在能够进行较高记录密度的磁记录介质中，提供了具有较高顽磁性和较低噪声的磁记录介质及其制造方法，以及磁记录和再现装置。该磁记录介质的特征在于在非磁性衬底上按顺序至少叠置非磁性基底层、非磁性中间层、磁性层和保护层，并且该非磁性基底层的各层中的至少一个是由基于ＷＸ的合金或者基于ＭｏＸ的合金（Ｘ＝Ｚｒ、Ｎｂ、Ｈｆ、Ｔａ）形成的。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及用于硬盘设备等的磁记录介质、磁记录介质的制造方法以 及磁i己录和再现装置。
技术介绍
作为磁记录和再现装置的硬盘设备(HDD)的记录密度已经达到了 100G比特/英寸2，并且希望记录密度以每年30%的速度增长。因此，目 前正在研发适用于获得高记录密度的磁记录头和磁记录介质。在硬盘设备 中采用的磁记录介质需要具有高记录密度，相应地产生了对于改善矫顽力 以及减少介质噪声的要求。硬盘设备中采用的大多数磁记录介质具有包含 磁记录介质衬底的结构，在该衬底上通过溅射堆叠了金属膜。铝村底和玻 璃衬底广泛用于制造磁记录介质。通过以下过程制造铝衬底在已经经过 镜面抛光的Al-Mg合金衬底基底上通过无电镀形成基于Ni-P的合金膜 (厚度约10 y m ),并且使该基于Ni-P的合金膜的表面经受镜面抛光。 玻璃衬底分成两类；即无定形玻璃衬底和玻璃陶瓷衬底。当采样这两种玻 璃衬底中的某一种制造磁记录介质时，使该衬底经受镜面抛光。一般而言，用于制造硬盘设备的磁记录介质包括非磁性村底；非磁性 基底层(由例如Cr、基于Cr的合金或者基于Ni-Al的合金形成)；非磁性 中间层(由例如基于Co-Cr的合金或者基于Co-Cr-Ta的合金形成)；磁性层(由例如基于Co-Cr-Pt-Ta的合金或者基于Co-Cr-Pt-B的合金形成)； 保护膜(由例如碳形成)，这些层和膜按顺序形成在衬底上；并且包括润滑 膜，其包含液体润滑剂并且形成在保护膜上。该磁性层(例如基于Co-Cr-Pt-Ta的合金或者基于Co-Cr-Pt-B的合金) 中采用的Co合金(例如基于Co-Cr-Pt-Ta的合金或者基于Co-Cr-Pt-B的 合金)包含Co作为主要成分。该Co合金具有六边形紧密(hep)结构， 其中C轴是易磁化轴。磁性记录介质分成纵向记录类型和垂直记录类型， 其中该磁性层通常由Co合金形成。在纵向记录介质中，与非磁性衬底平 行地定向该Co合金的C轴，而在垂直记录介质中，垂直于非磁性衬底定 向该Co合金的C轴。因此，在纵向记录介质中，该Co合金的(10.0)平面 或者(ll.O)平面优选用作纵向记录平面。制造具有高记录密度的磁性记录介质需要减少介质噪声。下面所述的 非专利文献1利用理论7>式描述了通过减少Co合金的平均晶粒尺寸以及 Co合金晶粒尺寸分布有效地减少了介质噪声。下面所述的非专利文献2 描述了通过减少Co合金的平均晶粒尺寸和Co合金晶粒尺寸分布，能够制 造介质噪声减少并且适于高密度记录的磁记录介质。因此，介质噪声减少 的关键问题在于减少Co合金的平均晶粒尺寸和Co合金晶粒尺寸分布。因 为在Cr合金层上外延生长Co合金层，所以能够容易地想象出减少Cr合 金的平均晶粒尺寸和Cr合金晶粒尺寸分布将有助于减少Co合金的平均晶 粒尺寸和Co合金晶粒尺寸分布。如上所述，将各种元素添加到Cr中会改善属性。下面所述的专利文 献1描述了将Ti添加到Cr中是有效的。下面所述的专利文献2描述了将 V添加到Cr中是有效的。下面所述的专利文献3描述了将Mo或W添加 到Cr中是有效的。下面所述的专利文献4和5描述了由包含Cr作为主要 成分并且包含不同添加元素的两个层来形成基底层是有效的。下面所述的 专利文献6描述了将氧或氮添加到包含Cr作为主要成分的非磁性基底层 中是有效的。专利文献l曰本专利申请公报No.63-197018专利文献2美国专利i兌明书No，4652499专利文献3曰本专利申请公报No.63-18741专利文献4日本专利申请乂^:报No. 7-7342专利文献5日本专利申请/>才艮No.2000-322专利文献6曰本专利申请公报No.ll-28323专利文献7欧洲专利i兌明书No.0704839专利文献8日本专利申请/〉才艮No.2003-12324非专利文献1J.Appl.Phys.Vol.87 ，第5365-5370页非专利文献2J.Appl.Phys.Vol.87 ，第5407-5409页
技术实现思路
本专利技术所要解决的问题如上所述，非磁性基底层包含Cr合金作为主要成分。通过改进非磁 性基底层来减少介质噪声所采用的技术包括减少Cr合金的平均晶粒尺寸、 改进Cr合金的晶体取向以及使Cr合金与Co合金的晶格匹配。非磁性基 底层中采用的Cr合金包含Cr作为主要成分，并且因此该Cr合金的属性 主要取决于Cr固有的属性。这导致在设计磁性记录介质的非磁性基底层 过程中的自由度范围小。已经提出了在非磁性基底层中采用Cr合金的几种技术。专利文献7 提出了一种在非磁性基底膜中采用具有B2结构的合金(例如A1M、 AlCo 或者AlFe)的技术，从而减少包含在磁性膜中的晶粒尺寸并且实现噪声减 少。然而，采用Al-Ni合金面难以获得大矫顽力，并且采用Al-Co合金难 以获得大矫顽力以及矩形比。因此，这种技术会导致低再现输出，从而导 致高密度记录过程中的问题。