【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种浅沟槽隔离(Shallow Trench Isolation,STI)的方法,特别涉及一种减小STI中边沟(divot)深度的方法。
技术介绍
随着半导体器件特征尺寸的不断缩小,器件之间的隔离区域随之也要进行相应的缩小。传统使用的硅的区域氧化(Localized Oxidation of Silicon;LOCOS)技术由于采用了场氧化工艺,所以氧化膜的深度以及由于氧化而在场区边缘的有源区域上产生的鸟嘴效应限制了这一技术的进一步应用。浅沟槽隔离(Shallow Trench Isolation,STI)技术则是深亚微米工艺的标准隔离技术。目前0.18μm技术成为大规模产品的主流生产技术。STI是以氮化硅为保护层,通过光刻与蚀刻在硅单晶基板中刻出沟槽,再填入等离子体增强化学气相淀积(PECVD)高密度氧化硅(HDP)作为介电物质,以实现集成电路中器件之间电学隔离的隔离方案。但是现有的STI会在有源区和场区过渡的场区角落上形成向下凹陷的形状,称作边沟(divot)。边沟深度会影响在其附近的半导体(MOS)器件特性,由于边沟的形成而导致在这个部分填入的多晶硅在有源区的侧面形成反型层而导致寄生的电流通路,进而影响到器件的电学特性。而且,在后续多晶硅蚀刻(poly etch)和氮化硅边墙蚀刻(spaceretch)工艺中,由于凹陷的边沟(divot)存在,会在其中造成多晶硅和氮化硅的残余(Residue),这些效应会对器件和电路的电特性产生严重的影响。
技术实现思路
本专利技术提供一种,其通过减小STI中边沟深度,避免边沟导致寄生的电流通路、影响栅 ...
【技术保护点】
一种减小浅沟槽隔离中边沟深度的方法,其特征在于:在常规的浅沟槽隔离方法中,去除氮化硅层后,在垫氧化层和绝缘层表面形成一层氧化物层,刻蚀所述氧化物层,形成侧墙。
【技术特征摘要】
1.一种减小浅沟槽隔离中边沟深度的方法,其特征在于在常规的浅沟槽隔离方法中,去除氮化硅层后,在垫氧化层和绝缘层表面形成一层氧化物层,刻蚀所述氧化物层,形成侧墙。2.根据权利要求1所述的减小浅沟槽隔离中边沟深度的方法,其特征在于,包括如下步骤(1)提供一基底,在所述基底表面形成一层遮蔽层,所述遮蔽层包括与所述基底直接相邻的所述垫氧化层及一层覆盖于所述垫氧化层上的所述氮化硅层;(2)在所述遮蔽层上定义图案,曝露出所述基底欲形成浅沟槽隔离区的部分;(3)以光刻胶为掩膜,刻蚀所述遮蔽层及基底形成沟槽;(4)在所述沟槽内形成一绝缘层;(5)进行一平坦化制程;(6)去除所述氮化硅层;(7)在所述垫氧化层和所述绝缘层表面形成所述氧化物层;(8)刻蚀所述氧化物层,形成所述侧墙;和(9)去除所述垫氧化层形成浅沟槽隔离区。3.根据权利要求1...
【专利技术属性】
技术研发人员:王全,
申请(专利权)人:上海集成电路研发中心有限公司,上海华虹集团有限公司,
类型:发明
国别省市:31[中国|上海]
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