【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种特别用于集成电路中的横向半导体器件。
技术介绍
本专利技术通常涉及使用绝缘衬底制造的高压横向半导体器件，并且通常关注在这样的器件中电场的分布。绝缘衬底由具有给定的介电常数εin的介质材料构成，并且可由蓝宝石、钻石或其它介质材料制成。或者衬底可通过不同材料(具有不同的介电常数)的组合而形成，例如由二氧化硅、氮化物、氮化铝等组合而成。介质材料也可以是空气，如同在先前公开的WO-A-02/25700和US-A-2002-0041003的薄膜技术中所用的，其所公开的内容以引用的方式并入本文。设置在电介质衬底上的且其内形成横向器件的半导体材料通常由硅构成。以下将这种类型的结构称作SOD(电介质上半导体)。如图1示意性地所示，使用SOD技术制造的典型的横向高压二极管1(形成部分的半导体器件，例如横向MOSFET)具有p+区2以及位于由低电导率的中间n漂移区4隔开的相对端的n+区3的基本构造，所有这些区都形成在半导体层5中，半导体层5形成在电介质层6上。P+区2和n+区3具有比n漂移区4更高浓度的掺杂。在二极管截止/断开状态模式下，相对于设置在p+区2上的...
【技术保护点】
一种横向半导体器件，该器件包括在绝缘衬底上的半导体层，半导体层具有第一导电类型的第一区和第二导电类型的第二区，两区之间是漂移区，漂移区由第一导电类型的第三区和第二导电类型的第四区提供，第三和第四（漂移）区被如此排列，使得当反向电压偏置施加在半导体层的第一和第二区上时，第三区在第一区附近相对于第四区局部具有过量的杂质电荷，第四区在第二区附近相对于第三区局部具有过量的杂质电荷，并且在第三区中体电荷总量基本上等于第四区中体电荷总量。
【技术特征摘要】
US 2002-6-26 60/391,4311.一种横向半导体器件，该器件包括在绝缘衬底上的半导体层，半导体层具有第一导电类型的第一区和第二导电类型的第二区，两区之间是漂移区，漂移区由第一导电类型的第三区和第二导电类型的第四区提供，第三和第四(漂移)区被如此排列，使得当反向电压偏置施加在半导体层的第一和第二区上时，第三区在第一区附近相对于第四区局部具有过量的杂质电荷，第四区在第二区附近相对于第三区局部具有过量的杂质电荷，并且在第三区中体电荷总量基本上等于第四区中体电荷总量。2.一种横向半导体器件，该器件包括在绝缘衬底上的半导体层，半导体层具有第一导电类型的第一区和第二导电类型的第二区，两区之间是漂移区，漂移区由第一导电类型的第三区和第二导电类型的第四区提供，第三和第四(漂移)区被如此排列，使得当反向电压偏置施加在半导体层的第一和第二区上时，第三区中的杂质电荷沿着器件从第一区到第二区以正斜率变化，第四区中的电荷沿着器件从第一区到第二区以负斜率变化，因此在第三区体积中的电荷总量基本上等于第四区体积中的电荷总量。3.如权利要求2所述的器件，其中第三区中的杂质电荷沿着器件从第一区到第二区基本上线性地以正斜率变化。4.如权利要求2或3所述的器件，其中第四区中的杂质电荷沿着器件从第一区到第二区基本上线性地以负斜率变化。5.如权利要求1至4中任一权利要求所述的器件，其中只有部分漂移区设置在绝缘衬底上，其余的衬底包括至少一个半导体材料区。6.如权利要求1至5中任一权利要求所述的器件，其中漂移区的最大部分设置在绝缘衬底上，使得漂移区的高压端下面没有半导体层，漂移区的低压端定位在含有至少一个半导体材料区的衬底上。7.如权利要求1至6中任一权利要求所述的器件，其中第三(漂移)区沿着器件从第一区到第二区是连续的。8.如权利要求1至7中任一权利要求所述的器件，其中第四(漂移)区沿着器件从第一区到第二区是连续的。9.如权利要求1至8中任一权利要求所述的器件，其中第三(漂移)区通过第四(漂移)区中的多个半导体岛来提供，或者第三(漂移)区包括第四(漂移)区中的多个半导体岛。10.如权利要求9所述的器件，其中岛是电性浮动的。11.如权利要求1至10中任一权利要求所述的器件，其中第四(漂移)...
【专利技术属性】
技术研发人员：弗罗林尤德莱亚，
申请(专利权)人：剑桥半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：GB[英国]
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