所述基板上除去照射部从而在该基板上形成对应信息信号的所述正型抗蚀剂组合物的图案，由此得到主盘的工序；在该主盘的表面形 成导电膜的工序；在该导电膜上电铸金属的工序；从该主盘剥离由电铸后 的金属构成的母版的工序。本专利技术的正型抗蚀剂组合物显示出色的耐鍍敷性及与玻璃等基板的 粘附性，在用于制造光盘等记录介质的主盘的用途中非常有用。进而，本专利技术的记录介质主盘的制造方法及记录介质用母版的制造方 法除了上述效果以外，还可以不使用电子束等而形成小的凹坑直径，作为 生产率高的纳米加工法非常有用。进而，除了乙烯基系聚合物[(A)成分]，该乙烯基系聚合物具有如 下所述的单体单元，即具有用烷基乙烯基醚嵌段的碱溶性基，本专利技术的 正型抗蚀剂组合物在含有通过活化能线而产生热的光热转换物质[(B)成 分]和通过热而产生酸的热产酸剂[(C)成分]的情况下，可以得到理想的 灵敏度或析像度，优选通过选择组成，成为可以减低烘焙处理条件或省略 烘焙处理的正型抗蚀剂组合物。附图说明图1是例示使用本专利技术的正型抗蚀剂组合物制作光盘(记录介质)的主盘及母版的工序的示意截面图。具体实施例方式图1是表示使用本专利技术的正型抗蚀剂组合物制作光盘(记录介质)的 主盘及母版的工序的一例的示意截面图。首先，如图1 (a)所示，在已研磨表面的基板1的面涂敷本专利技术的 正型抗蚀剂组合物，形成抗蚀剂膜2。在此，作为基板l，通常使用玻璃 板，特别优选使用预先进行了硅氮垸处理的玻璃板。另外，除了玻璃板以 外，还可以使用金属板等。作为可以使用的金属基板的具体例，可以举出 由A1、 Cu、 Ni、 Ti等构成的金属板，利用蒸镀、溅射等在玻璃板等适当 的基体表面形成A1、 Au、 Ag、 Ni、 Pt等金属或ITO、 ZnO、 Si02、 Sn02、 SiC等无机化合物的薄膜的基板。进而，作为在基板1的表面涂敷正型抗蚀剂组合物形成抗蚀剂膜2 的方法，通常使用将正型抗蚀剂组合物溶解于溶剂中，利用旋涂等方法涂 敷该抗蚀剂溶液的方法。不过，抗蚀剂膜的形成方法不限定于此，例如也 可以干膜化正型抗蚀剂组合物，在基板1的表面设置，或者水乳化正型抗 蚀剂组合物，在基板1的表面涂敷。接着，如图1 (b)所示，对抗蚀剂膜2，以对应应记录的信息信号的 需要图案，照射作为活化能线的激光，形成潜像。在此，对曝光波长没有 特别限制，只要用可以产生用碱显影除去抗蚀剂膜中的活化能线的照射部 分(曝光部分)的变质作用的波长的活化能线进行曝光即可。作为活化能线，例如可以利用从紫外线、可见光线、近红外线、红外 线、远红外线中选择的活化能线。为了诱导通过热而产生酸而在正型抗蚀 剂组合物中含有光热转换物质的情况下，可以使用含有从光热转换物质的 最大吸收波长( imax) 士10nm、其1/n的波长amax/n)及其n倍的波长 (n Amax) (n表示1以上的整数)中选择的任意一种波长或者组合两种 以上的活化能线。进而，该最大吸收波长优选在200 900nm的范围。另外，作为激光照射装置，可以使用脉冲方式及连续照射方式的任意 一种。接着，如图1 (C)所示，通过利用碱显影从基板上除去抗蚀剂膜2的曝光部，形成凹坑、轨道等需要的凹凸图案，得到主盘3。根据需要也 可以在向抗蚀剂膜2的曝光的前及后的至少一方进行利用加热的烘焙处 理(预烘焙及/或后烘焙)。接着，如图1 (d)所示，用溅射法等方法在主盘3表面形成镍等导 电膜4。接着，如图1 (e)所示，通过电铸，在导电膜上堆积需要的厚度 的镍5。接着，如图1 (f)所示，从主盘9剥离电铸后的镍，例如通过研 磨背面，对内外周进行修整(trimming),得到母版6。在这样的母版6中 形成对应信息信号的需要的凹凸图案。其中，在导电膜4的形成中也可以 利用非电解镀层(化学镀层)等方法。将该母版用作记录介质的注射模塑成形的金属模。这样，大量生产具 有需要的凹凸图案(凹坑)的记录介质成为可能。对适用本专利技术的记录介 质的种类没有特别限制。本专利技术中的正型抗蚀剂组合物除了在向设置有抗 蚀剂图案的基板的表面形成导电膜时的耐久性及与基板的粘附性出色的 点以外，还可以不使用电子束等而形成小的凹坑直径，从可以进行生产率 高的纳米加工的点出发，非常有用。