【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及具有立体型电容结构的。
技术介绍
作为铁电存储器，采用平面型及堆栈型结构的1～64kbit的小容量的铁电存储器，已经开始批量生产。最近，正在开发例如在阶差部形成铁电体膜，使用具有平坦部及侧壁部的铁电体膜的立体堆栈型结构的铁电存储器。具有立体堆栈型结构的铁电存储器，采用在下部电极的正下方配置与半导体基板电连接的触头(contact plug)的结构，从而可以缩小单元尺寸，提高集成度。再加上，具有立体堆栈型结构的铁电存储器，通过在阶差部形成电容绝缘膜，从而可以增大电容绝缘膜的表面积，确保容量。在该铁电存储器之前，已有多种DRAM的单元结构的方案问世(例如参照专利文献1～4)。在这里，特别地，对作为电容绝缘膜使用了BST膜等的高介电常数膜的堆栈型电容器的结构，和作为电容绝缘膜使用了铁电体膜的FeRAM的堆栈型电容器的结构，进行比较。下面，参照图37(a)～(d)及图38(a)～(c)，讲述现有技术的第1示例涉及的电介质存储器的制造方法。此外，图37(a)～(d)及图38(a)～(c)是表示第1示例涉及的电介质存储器的制造方法的主要工序的剖面图。首先，如...
【技术保护点】
一种电介质存储器的制造方法，其特征在于，包括：在基板上形成第１下部电极的工序；在所述第１下部电极上，形成第１绝缘膜的工序；在所述第１绝缘膜中，形成到达所述第１下部电极的上面的孔的工序；至少在所述孔的壁部及底部形成导电膜的工序；进行蚀刻，除去所述孔的底部存在的所述导电膜，从而形成由残存在所述孔的壁部的所述导电膜构成的第２下部电极的工序；在所述第１下部电极及所述第２下部电极之上，不埋入所述孔内地形成电容绝缘膜的工序；以及在所述电容绝缘膜上，形成上部电极的工序。
【技术特征摘要】
JP 2004-8-20 2004-240486;JP 2004-10-29 2004-3157661.一种电介质存储器的制造方法，其特征在于，包括在基板上形成第1下部电极的工序；在所述第1下部电极上，形成第1绝缘膜的工序；在所述第1绝缘膜中，形成到达所述第1下部电极的上面的孔的工序；至少在所述孔的壁部及底部形成导电膜的工序；进行蚀刻，除去所述孔的底部存在的所述导电膜，从而形成由残存在所述孔的壁部的所述导电膜构成的第2下部电极的工序；在所述第1下部电极及所述第2下部电极之上，不埋入所述孔内地形成电容绝缘膜的工序；以及在所述电容绝缘膜上，形成上部电极的工序。2.如权利要求1所述的电介质存储器的制造方法，其特征在于在形成所述第1绝缘膜的工序之后且在形成所述孔的工序之前，还具有在所述第1绝缘膜上，形成用作蚀刻阻挡层的第2绝缘膜的工序；所述形成孔的工序，是在所述第1绝缘膜及所述第2绝缘膜中，形成到达所述第1下部电极的上面的孔的工序。3.如权利要求1所述的电介质存储器的制造方法，其特征在于在形成所述第2下部电极的工序之后且在形成所述电容绝缘膜的工序之前，还具有除去在比所述第2下部电极的上端更靠上的位置存在的所述第1绝缘膜的工序。4.如权利要求1所述的电介质存储器的制造方法，其特征在于在形成所述第2下部电极的工序之后且在形成所述电容绝缘膜的工序之前，还具有在氧气体中将所述第2下部电极退火的工序。5.如权利要求1所述的电介质存储器的制造方法，其特征在于形成所述电容绝缘膜的工序，使用MOCVD法。6.如权利要求1所述的电介质存储器的制造方法，其特征在于形成所述导电膜的工序，使用溅射法。7.如权利要求1所述的电介质存储器的制造方法，其特征在于所述第1下部电极和所述第2下部电极，由同一种导电材料构成。8.如权利要求1所述的电介质存储器的制造方法，其特征在于所述第1下部电极和所述第2下部电极，由不同的导电材料构成。9.一种电介质存储器的制造方法，其特征在于，包括在基板上形成第1下部电极的工序；在所述第1下部电极上，形成第1绝缘膜的工序；在所述第1绝缘膜中，形成到达所述第1下部电极的上面的孔的工序；进行蚀刻，除去在所述孔的底部露出的所述第1下部电极，从而在所述第1下部电极上形成凹部，同时，还在孔的壁部形成由在形成所述凹部之际被除去的构成所述第1下部电极的材料所构成的第2下部电极的工序；在所述凹部的壁部及底部和所述第2下部电极之上，不埋入所述孔内地形成电容绝缘膜的工序；以及在所述电容绝缘膜上，形成上部电极的工序。10.如权利要求9所述的电介质存储器的制造方法，其特征在于在形成所述孔的工序之后且在形成所述凹部及所述第2下部电极的工序之前，还具有在所述孔的壁部及底部形成导电膜的工序；形成所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：三河巧，大国充弘，吉田弘，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[]
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