气体密封用盖子及其制造方法、电子部件收容用封装件技术

可以得到抑制电子部件（２０）的特性劣化，降低材料成本，并且可以使用不含Ｐｂ的钎焊料，而且，能够抑制气密性降低的气体密封用盖子（１）。此一气体密封用盖子具有低热膨胀层（２）、在低热膨胀层的表面上形成的、含有扩散促进料的以Ｎｉ为主要成分的Ｎｉ－Ｃｏ合金层（３）、在Ｎｉ－Ｃｏ合金层的表面上形成的Ｎｉ层（４）、以及在Ｎｉ层的表面上的电子部件收容体（１０）被接合的区域上形成的以Ｓｎ为主要成分的钎焊料层（５）。Ｎｉ层具有在大约２３５℃（第一温度）下抑制Ｎｉ－Ｃｏ合金层扩散到钎焊料层、并且钎焊料层在大约３００℃～３２０℃（第二温度）下与电子部件收容体进行接合之际Ｎｉ－Ｃｏ合金层经由Ｎｉ层扩散到钎焊料层的功能。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及气体密封用盖子，气体密封用盖子的制造方法和电子部件收容用封装件，特别是，涉及为了收容电子部件而用的气体密封用盖子、气体密封用盖子的制造方法和电子部件收容用封装件。
技术介绍
目前用于便携式电话的杂音去除的SAW滤波器(表面弹性波滤波器)或水晶振子等电子部件的气体密封中用的SMD(表面安装器件Surface Mount Device)封装件(表面安装型器件封装体)等电子部件收容用封装件是公知的。而且，这种电子部件收容用封装件由搭载电子部件的电子部件收容体(壳体)、和气体密封电子部件收容体的气体密封用盖子来构成。此一气体密封用盖子通过被加热经由钎焊料接合于电子部件收容体。然后，电子部件用封装件通过再次被加热而安装于电子设备的印制配线基板。现有技术中，用以Au-Sn类合金(Sn约20质量％)等贵金属为主要成分的高熔点钎焊料或由Sn-Pb类合金组成的高熔点钎焊料，以便在电子部件收容用封装件安装于电子设备等的印制配线基板之际，气体密封用盖子的密封部分不熔融。但是，由Au-Sn类合金组成的高熔点钎焊料非常高价，并且因为由Sn-Pb类合金组成的高熔点钎焊料含有Pb，故从环境方面来说优选不使用。因此，目前，提出了即使在气体密封用盖子的密封部分用低熔点钎焊料的场合，在电子部件收容用封装件安装于电子设备等的印制配线基板之际，气体密封用盖子的密封部分也不熔融的电子部件收容用封装件。这种电子部件收容用封装件，例如，在国际公开WO02/078085号公报中公开了。在上述国际公开WO02/078085号公报中，公开了用在芯部(基件)的上面上配置Ni基金属层，并且在下面上按此一顺序重合在气体密封时扩散于焊剂层的Ni合金层和焊剂层(钎焊料层)后，通过压接接合这四层材料而一体地形成的盖体(气体密封用盖子)的电子部件收容用封装件。在这种电子部件收容用封装件中，由于在气体密封时Ni合金层扩散于焊剂层，所以在焊剂层中形成金属间化合物。借此，由于可以提高钎焊料层的熔点，所以在电子部件收容用封装件安装于电子设备等的印制配线基板之际，可以抑制盖体的密封部分的熔融。但是，在上述国际公开WO02/078085号公报中所公开的结构中，由于通过压接接合包括焊剂层的四层材料而一体地形成盖体，所以焊剂层配置成覆盖配置于电子部件收容用封装件的内部的电子部件的上面。因此，在用盖体气体密封之际，存在着有时因焊剂层飞散到电子部件上而电子部件的特性劣化这样的问题。为了消除这样的问题，可以考虑在上述国际公开WO02/078085号公报的结构中，在基件的下面上形成Ni合金层，仅在Ni合金层的下面上的密封部分形成钎焊料层。在像这样部分地形成钎焊料层的场合，把钎焊料糊剂配置于Ni合金层的下面上的密封部分后，通过熔融钎焊料糊剂，来形成Ni合金层扩散的钎焊料层是一般的。但是，在上述国际公开WO02/078085号公报的结构中，如果把钎焊料糊剂配置于Ni合金层的下面上的密封部分后通过熔融钎焊料糊剂来形成钎焊料层，在熔融钎焊料糊剂而形成钎焊料层之际，产生在钎焊料层中形成金属间化合物并且钎焊料层的熔点提高这样的问题。因此，在钎焊料层形成后，在熔融钎焊料层而把气体密封用盖子接合于电子部件收容体之际，存在着钎焊料层不容易熔融这样的问题。结果，由于钎焊料层对电子部件收容体的润湿性降低，所以存在着有时电子部件收容用封装件的气密性降低这样的问题。
