【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种在绝缘基片上形成的电子电路，它有薄的硅半导体层，例如形成薄膜晶体管，此薄的半导体层要与导电的互连线连接。常规的薄膜器件，例如绝缘栅型场效应晶体管(FETS)用薄的硅半导体膜作为有源层。此有源层厚约1500。因此，若在这薄的半导体膜上要形成电极，通过使金属，例如铝与膜直接紧密地接触，就能获得良好的接触，现有的IC制造技术即用这种方法。在这些接触点中，通常通过在铝和半导体部分例如硅之间的化学反应形成硅化物，例如硅化铝。由于半导体层比硅化物层厚得多，所以不会发生问题。然而，近来所进行的研究证明，如果有源层的厚度低于1500，例如在约100-750之间，就会改善薄膜晶体管(TFTS)的性能。要在这样薄的半导体层或有源层上形成电极，用现有技术就不能得到良好的接触点，因为硅化物层的厚度生长得几乎达到半导体层的厚度，会使接触点的电特性急剧变坏。当负荷，例如电压长时间加到接触点上时，接触点就会很快变坏。为了提高TFTS的特性，在半导体层上形成电极之后，就需要在氢气中在低于400℃，典型地是200-350℃的温度下进行热处理。TFTS的半导体层的厚度若...
【技术保护点】
一种显示器件，它包括在基片上的半导体区；与所述半导体区相邻的栅电极，在它们之间插入栅绝缘膜；阻挡层及与所述半导体区电连接的包括铝的层；和包括氧化锌的像素电极，其中所述像素电极与所述阻挡层连接。
【技术特征摘要】
JP 1992-12-9 351916/92;JP 1993-1-18 23289/931.一种显示器件，它包括在基片上的半导体区；与所述半导体区相邻的栅电极，在它们之间插入栅绝缘膜；阻挡层及与所述半导体区电连接的包括铝的层；和包括氧化锌的像素电极，其中所述像素电极与所述阻挡层连接。2.一种显示器件，它包括在基片上的半导体区；与所述半导体区相邻的栅电极，在它们之间插入栅绝缘膜；阻挡层及与所述半导体区电连接的包括铝的层，其中所述包括铝的层形成在所述阻挡层上；和包括氧化锌的像素电极，其中所述像素电极与所述阻挡层连接。3.一种显示器件，它包括在基片上的半导体区；与所述半导体区相邻的栅电极，在它们之间插入栅绝缘膜；阻挡层及与所述半导体区电连接的包括铝的层，其中所述阻挡层与所述半导体区接触；和包括氧化锌的像素电极，其中所述像素电极与所述阻挡层连接。4.一种显示器件，它包括在基片上的半导体区；与所述半导体区相邻的栅电极，在它们之间插入栅绝缘膜；阻挡层及与所述半导体区电连接的包括铝的层，其中所述阻挡层具有小于或等于300μΩcm的电阻率；和包括氧化锌的像素电极，其中所述像素电极与所述阻挡层连接。5.一种显示器件，它包括在基片上的半导体区；与所述半导体区相邻的栅电极，在它们之间插入栅绝缘膜；阻挡层及与所述半导体区电连接的包括铝的层，其中所述包括铝的层形成在所述阻挡层上，且其中所述阻挡层具有小于或等于300μΩcm的电阻率；和包括氧化锌的像素电极，其中所述像素电极与所述阻挡层连接。6.一种显示器件，它包括在基片上的半导体区；与所述半导体区相邻的栅电极，在它们之间插入栅绝缘膜；阻挡层及与所述半导体区电连接的包括铝的层，其中所述阻挡层与所述半导体区接触，且具有小于或等于300μΩcm的电阻率；和包括氧化锌的像素电极，其中所述像素电极与所述阻挡层连接。7.一种显示器件，它包括在基片上的半导体区；与所述半导体区相邻的栅电极，在它们之间插入栅绝缘膜；阻挡层及与所述半导体区电连接的包括铝的层，其中所述包括铝的层形成在所述阻挡层上，且其中所述阻挡层与所述半导体区接触；和包括氧化锌的像素电极，其中所述像素电极与所述阻挡层连接。8.一种显示器件，它包括在基片上的半导体区；与所述半导体区相邻的栅电极，在它们之间插入栅绝缘膜；阻挡层及与所述半导体区电连接的包括铝的层，其中所述包括铝的层形成在所述阻挡层上，且其中所述阻挡层与所述半导体区接触，并具有小于或等于300μΩcm的电阻率；和包括氧化锌的像素电极，其中所述像素电极与所述阻挡层连接。9.一种显示器件，它包括在基片上的半导体区；与所述半导体区相邻的栅电极，在它们之间插入栅绝缘膜；阻挡层及与所述半导体区电连接的包括铝的层；和包括氧化锌的像素电极，其中所述像素电极与所述阻挡层的上表面连接。10.一种显示器件，它包括在基片上的半导体区；与所述半导体区相邻的栅电极，在它们之间插入栅绝缘膜；阻挡层及与所述半导体区电连接的包括铝的层，其中所述阻挡层具有小于或等于300μΩcm的电阻率；和包括氧化锌的像素电极，其中所述像素电极...
【专利技术属性】
技术研发人员：宫崎稔，A村上，崔葆春，山本睦夫，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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