薄膜晶体管、其制造方法、显示设备及其制造方法技术

公开了一种薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括在基板上的栅电极，在所述基板上的栅极绝缘层，沟道图案，源电极和漏电极。所述沟道图案包括：形成在所述栅电极上并覆盖所述栅电极的半导体图案；以及形成在所述半导体图案上并彼此隔开的第一和第二导电粘合图案。所述源电极包括顺序形成在所述第一导电粘合图案上的第一阻挡图案、源极图案和第一覆盖图案。所述漏电极包括顺序形成在所述第二导电粘合图案上的第二阻挡图案、漏极图案和第二覆盖图案。所述第一和第二导电粘合图案的蚀刻部分具有基本竖直的轮廓从而防止了源电极和漏电极的暴露，由此改善了薄膜晶体管的特性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种薄膜晶体管、该薄膜晶体管的制造方法、具有该薄膜晶体管的显示设备以及该显示设备的制造方法。更具体而言，本专利技术涉及一种用于显示设备的阵列基板的薄膜晶体管、该薄膜晶体管的制造方法、具有该薄膜晶体管的显示设备以及该显示设备的制造方法。
技术介绍
通常，液晶显示设备包括阵列基板和滤色器基板。阵列基板包括用作开关器件的薄膜晶体管以及电连接到薄膜晶体管以接收像素电压的像素电极。滤色器基板包括公共电极。薄膜晶体管包括形成有栅电极的栅极线、用于栅极线的栅极绝缘层、栅极绝缘层上的沟道图案以及形成有源电极和漏电极的数据线。近来，诸如栅极线、数据线等的信号线已由于液晶显示设备的尺寸增大而变得更长了。由于信号线的变长，施加到信号线上的信号发生延迟或失真。为了防止信号的延迟和失真，信号线包括低电阻金属，比如铝(Al)、铝合金等。然而，当加热时，在低电阻金属(例如铝)上形成了不利的不规则物。更具体而言，当铝被加热到约180度的高温时，由于铝的铝原子之间的压缩应力而在铝的表面上形成了凹凸部分。在数据线包括铝的情况下，铝与导电粘合层(该导电粘合层可以是数据线之下的N+掺杂非晶硅层)接触，由此本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管，包括：　　　　在基板上的栅电极；　　　　在所述基板上以绝缘所述栅电极的栅极绝缘层；　　　　沟道图案，所述沟道图案包括：　　　　在所述栅电极上的半导体图案，使该半导体图案覆盖所述栅电极；　　　　在所述半导体图案上的第一导电粘合图案；以及　　　　形成在所述半导体图案上并与所述第一导电粘合图案隔开的第二导电粘合图案；　　　　源电极，所述源电极具有顺序形成在所述第一导电粘合图案上的第一阻挡图案、源极图案和第一覆盖图案；以及　　　　漏电极，所述漏电极具有顺序形成在所述第二导电粘合图案上的第二阻挡图案、漏极图案和第二覆盖图案。

【技术特征摘要】
KR 2004-12-8 103221/041.一种薄膜晶体管，包括在基板上的栅电极；在所述基板上以绝缘所述栅电极的栅极绝缘层；沟道图案，所述沟道图案包括在所述栅电极上的半导体图案，使该半导体图案覆盖所述栅电极；在所述半导体图案上的第一导电粘合图案；以及形成在所述半导体图案上并与所述第一导电粘合图案隔开的第二导电粘合图案；源电极，所述源电极具有顺序形成在所述第一导电粘合图案上的第一阻挡图案、源极图案和第一覆盖图案；以及漏电极，所述漏电极具有顺序形成在所述第二导电粘合图案上的第二阻挡图案、漏极图案和第二覆盖图案。2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中所述第一和第二阻挡图案包括从钛、钽、钨和铬所构成的组中选取的金属。3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中所述源极图案和漏极图案包括从铝和铝合金所构成的组中选取的金属。4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中所述第一和第二覆盖图案包括从钼和钼合金所构成的组中选取的金属。5.根据权利要求4所述的薄膜晶体管，其中所述钼合金包括钼-铌。6.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中所述第一覆盖图案、所述第二覆盖图案、所述源极图案和所述漏极图案包括倾斜的截面轮廓。7.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中所述第一阻挡图案的端部以及面对所述第一阻挡图案的所述端部的所述第二阻挡图案的端部包括基本竖直的轮廓，并且所述第一导电粘合图案的端部以及面对所述第一导电粘合图案的所述端部的所述第二导电粘合图案的端部包括基本竖直的轮廓。8.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中所述半导体图案包括对应于所述栅电极的凹槽。9.根据权利要求8所述的薄膜晶体管，其中所述第一和第二导电粘合图案分别设置在所述凹槽的两侧。10.一种薄膜晶体管的制造方法，该方法包括在基板上形成栅电极；在所述基板上形成栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上形成半导体层和导电粘合层，使得所述半导体层和所述导电粘合层覆盖所述栅电极；在所述基板之上沉积阻挡层、导电薄层和覆盖层；部分地蚀刻所述覆盖层和所述导电薄层，从而在所述栅电极上形成第一覆盖图案、与所述第一覆盖图案隔开的第二覆盖图案、源极图案、以及与所述源极图案隔开的漏极图案；以及部分地蚀刻所述阻挡层和所述导电粘合层，从而在所述栅电极上形成第一阻挡图案、与所述第一阻挡图案隔开的第二阻挡图案、第一导电粘合图案、以及与所述第一导电粘合图案隔开的第二导电粘合图案。11.根据权利要求10所述的方法，其中所述第一和第二阻挡图案包括从钛、钽、钨和铬所构成的组中选取的金属。12.根据权利要求10所述的方法，其中所述源极图案和漏极图案包括从铝和铝合金所构成的组中选取的金属。13.根据权利要求10所述的方法，其中所述第一和第二覆盖图案包括从钼和钼合金所构成的组中选取的金属。14.根据权利要求13所述的方法，其中所述钼合金包括钼-铌。15.根据权利要求10所述的方法，其中形成所述第一和第二阻挡图案以及所述第一和第二导电粘合图案还包括在对应于所述栅电极的半导体图案处形成凹槽。...

【专利技术属性】
技术研发人员：金湘甲，金时烈，朴弘植，崔熙焕，秦洪基，吴旼锡，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]