抗蚀剂材料和微加工方法技术

一种抗蚀剂材料和一种微加工方法，提供了高分辨率的微加工而无需使用例如电子束或离子束的昂贵的照射装置。即，该抗蚀剂材料和该微加工方法使用目前使用的曝光装置实现了进一步精细的微加工。包含过渡金属如Ｗ和Ｍｏ不完全氧化物的抗蚀剂层被选择性曝光和显影以将抗蚀剂层图案化成预定形式。在此所指的过渡金属的不完全氧化物是一种氧含量低于由对应于过渡金属的可能化合价的化学计量氧含量的化合物。换句话说，该化合物的氧含量低于对应于过渡金属的可能化合价的化学计量氧含量。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及无机抗蚀剂材料(resist materials)和使用该抗蚀剂材料的微加工(nanofabrication)方法，以及具体地涉及一种抗蚀剂材料和一种使用紫外至可见光区域的曝光源能够高精度微加工的微加工方法。
技术介绍
最新用于，例如，半导体，光学设备，和磁设备的微加工的平版印刷需要在几十个纳米或更低的数量级上的图案化精度(patterning precision)。为了实现这些高精度图案化，已在各种领域如光源，抗蚀剂材料，和分档器(steppers)中进行深入研究。增加微加工的尺寸精度的有效方案包括在曝光源中使用较短波长和会聚电子或离子束。但短波长曝光源和会聚电子或离子束照射源太昂贵，不适用于提供不太昂贵的设备。为了增加使用与目前使用的曝光装置相同的曝光源时的机制尺寸精度，已经提出其它方案如改进照明的方法和使用称作相移光罩(phase shift mask)的特殊光罩。已经尝试其它方案，包括使用多层抗蚀剂或无机抗蚀剂的方法。一般采用的曝光方法涉及使用紫外光作为曝光源的有机抗蚀剂如酚醛清漆抗蚀剂和化学放大抗蚀剂。通用的有机抗蚀剂广泛用于平版印刷领域。但其大分子量导致本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种包含不完全氧化的过渡金属的抗蚀剂材料，所述不完全氧化过渡金属的氧含量低于对应于该过渡金属的可能化合价的化学计量氧含量。

【技术特征摘要】
JP 2002-2-22 46029/2002;JP 2002-10-10 297893/20021.一种包含不完全氧化的过渡金属的抗蚀剂材料，所述不完全氧化过渡金属的氧含量低于对应于该过渡金属的可能化合价的化学计量氧含量。2.根据权利要求1的抗蚀剂材料，其中抗蚀剂材料包含一种包括氧化物的无定形无机材料。3.根据权利要求1的抗蚀剂材料，其中过渡金属包含Ti，V，Cr，Mn，Fe，Nb，Cu，Ni，Co，Mo，Ta，W，Zr，Ru，和Ag中的至少一种。4.根据权利要求3的抗蚀剂材料，其中不完全氧化的过渡金属是三价的且对于组成A1-xOx来说0＜x＜0.75，其中A是过渡金属。5.根据权利要求4的抗蚀剂材料，其中过渡金属包含Mo或W。6.根据权利要求1的抗蚀剂材料，其中不完全氧化的过渡金属进一步包含除过渡金属之外的元素。7.根据权利要求6的抗蚀剂材料，其中除过渡金属之外的元素包括Al，C，B，Si，和Ge中的至少一种。8.一种微加工方法，包括下列步骤将包括不完全氧化的过渡金属的抗蚀剂材料的抗蚀剂层沉积在基板上，所述不完全氧化的过渡金属的氧含量低...

【专利技术属性】
技术研发人员：河内山彰，荒谷胜久，
申请(专利权)人：索尼公司，
类型：发明
国别省市：JP[日本]