硅氧烷基粘合片材、将半导体芯片粘接到芯片连接元件上的方法,和半导体器件技术

硅氧烷基粘合片材在一侧上具有粘土状可固化硅氧烷组合物层和在另一侧上具有固化速度慢于第一组合物层的粘土状可固化硅氧烷组合物层，或者在一侧上具有固化的硅氧烷层和在另一侧上具有粘土状可固化硅氧烷组合物层。该硅氧烷基粘合片材可在粘接半导体芯片和芯片连接元件的方法中使用。通过该方法可制备半导体器件。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及硅氧烷基粘合片材，将半导体芯片粘接到芯片连接元件上的方法，和半导体器件。更特别地，本专利技术涉及硅氧烷基粘合片材，利用它可以以满意的方式粘接光滑的基体和在表面上具有不规则度的基体，和其中可使粘接层的厚度变得几乎均匀。本专利技术进一步涉及将半导体芯片粘接到芯片连接元件上的方法，其中半导体芯片和芯片连接元件可满意地粘接在一起，即使这两个中的至少一个在表面上具有不规则度。本专利技术进一步涉及具有优异可靠度的半导体器件，其中半导体芯片和芯片连接元件可满意地粘接在一起，即使这两个中的至少一个在表面上具有不规则度。
技术介绍
在日本专利申请特开No.11-12546(相应于美国专利No.6235862)中提出了硅氧烷基粘合片材可用于粘接半导体芯片和芯片连接元件，其中所述硅氧烷基粘合片材是通过固化夹在两个保护膜之间的可氢化硅烷化固化的硅氧烷组合物而获得的。然而，这种片材的问题在于，当在半导体芯片和/或芯片连接元件的表面上出现10微米或更大的不规则度(间隙)时，填充间隙的能力下降和这二者不可能被充分地粘接。在日本专利申请特开No.10-17828(相应于美国专利No.5942565本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种硅氧烷基粘合片材，它包括在所述片材的一侧上的粘土状可固化硅氧烷组合物的第一层，和在所述片材的另一侧上的固化速度慢于所述第一层的粘土状硅氧烷组合物的第二层。

【技术特征摘要】
JP 2002-7-15 205869/20021.一种硅氧烷基粘合片材，它包括在所述片材的一侧上的粘土状可固化硅氧烷组合物的第一层，和在所述片材的另一侧上的固化速度慢于所述第一层的粘土状硅氧烷组合物的第二层。2.权利要求1的硅氧烷基粘合片材，其中任何一种所述的粘土状可固化硅氧烷组合物的根据JIS K 6249规定的可塑值为100-800。3.权利要求1的硅氧烷基粘合片材，其中任何一种所述的粘土状可固化硅氧烷组合物是可氢化硅烷化固化的硅氧烷组合物。4.权利要求3的硅氧烷基粘合片材，其中任何一种所述的可氢化硅烷化固化的硅氧烷组合物是包含(A)每一分子具有至少两个链烯基的有机聚硅氧烷、(B)填料、(C)每一分子具有至少两个与硅键合的氢原子的有机聚硅氧烷、(D)粘合促进剂和(E)氢化硅烷化催化剂的可固化硅氧烷组合物。5.权利要求1的硅氧烷基粘合片材，进一步包括在硅氧烷基粘合片材的至少一侧上的保护膜。6.一种硅氧烷基粘合片材，它包括在所述片材的一侧上的固化硅氧烷层，和在所述片材的另一侧上的粘土状可固化硅氧烷组合物层。7.权利要求6的硅氧烷基粘合片材，其中所述粘土状可固化硅氧烷组合物的根据JIS K 6249规定的可塑值为100-800。8.权利要求6的硅氧烷基粘合片材，其中所述粘土状可固化硅氧烷组合物是可氢化硅烷化固化的硅氧烷组合物。9.权利要求8的硅氧烷基粘合片材，其中所述可氢化硅烷化固化的硅氧烷组合物包含(A)每一分子具有至少两个链烯基的有机聚硅氧烷、(B)填料、(C)每一分子具有至少两个与硅键合的氢原子的有机聚硅氧烷、(D)粘合促进剂和(E)氢化硅烷化催化剂。10.权利要求6的硅氧烷基粘合片材，进一步包括在硅氧烷基粘合片材的至少一侧上的保护膜。11.一种将半导体芯片粘接到芯片连接元件上的方法，该方法包括步骤(1)通过将层压体切割成小片，生产半导体芯片，其中所述层压体包括粘接到晶片上的固化硅氧烷层、牢固地粘接到所述固化硅氧烷层上的粘土状可固化硅氧烷组合物层、牢固地粘接到所述粘土状可固化硅氧烷组合物层上的保护膜和用粘合剂连接到膜上的片材；(2)从所述芯片上剥离所述保护膜和所述片材；(3)通过用所述粘土状可固化硅氧烷组合物层压制所述半导体芯片到所述芯片连接元件上，而将所述半导体芯片粘接到所述芯片连接元件上；和(4)固化所述粘土状可固化硅氧烷组合物层。12.权利要求11的方法，其中通过施加粘土状可固化硅氧烷组合物(I)的第一层到晶片上，施加具有低于第一层固化速度的粘土状可固化硅氧烷组合物(II)的第二层，和固化第一层，以便防止组合物(II)的层固化，从而形成固化的硅氧烷层和牢固地粘接到该固化硅氧烷层上的粘土状可固化硅氧烷组合物层。13.权利要求12的方法，其中任何一种所述的粘土状可固化硅氧烷组合物的根据JIS K 6249规定的可塑值为100-800。14.权利要求12的方法，其中粘土状可固化硅氧烷组合物(I)或粘土状可固化硅氧烷组合物(II)是可氢化硅烷化固化的硅氧烷组合物。15.权利要求14的方法，其中任何一种所述的可氢化硅烷化固化的硅氧烷组合物是包含至少(A)每一分子具有至少两个链烯基的有机聚硅氧烷、(B)填料、(C)每一分子具有至少两个与硅键合的氢原子的有机聚硅氧烷、(D)粘合促进剂和(E)氢化硅烷化催化剂的可固化硅氧烷组合物。16.一种制造半导体器件的方法，所述半导体器件包括半导...

【专利技术属性】
技术研发人员：须藤学，潮嘉人，藤泽丰彦，峰胜利，
申请(专利权)人：陶氏康宁东丽硅氧烷株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]