本专利技术中的正型抗蚀剂组合物至少含有乙烯基系聚合物，该乙烯基系 聚合物具有如下所述的单体单元，即具有用垸基乙烯基醚嵌段的碱溶性 基。进而，将该乙烯基系聚合物作为(A)成分，也可以进一步至少含有 以下的(B)及(C)的各成分。(A) 乙烯基系聚合物，该乙烯基系聚合物具有如下所述的单体单元， 即具有用垸基乙烯基醚嵌段的碱溶性基。(B) 通过活化能线而产生热的光热转换物质。(C) 通过热而产生酸的热产酸剂。作为上述的(A)成分的乙烯基系聚合物为至少使用具有聚合性的乙 烯性不饱和键的化合物作为单体得到的乙烯基系聚合物，作为从具有乙烯 性不饱和键的单体得到的单元，是具有碱溶性基可以在酸作用下脱离的使 用烷基乙烯基醚进行嵌段的基的单元。作为具有该乙烯性不饱和键及碱溶性基的化合物本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种记录介质主盘用正型抗蚀剂组合物，其特征在于，含有乙烯基系聚合物，该乙烯基系聚合物具有如下所述的单体单元，即：具有用烷基乙烯基醚嵌段的碱溶性基。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 2005-4-20 122731/20051.一种记录介质主盘用正型抗蚀剂组合物，其特征在于，含有乙烯基系聚合物，该乙烯基系聚合物具有如下所述的单体单元，即具有用烷基乙烯基醚嵌段的碱溶性基。2. 根据权利要求l所述的记录介质主盘用正型抗蚀剂组合物，其中， 还含有通过活化能线而产生热的光热转换物质和通过热而产生酸的热产酸剂。3. 根据权利要求l所述的记录介质主盘用正型抗蚀剂组合物，其中， 所述碱溶性基为羧基。4. 根据权利要求3所述的记录介质主盘用正型抗蚀剂组合物，其中， 所述乙烯基系聚合物为具有下述通式(1)[化l]<formula>formula see original document page 2</formula>(式中W表示氢原子或低级烷基，f表示取代或无取代的垸基)表 示的结构单元的乙烯基系聚合物。5. 根据权利要求4所述的记录介质主盘用正型抗蚀剂组合物，其中， 具有通式(1)表示的结构单元的乙烯基系聚合物的重均分子量为2，000 300， 000。6. 根据权利要求1 5中任意一项所述的记录介质主盘用正型抗蚀剂 组合物，其中，所述乙烯基系聚合物是通过至少使用用烷基乙烯基醚嵌段碱溶性基 所得的单体而得到的。7. 根据权利要求1 6中任意一项所述的记录介质主盘用正型抗蚀剂 组合物，其中，还含有酸。8. —种记录介质主盘的制造方法，其是具有在基板上形成正型抗蚀 剂组合物的层的工序、向该层的规定部照射活化能线的工序、和利用碱显 影从所述基板上除去照射部从而在该基板上形成对应信息信号的所述正 型抗蚀剂组合物的图案的工序的记录介质主盘的制造方法，其特征在于，所述正型抗蚀剂组合物含有乙烯基系聚合物，该乙烯基系聚合物具有如下所述的单体单元，g卩具有用烷基乙烯基醚嵌段的碱溶性基。9. 根据权利要求1所述的记录介质主盘的制造方法，其中，还含有通过活化能线而产生热的光热转换物质和通过热而产生酸的 热产酸剂。10. 根据权利要求9所述的记录介质主盘的制造方法，其中， 所述活化能线是至少包括所述光热转换物质的最大吸收波长士10nm、该最大吸收波长的1/n的波长及该最大吸收波长的n倍的波长(n表示1 以上的整数)的任意一种波长的活化能线。11. 根据权利要求10所述的记录介质主盘的制造方法，其中， 所述最大吸收波长在200 900nm的范围。12. 根据权利要求8 11中任意一项所述的记录介质主盘的制造方 法，其中， '还具有在所述显影工序之前将照射了所述活化能线的正型抗蚀剂组 合物的层加热的工序。13. 根据权利要求8 12中任意一项所述的记录介质主盘的制造方 法，其中，所述碱溶性基为羧基。14. 根据权利要求13所述的记录介质主盘的制造方法，其中， 所述乙烯基系聚合物为具有下述通式(1)[化2] <formula>formula s...

【专利技术属性】
技术研发人员：今井玄儿，小岛大辅，
申请(专利权)人：关西油漆株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[]