【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及,特别是涉及具有沟栅极构造的MIS型晶体管(以下称作沟栅极型MISFET)。
技术介绍
在半导体衬底上形成沟后,在该沟内形成栅极的所谓的沟栅极构造应用于IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)或MISFET等半导体器件中,特别在电力等用途上是有利的构造(参照特开2001-85685号公报)。图12是表示以往的具有沟栅极型MISFET的半导体器件的剖视图。在图12所示的沟栅极型MISFET中,在N+型硅衬底111上依次形成由N型外延生长层构成的N-型漏层112和P型体区113。再在P型体区113中,形成贯通P型体区113到达N-型漏层112的沟116。然后,在由2个沟116夹着的P型体区113的上部形成与各沟116挨着的一对N+型源区114,并且在该P型体区113的上部的由该一对N+型源区114夹着的部分中形成P+型扩散区115。不到达N-型漏层112地形成该N+型源区114和P+型扩散区115。然后在沟116内隔着栅绝缘膜117填充由多晶硅构成的栅极118,在栅极118上形成帽状氧化膜119、由PSG(Pho ...
【技术保护点】
一种半导体器件,其特征在于:包括:半导体区;设置在半导体区的下部的第一导电类型的漏区;设置在所述半导体区中的所述漏区上的第二导电类型的体区;设置在所述半导体区中的所述体区上的第一导电类型的第一源区;设 置在所述半导体区中的所述第一源区上,到达所述半导体区的上表面的第一导电类型的第二源区;设置在所述半导体中,到达所述漏区的沟;设置在所述沟内的至少侧面上的栅绝缘膜;设置在所述沟内的栅绝缘膜上的栅极;以及在所述沟 内覆盖所述栅极的绝缘膜。
【技术特征摘要】
JP 2004-1-27 2004-0188211.一种半导体器件,其特征在于包括半导体区;设置在半导体区的下部的第一导电类型的漏区;设置在所述半导体区中的所述漏区上的第二导电类型的体区;设置在所述半导体区中的所述体区上的第一导电类型的第一源区;设置在所述半导体区中的所述第一源区上,到达所述半导体区的上表面的第一导电类型的第二源区;设置在所述半导体中,到达所述漏区的沟;设置在所述沟内的至少侧面上的栅绝缘膜;设置在所述沟内的栅绝缘膜上的栅极;以及在所述沟内覆盖所述栅极的绝缘膜。2.根据权利要求1所述的半导体器件,其特征在于所述漏区具有第一导电类型的高浓度漏区、和设置在所述高浓度漏区上的第一导电类型的低浓度漏区。3.根据权利要求1所述的半导体器件,其特征在于还具有设置在所述第二源区的上方的源极。4.根据权利要求3所述的半导体器件,其特征在于所述源极设置成从所述第二源区的上方到达所述沟内的侧面中所述第二源区露出的部分的上方;所述第二源区中的杂质浓度的峰值位置,处于设置在所述沟内的侧面上的所述源极的高度范围内。5.根据权利要求3所述的半导体器件,其特征在于在所述第二源区和所述源极之间设置硅化物膜。6.根据权利要求1所述的半导体器件,其特征在于所述栅极中的挨着所述栅绝缘膜的部分的上端,设置在比所述第一源区与所述体区的边界更上方。7.根据权利要求1所述的半导体器件,其特征在于所述绝缘膜的上端设置在比所述第二源区的杂质浓度的峰值位置更下方。8.根据权利要求1所述的半导体器件,其特征在于在所述半导体区中,在位于所述第一和所述第二源区各自的侧方的区域中设置与所述体区挨着的第二导电类型的杂质区;所述第一源区和所述第二源区各自的侧面由所述沟和所述杂质区包围。9.一种半导体器件,其特征在于包括半导体区;设置在半导体区的下部的第一导电类型的漏区;设置在所述半导体区中的所述漏区上的第二导电类型的体区;设置在所述半导体区中的所述体区上,到达所数半导体区的上表面的第一导电类型的源区;设置在所述半导体中,到达所述漏区的沟;设置在所述沟内的至少侧面上的栅绝缘膜;设置在所述沟内的栅绝缘膜上的栅极;以及在所述沟内覆盖所述栅极的绝缘膜,所述绝缘膜的上端设置在比所述半导体区的上表面更下方;从所述源区中所述绝缘膜的上端到所述半导体区的上表面的部分的杂质浓度为1×1020atoms/cm3以上。10.根据权利要求9所述的半导体器件,其特征在于所述漏区具有第一导电类型的高浓度漏区、和设置在所述高浓度漏区上的第一导电类型的低浓度漏区。11.根据权利要求9所述的半导体器件,其特征在于还具有设置在所述源区的上方的源极。12.根据权利要求11所述的半导体器件,其特征在于所述源极设置成从所述源区的上方到达所述沟内的侧面中所述源区露出的部分的上方;所述源区中的杂质浓度的峰值位置,处于设置在所述沟内的侧面上的所述源极的高度范围内。13.根据权利要求11所述的半导体器件,其特征在于在所述源区与所述源极之间设置硅化物膜。14.根据权利要求9所述的半导体器件,其特征在于所述栅极中的挨着所述栅绝缘膜的部分的上端,设置在比所述源区和所述体区的边界更上方。15.根据权利要求9所述的半导体器件,其特征在于所述绝缘膜的上端设置在比所述源区的杂质浓度的峰值位置更下方。16.根据权利要求9所述的半导体器件,其特征在于在所述半导体区中,在位于所述源区的侧方的区域中设置与所述体区挨着的第二导电类型的杂质区;所述源区的侧面由所述沟和所述杂质区包围。17.一种半导体器件的制造方法,其特征在于包括准备具有漏区、设置在所述漏区上的第二导电类型的体区的半导体区的步骤a;在所述半导体区中形成到达所述漏区的沟的步骤b;在所述步骤b后,在所述沟内露出的所述半导体区的至少侧面上形成栅绝缘膜的步骤c;在所述步骤c后,在所述沟内的所述栅绝缘膜上形成栅极的步骤d;在所述步骤d后,在所述沟内的所述栅极上形成绝缘膜的步骤e;在所述步骤b后,通过对所述半导体区离子注入第一导电类型的杂质,在所述体区上形成第一导电类型的第一源区的步骤f;以及在所述步骤...
【专利技术属性】
技术研发人员:宫田里江,沟口修二,
申请(专利权)人:松下电器产业株式会社,
类型:发明
国别省市:JP[日本]
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