温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

公开了一种薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括在基板上的栅电极，在所述基板上的栅极绝缘层，沟道图案，源电极和漏电极。所述沟道图案包括：形成在所述栅电极上并覆盖所述栅电极的半导体图案；以及形成在所述半导体图案上并彼此隔开的第一和第二导电粘合图案。所述...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。