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在沟栅极型ＭＩＳＦＥＴ中，通过用于形成第一高浓度Ｐ型源区（６）的第一注入，注入杂质，达到深处，通过用于形成第二高浓度Ｐ型源区（８）的第二注入，提高半导体区（１４）的上表面附近的杂质浓度。据此，能可靠地使栅极（５）和第一高浓度Ｐ型源区（６）重...
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