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金属硅化层的制造方法技术
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文档序号:3195024
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一种金属硅化层的制造方法,此方法是于一衬底上形成至少一栅极。然后于此栅极表面形成硬掩模层,并暴露出衬底表面。之后,于暴露出的衬底表面上形成第一金属硅化层,其中,此第一金属硅化层为硅化钴与硅化钛其中之一。接着,去除硬掩模层,以及于栅极表面形成...
该专利属于联华电子股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过联华电子股份有限公司授权不得商用。
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