专利文献8提出了在诸如MgO的氧化物形 成的对准调节层上形成Mo、 W、基于MoTi的合金或者基于WTi的合金 的膜的技术，从而实现噪声减少。然而，这种技术不能获得超过50G比特 /英寸2的记录密度，这是因为元素Mo或者W、基于MoTi的合金或者基 于WTi的合金对于噪声减少施加了限制。考虑到上述问题，本专利技术的目的是提供一种磁记录介质，其具有较大 的矫顽力和较低的噪声，并且能够获得较高的记录密度。本专利技术的另一个 目的是提供一种用于制造该介质的方法。本专利技术的又一目的是提供一种磁 记录和再现装置。解决问题的手段为了解决上述问题，本专利技术人已经进行了广泛的研究，因此已经发现 当非磁性基底层由基于WX ( WX-based )的合金或者基于MoX (MoX-based)的合金(X = Zr、 Nb、 Hf或者Ta )形成时，能够改善磁 记录和再现装置的属性。在这种发现的基础上完成了本专利技术。而且，本发 明人已经发现当非磁性中间层由Ru或者基于RuY的合金(Y = Ti、 Nb、 Mo、 Rh、 Ta、 W、 Re、 Ir或者Pt)形成时，能够改善磁记录和再现装置 的属性。在这种发现的基础上完成了本专利技术。因此，本专利技术涉及以下内容。(1) 一种包括非磁性衬底的磁记录介质；并且在该衬底上，按照以下 顺序至少提供了非磁性基底层、非磁性中间层、磁性层和保护层，其特征 在于构成该非磁性基底层的至少一个层是由基于WX的合金或者基于 MoX的合金(X-Zr、 Nb、 Hf或者Ta)形成的。(2) —种包括非磁性衬底的磁记录介质；并且在该衬底上，按照以下 顺序至少提供了非磁性基底层、非磁性中间层、稳定层、非磁性耦合层、磁性层和保护层，并且该稳定层与磁性层反铁磁性耦合，其特征在于构成该非磁性基底层的至少一个层是由基于WX的合金或者基于MoX的合金 (X = Zr、 Nb、 Hf或者Ta)形成的。(3) 如(1)或(2)所述的磁记录介质，其中构成该非磁性中间层的 至少一个层是由Ru或者RuY的合金(Y-Ti、 Nb、 Mo、 Rh、 Ta、 W、 Re、 Ir或者Pt)形成的。(4) 如(1)到(3)中任一项所述的磁记录介质，其中该基于WX 的合金具有50到99at %的W含量以及1到50at %的X含量。(5) 如(1)到(本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种磁记录介质，包含非磁性衬底；并且在该衬底上，按照以下顺序至少提供了非磁性基底层、非磁性中间层、磁性层和保护层，其特征在于，构成该非磁性基底层的至少一个层是由基于ＷＸ的合金或者基于ＭｏＸ的合金（Ｘ＝Ｚｒ、Ｎｂ、Ｈｆ或者Ｔａ）构成的。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 2005-8-11 233009/20051.一种磁记录介质，包含非磁性衬底；并且在该衬底上，按照以下顺序至少提供了非磁性基底层、非磁性中间层、磁性层和保护层，其特征在于，构成该非磁性基底层的至少一个层是由基于WX的合金或者基于MoX的合金(X＝Zr、Nb、Hf或者Ta)构成的。2. —种磁记录介质，包含非磁性衬底；并且在该衬底上，按照以下顺 序至少提供了非磁性基底层、非磁性中间层、稳定层、非磁性耦合层、磁 性层和保护层，并且该稳定层与该磁性层反铁磁性耦合，其特征在于，构 成该非磁性基底层的至少一个层是由基于WX的合金或者基于MoX的合 金(X-Zr、 Nb、 Hf或者Ta)构成的。3. 根据权利要求1或2所述的磁记录介质，其中构成该非磁性中间层 的至少一个层是由Ru或者RuY的合金(Y-Ti、 Nb、 Mo、 Rh、 Ta、 W、 Re、 Ir或者Pt)构成的。4. 根据权利要求1到3中任一项所述的磁记录介质，其中该基于WX 的合金具有50到99at %的W含量以及1到50at %的X含量。5. 根据权利要求1到3中任一项所述的磁记录介质，其中该基于MoX 的合金具有50到99at %的Mo含量以及1到50at %的X含量。6. 根据权利要求3所述的磁记录介质，其中该基于RuY的合金具有 20到99at %的Ru含量以及1到80at %的X含量。7. 根据权利要求2到6中任一项所述的磁记录介质，其中该非磁性耦 合层是由从Ru、 Rh、 Ir、 Cr、 Re、基于Ru的合金、基于Rh的合金、基 于Ir的合金、基于Cr的合金以及基于Re的合金中选出的任意一种形成 的，并且该非磁性耦合层具有0.5到1.5nm的厚度。8. 根据权利要求2到7中任一项所述的磁记录介质，其中该稳定层是 由从基于CoCrZr的合金、基于CoCrTa的合金、基于CoRu的合金、基 于CoCrRu的合金、基于CoCrPtZr的合金、基于CoCrPtTa的合金、基 于CoPtRu的合金以瓦基于CoCrPtRu的合金中选出的一种或多种形成的。9. 根据权...
【专利技术属性】
技术研发人员：大泽弘，清水谦治，
申请(专利权)人：昭和电工株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[]
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。