场效应晶体管及使用该晶体管的显示器件制造技术

本发明专利技术提供了一种场效应晶体管，该场效应晶体管包括：包含有机物质的半导体层（１５），以及至少电路上互不接触的第一电极（１６）、第二电极（１２）和第三电极（１４）。第一电极（１６）配置在半导体层（１５）的上面，第二电极（１２）配置在半导体层（１５）的下面，第三电极（１４）则配置在半导体层（１５）的侧面。半导体层（１５）与选自第一电极（１６）、第二电极（１２）和第三电极（１４）的两个电极电连接，而电绝缘层（１３、１７）插入在电极（１２、１４、１６）之间。第一电极（１６）位于半导体层（１５）的上方以便延伸超出半导体层（１５）的外围。通过这样构造，有可能提供一种场效应晶体管以及使用这种场效应晶体管的显示器件，该场效应晶体管具有高度的耐氧和耐水性能，因此即使其中使用有机半导体，仍具有长的寿命。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种使用包含有机物质半导体层的场效应晶体管，和使用该晶体管的显示器件。
技术介绍
近年来，有机半导体作为可替代无机半导体的半导体得到了积极开发。有机半导体材料的代表性实例包括并五苯和聚噻吩。尤其是，已有报道称，当并五苯作为场效应晶体管中的半导体时，场效应晶体管所达到的晶体管特性之一的载流子迁移率可超过1cm2/Vs。在使用无定型硅的情况下，达到的迁移率为约1cm2/Vs。因此，有机半导体可望替代无定型硅。然而，事实上这一替代工作几乎没有进展。阻碍替代进展的一个主要因素是有机半导体的寿命。许多有机半导体易受水和氧气的影响。因此，半导体有可能被环境气体中存在的氧掺杂，从而使OFF电流增大、ON/OFF比下降，并导致半导体特性降低。因此，有必要要求有机半导体材料对氧气和水稳定，从而在生产过程中和使用环境下避免或减少氧化引起的掺杂。然而，开发这类有机半导体材料需要大量的成本和时间。在传统报道的有机晶体管中，有机半导体上采用氧化膜或绝缘树脂来防止氧气等进入。虽然氧化膜能高度阻止氧气和水，但一直存在的问题是，在半导体上形成氧化膜时要求有较高的成膜温度，而这可能会损坏半导体，从而本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种场效应晶体管，其包括：包含有机物质的半导体层；第一电极；第二电极；和第三电极，其中所述第一电极配置在所述半导体层的上方，所述第二电极配置在所述半导体层的下方，所述第三电极则配置在所 述半导体层的侧方，所述半导体层与选自第一电极、第二电极和第三电极的两个电极电连接，并且所述第一电极位于半导体层的上方，以便延伸超出所述半导体层的外围。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 2004-1-15 008336/20041.一种场效应晶体管，其包括包含有机物质的半导体层；第一电极；第二电极；和第三电极，其中所述第一电极配置在所述半导体层的上方，所述第二电极配置在所述半导体层的下方，所述第三电极则配置在所述半导体层的侧方，所述半导体层与选自第一电极、第二电极和第三电极的两个电极电连接，并且所述第一电极位于半导体层的上方，以便延伸超出所述半导体层的外围。2.权利要求1的场效应晶体管，其进一步包括在所述第一电极和所述第三电极之间插入的绝缘层，其中，L为第一电极延伸超出半导体层外围的长度，d为绝缘层的厚度，且满足L≥10d。3.权利要求2的场效应晶体管，其中L和d满足L≥50d。4.权利要求1的场效应晶体管，其中表示所述半导体层侧面部...

【专利技术属性】
技术研发人员：原田健史，竹内孝之，七井识成，小森一德，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]