金属硅化层的制造方法技术

一种金属硅化层的制造方法，此方法是于一衬底上形成至少一栅极。然后于此栅极表面形成硬掩模层，并暴露出衬底表面。之后，于暴露出的衬底表面上形成第一金属硅化层，其中，此第一金属硅化层为硅化钴与硅化钛其中之一。接着，去除硬掩模层，以及于栅极表面形成第二金属硅化层，其中，第二金属硅化层是选自包括硅化镍、硅化铂、硅化钯、镍合金的群族其中之一。由于本发明专利技术是于衬底表面和栅极表面分别形成不同材料的硅化金属层，因此可同时改善小线宽电阻高的问题，以及解决现有技术中硅化镍容易在源极区域与漏极区域造成的尖峰现象和管涌作用。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体工艺方法及结构，尤其涉及一种，以于不同结晶结构的衬底上形成不同材料的金属硅化层。
技术介绍
在超大规模集成电路趋势中，半导体元件的尺寸不断地缩小，集成度不断地提升。通过缩小电子元件的尺寸，可以完成半导体集成电路具有最大的整合能力。然而，随着电子元件尺寸的缩小化，在集成电路的制造过程中出现许多挑战。尤其是当元件外观不断缩小，降低电性连接结构电阻的需求较以往更加重要，因为电阻升高将导致元件的操作速度因电容(RC)延迟而变慢。为解决上述问题，传统上是使用自对准硅化工艺(self-aligned silicidedprocess)。具有高熔点、稳定性及低电阻率等优点，金属硅化物(metal silicide)于集成电路工艺上的应用，已愈来愈普遍。而在深亚微米的集成电路工艺中，在线宽、接触面积及接面深度等都逐渐缩小的情况下，为了能有效地提高元件的工作品质，降低电阻并减少电阻及RC所造成的信号传递延迟，因此倾向于采用多晶金属硅化物(polycide)栅极结构来取代先前的多晶硅栅极，另于接面处形成金属硅化物以有效地降低接面处的接触电阻(contactresistance本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种金属硅化层的制造方法，包括：　　　　提供一衬底，该衬底上形成有至少一栅极；　　　　于该栅极表面形成一硬掩模层，并暴露出该衬底表面；　　　　于暴露出的该衬底表面上形成一第一金属硅化层，该第一金属硅化层为硅化钴与硅化钛其中之一；　　　　去除该硬掩模层；以及　　　　于该栅极表面形成一第二金属硅化层，该第二金属硅化层是选自包括硅化镍、硅化铂、硅化钯及镍合金的群族其中之一。

【技术特征摘要】
1.一种金属硅化层的制造方法，包括提供一衬底，该衬底上形成有至少一栅极；于该栅极表面形成一硬掩模层，并暴露出该衬底表面；于暴露出的该衬底表面上形成一第一金属硅化层，该第一金属硅化层为硅化钴与硅化钛其中之一；去除该硬掩模层；以及于该栅极表面形成一第二金属硅化层，该第二金属硅化层是选自包括硅化镍、硅化铂、硅化钯及镍合金的群族其中之一。2.根据权利要求1所述的金属硅化层的制造方法，其中形成该第二金属硅化层的步骤包括于该衬底表面上淀积一第二金属层，该第二金属层的材料是选自包括镍、铂、钯的群族其中之一；进行一低温快速热过程；以及去除未反应的该第二金属层。3.根据权利要求2所述的金属硅化层的制造方法，其中该低温快速热过程的工艺温度低于摄氏500度。4.根据权利要求1所述的金属硅化层的制造方法，其中形成该第一金属硅化层的步骤包括于该衬底上淀积一第一金属层，该第一金属层为钴或钛；进行一第一快速热过程；去除未反应的该第一金属层；以及进行一第二快速热过程。5.根据权利要求1所述的金属硅化层的制造方法，其中该第一快速热过程与该第二快速热过程的工艺温度在摄氏700～900度之间。6.根据权利要求1所述的金属硅化层的制造方法，其中该硬掩模层包括氮氧化硅层。7.一种金属硅化层的制造方法，适用于具...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈意维，洪宗佑，江怡颖，谢朝景，张毓蓝，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]