【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种在绝缘基片上形成的电子电路，它有薄的硅半导体层，例如形成薄膜晶体管，此薄的半导体层要与导电的互连线连接。常规的薄膜器件，例如绝缘栅型场效应晶体管(FETS)用薄的硅半导体膜作为有源层。此有源层厚约1500。因此，若在这薄的半导体膜上要形成电极，通过使金属，例如铝与膜直接紧密地接触，就能获得良好的接触，现有的IC制造技术即用这种方法。在这些接触点中，通常通过在铝和半导体部分例如硅之间的化学反应形成硅化物，例如硅化铝。由于半导体层比硅化物层厚得多，所以不会发生问题。然而，近来所进行的研究证明，如果有源层的厚度低于1500，例如在约100-750之间，就会改善薄膜晶体管(TFTS)的性能。要在这样薄的半导体层或有源层上形成电极，用现有技术就不能得到良好的接触点，因为硅化物层的厚度生长得几乎达到半导体层的厚度，会使接触点的电特性急剧变坏。当负荷，例如电压长时间加到接触点上时，接触点就会很快变坏。为了提高TFTS的特性，在半导体层上形成电极之后，就需要在氢气中在低于400℃，典型地是200-350℃的温度下进行热处理。TFTS的半导体层的厚度若...
【技术保护点】
一种半导体器件，它包括： 一象素薄膜晶体管和一驱动所述象素薄膜晶体管的驱动电路，所述象素薄膜晶体管包括： 第一半导体层，它至少具有第一低电阻率的杂质区和在基片上的第一高电阻率杂质区； 第一栅极，它靠近所述第一半导体层，且在它们之间插入一栅绝缘膜， 其中，所述第一高电阻率杂质区未覆盖所述第一栅极，和 所述驱动电路包括至少一个薄膜晶体管，所述至少一个薄膜晶体管包括： 第二半导体层，它至少具有第二低电阻率杂质区和在基片上的第二高电阻率杂质区； 第二栅极，它靠近所述第二半导体层，且在它们之间插入一栅绝缘膜， 其中，所述第二高电阻率杂质...
【技术特征摘要】
JP 1992-12-9 351916/92;JP 1993-1-18 23289/931.一种半导体器件，它包括一象素薄膜晶体管和一驱动所述象素薄膜晶体管的驱动电路，所述象素薄膜晶体管包括第一半导体层，它至少具有第一低电阻率的杂质区和在基片上的第一高电阻率杂质区；第一栅极，它靠近所述第一半导体层，且在它们之间插入一栅绝缘膜，其中，所述第一高电阻率杂质区未覆盖所述第一栅极，和所述驱动电路包括至少一个薄膜晶体管，所述至少一个薄膜晶体管包括第二半导体层，它至少具有第二低电阻率杂质区和在基片上的第二高电阻率杂质区；第二栅极，它靠近所述第二半导体层，且在它们之间插入一栅绝缘膜，其中，所述第二高电阻率杂质区具有一个与所述第二栅极叠置的区域。2.按照权利要求1所说的半导体器件，其特征在于，所说第一低电阻率杂质区电连接到一个由铟锡氧化物组成的象素电极。3.按照权利要求1所说的半导体器件，其特征在于，所说第一和所说第二半导体层都具有1500或更小的厚度。4.按照权利要求1所说的半导体器件，其特征在于，所说第一和所说第二高电阻率杂质区都具有10至100kΩ/cm2的薄膜电阻。5.按照权利要求1所说的半导体器件，其特征在于，所说第一和第二栅极由选自以下的组别中的至少一种组成，该组别包括铝、硅、钛、钽、钨和钼。6.按照权利要求1所说的半导体器件，其特征在于，所说半导体器件是一种液晶显示器。7.