【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种具有在绝缘基板上形成的半导体积层膜的发光元件、以及包含这种半导体发光元件的半导体发光装置、及其制造方法,特别是,对于采用在蓝宝石基板上形成的氮化镓系化合物半导体的发光元件(LED)以及包含这种发光元件的发光装置(LED灯),本专利技术特别适用。
技术介绍
近年来,随着液晶显示器等利用光的器件的需求扩大,各种发光元件已经实用化。在这样的发光元件中,氮化镓系化合物半导体(InXAlYGal-X-YN,0≤X,0≤Y,X+Y≤1)目前作为高亮度兰色以及绿色发光二极管(LED)已经产品化,同时今后作为构成兰色激光二极管、紫外线传感器或者太阳电池等的材料也很引人注目。图4A、图4B以及图4C分别为表示已经产品化的现有的GaN·LED元件的俯视图、B-B线剖视图以及C-C线剖视图。在图中所示的半导体层的厚度与实际的厚度并不对应。图5为表示已经产品化的现有的LED灯的剖视图。该GaN·LED元件40,在蓝宝石基板30上面依次积层有GaN缓冲层31、n型GaN层32、InGaN活性层33、p型AlGaN层34以及p型GaN层35,形成双重异构的结构。n型GaN层32的上面形成为由下段部和上段部组成的阶梯状,在下段部的n型GaN层32的上面形成有由Ti和Au组成的n电极36。在上段部的n型GaN层32的上面依次积层有上述的InGaN活性层33、p型AlGaN层34以及p型GaN层35。在p型GaN层35的上面形成有由Ni和Au组成的电流扩散用的透明电极37,并进一步在其上形成p电极38。该GaN·LED元件40由于采用绝缘的蓝宝石基板构成,两电极均在蓝 ...
【技术保护点】
一种发光装置,其特征是包含有: 发光元件由其绝缘基板和在该绝缘基板上形成的半导体膜构成,并且在所述半导体膜的上面附近形成有p型半导体区域和n型半导体区域,发光元件根据在p型半导体区域-n型半导体区域间施加的电压而发光; 静电保护元件,其具有与所述发光元件的所述p型半导体区域和所述n型半导体区域分别进行电连接的二个极部,当所述发光元件的所述p型半导体区域-所述n型半导体区域相互之间接受到超过了小于或者等于破坏电压的规定电压的电压时,静电保护元件让电流在所述二个极部之间流通。
【技术特征摘要】
JP 1997-1-31 1997-018782;JP 1997-2-4 1997-021124;J1.一种发光装置,其特征是包含有发光元件由其绝缘基板和在该绝缘基板上形成的半导体膜构成,并且在所述半导体膜的上面附近形成有p型半导体区域和n型半导体区域,发光元件根据在p型半导体区域-n型半导体区域间施加的电压而发光;静电保护元件,其具有与所述发光元件的所述p型半导体区域和所述n型半导体区域分别进行电连接的二个极部,当所述发光元件的所述p型半导体区域—所述n型半导体区域相互之间接受到超过了小于或者等于破坏电压的规定电压的电压时,静电保护元件让电流在所述二个极部之间流通。2.根据权利要求1所述的发光装置,其特征是所述静电保护元件,构成为从所述第一极部向所述第二极部流通电流的方向成为比其反方向容易流通电流的正方向,所述发光元件的p型半导体区域和所述静电保护元件的所述第二极之间进行电连接,所述发光元件的n型半导体区域和所述静电保护元件的所述第一电极之间进行电连接。3.根据权利要求2所述的发光装置,其特征是所述静电保护元件为二极管。4.根据权利要求3所述的发光装置,其特征是所述二极管的正向工作电压比所述发光元件的反向破坏电压要小,所述二极管的反向击穿电压比所述发光元件的正向破坏电压要小。5.根据权利要求2所述的发光装置,其特征是所述静电保护元件是所述第一极部作为漏极、所述第二极部作为源极的场效应管,所述场效应管的阈值电压大于等于所述发光元件的工作电压,小于等于在所述发光元件的正向破坏电压和反向破坏电压。6.根据权利要求1所述的发光装置,其特征是所述发光元件和所述静电保护元件处于相互重叠状态。7.根据权利要求6所述的发光装置,其特征是所述静电保护元件是从所述第一极部向所述第二极部流通电流的方向为正方向的二极管,并且在一方的面上具有分别连接到所述的第一、第二极部的第一、第二电极;所述发光元件在所述的面上具有与所述p型半导体区域连接的p电极和与所述n型半导体区域连接的n电极;所述发光元件的p电极和所述静电保护元件的第二电极之间,以及所述发光元件的n电极和所述静电保护元件的第一电极之间,任一个都通过微型凸柱进行电连接。8.根据权利要求7所述的发光装置,其特征是所述发光元件由粘接剂机械连接到所述静电保护元件上;所述静电保护元件的所述第一和第二电极中的至少一方分割成通过所述微型凸柱和所述发光元件的p电极或者n电极连接的区域、和用引线与外部部件连接的连接焊盘区域。9.根据权利要求7所述的发光装置,其特征是所述发光元件和所述静电保护元件由粘接剂进行机械连接;所述静电保护元件的所述第一和第二电极,作为一个整体由在某一方向上...
【专利技术属性】
技术研发人员:井上登美男,真田研一,小屋贤一,福田康彦,
申请(专利权)人:松下电器产业株式会社,
类型:发明
国别省市:JP[日本]
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