一种半导体器件，它包括一象素薄膜晶体管和一驱动所述象素薄膜晶体管的驱动电路，所述象素薄膜晶体管包括第一半导体层，它至少具有第一低电阻率的杂质区和在基片上的第一高电阻率杂质区；第一栅极，它靠近所述第一半导体层，且在它们之间插入一栅绝缘膜，其中，所述第一高电阻率杂质区未与所述第一栅极叠置，和所述驱动电路包括至少一个薄膜晶体管，所述至少一个薄膜晶体管包括第二半导体层，它至少具有第二低电阻率的杂质区和在基片上的第二高电阻率杂质区；第二栅极，它靠近所述第二半导体层，且在它们之间插入一栅绝缘膜，其中，所述第二高电阻率杂质区具有一个与所说第二栅极叠置的区域和一个未与所说第二栅极叠置的区域。8.按照权利要求7所说的半导体器件，其特征在于，所说第一低电阻率杂质区电连接到一个由铟锡氧化物组成的象素电极。9.按照权利要求7所说的半导体器件，其特征在于，所说第一和所说第二半导体层都具有1500或更小的厚度。10.按照权利要求7所说的半导体器件，其特征在于，所说第一和所说第二高电阻率杂质区都具有10至100kΩ/cm2的薄膜电阻。11.按照权利要求7所说的半导体器件，其特征在于，所说第一和第二栅极由选自以下的组别中的至少一种组成，该组别包括铝、硅、钛、钽、钨和钼。12.按照权利要求7所说的半导体器件，其特征在于，所说半导体器件是一种液晶显示器。13.一种半导体器件，它包括一象素薄膜晶体管和一驱动所述象素薄膜晶体管的驱动电路，所述象素薄膜晶体管包括一半导体层，它包括第一杂质区和第二杂质区，而第二杂质区靠近在基片上的第一杂质区；一栅极，它靠近所述半导体层，且在它们之间插入一栅绝缘膜，其中，所述第一杂质区和所说第二杂质区未与所述栅极叠置，和所述驱动电路包括至少一个薄膜晶体管，所述至少一个薄膜晶体管包括一半导体层，它包括第三杂质区和第四杂质区，而第四杂质区靠近在基片上的第三杂质区；一栅极，它靠近所述半导体层，且在它们之间插入一栅绝缘膜，其中，所述第三杂质区具有一个与所说栅极叠置的区域。14.按照权利要求13所说的半导体器件，其特征在于，所说半导体层具有1500或更小的厚度。15.按照权利要求13所说的半导体器件，其特征在于，所说第一和所说第三杂质区具有10至100kΩ/cm2的薄膜电阻。16.按照权利要求13所说的半导体器件，其特征在于，所说栅极由选自以下的组别中的至少一种组成，该组别包括铝、硅、钛、钽、钨和钼。17.按照权利要求13所说的半导体器件，其特征在于，所说半导体器件是一种液晶显示器。18.一种半导体器件，它包括一象素薄膜晶体管和一驱动所述象素薄膜晶体管的驱动电路，所述象素薄膜晶体管包括一半导体层，它包括第一杂质区和第二杂质区，而第二杂质区靠近在基片上的第一杂质区，所说第一杂质区比所说第二杂质区有更高的薄膜电阻；和一栅极，它靠近所述半导体层，且在它们之间插入一栅绝缘膜，其中，所述第一杂质区未与所述栅极叠置，和所述驱动电路包括至少一个薄膜晶体管，所述至少一个薄膜晶体管包括一半导体层，它包括第三杂质区和第四杂质区，而第四杂质区靠近在基片上的第三杂质区，所说第三杂质区比所说第四杂质区有更高的薄膜电阻；一栅极，它靠近所述半导体层，且在它们之间插入一栅绝缘膜，其中，所述第三杂质区具有一个与所说栅极叠置的区域。19.按照权利要求18所说的半导体器件，其特征在于，所说半导体层具有1500或更小的厚度。20.按照权利要求18所说的半导体器件，其特征在于，所说第一和所说第三杂质区...
【专利技术属性】
技术研发人员：宫崎稔，A村上，崔葆春，山本睦夫，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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