技术实现思路
本专利技术是为了解决上述这种课题而作成的，本专利技术的一个目的在于提供一种可以抑制电子部件的特性劣化，降低材料成本，并且使用不含有Pb的钎焊料，而且，能够抑制气密性降低的气体密封用盖子，气体密封用盖子的制造方法，电子部件收容用封装件和电子部件收容用封装件的制造方法。为了实现上述目的，根据本专利技术的第一侧面的气体密封用盖子，是可以用于用来收容电子部件的包括电子部件收容体的电子部件收容用封装件的气体密封用盖子，其中具有基件；在基件的表面上形成，含有扩散促进料的以Ni为主要成分的第一层；在第一层的表面上所形成的第二层；以及在第二层的表面上的电子部件收容体(电子部件收容部件)被接合的区域上所形成的以Sn为主要成分的钎焊料层，第二层，具有抑制第一层在第一温度下扩散到钎焊料层，并且在高于第一温度的第二温度下钎焊料层与电子部件收容体进行接合之际，使第一层经由第二层扩散到钎焊料层的功能。在根据本专利技术的第一侧面的气体密封用盖子中，如上所述，由于通过使第二层抑制第一层在第一温度下扩散到钎焊料层地发挥功能，在第一温度下，可以抑制在钎焊料层上形成金属间化合物，所以可以抑制钎焊料层的熔点的提高。借此，由于在通过把气体密封用盖子加热到高于第一温度的第二温度而经由钎焊料层接合于电子部件收容体之际，可以抑制钎焊料层对电子部件收容体的润湿性的降低，所以可以抑制电子部件收容用封装件的气密性的降低。此外，由于在第二层的表面上的电子部件收容体被接合的区域上，形成以Sn为主要成分的钎焊料层，可以抑制钎焊料层覆盖配置于电子部件收容用封装件的内部的电子部件的上面，所以在把气体密封用盖子接合于电子部件收容体之际，可以抑制钎焊料层飞散到电子部件。借此，可以抑制电子部件的特性劣化。此外通过使第二层如下地发挥功能在钎焊料层在高于第一温度的第二温度下与电子部件收容体进行接合之际，使第一层经由第二层而扩散到钎焊料层，可以在钎焊料层上形成金属间化合物，所以可以提高钎焊料层的熔点。借此，在把电子部件收容用封装件安装于电子设备的印制配线基板之际，可以抑制随着电子部件收容用封装件成为高温并且钎焊料层也成为高温而导致的钎焊料层的熔融。在此一场合，由于没有必要用由高价的Au-Sn类合金或Sn-Pb类合金组成的高熔点钎焊料，所以可以降低材料成本，并且可以使用不含Pb的钎焊料。在根据上述第一侧面的气体密封用盖子中，优选是，第一温度是通过使钎焊料糊剂熔融而形成钎焊料层之际的温度，第二温度是通过使钎焊料层熔融而把气体密封用盖子接合于电子部件收容体之际的温度。如果像这样构成，则在通过熔融钎焊料糊剂而形成钎焊料层之际的第一温度下，通过第二层的功能，可以抑制在钎焊料层上形成金属间化合物，所以可以容易地抑制在钎焊料层的形成时钎焊料层的熔点提高。借此，由于在把气体密封用盖子接合于电子部件收容体之际，钎焊料层容易熔融，所以可以容易地把气体密封用盖子接合于电子部件收容体。在根据上述第一侧面的气体密封用盖子中，优选是，第二层由Ni来形成。如果像这样构成，则靠由Ni组成的第二层，可以容易地抑制第一层扩散到钎焊料层。在上述第二层由Ni来形成的气体密封用盖子中，优选是，第二层具有0.03μm以上0.075μm以下的厚度。如果像这样构成，按照具有如下功能的方式抑制第一层在第一温度下扩散到钎焊料层，并且在钎焊料层在高于第一温度的第二温度下与电子部件收容体进行接合之际，使第一层经由第二层扩散到钎焊料层，而可以容易地形成由Ni组成的第二层。在根据上述第一侧面的气体密封用盖子中，优选是，第一层，作为扩散促进料含有7.5质量％～20质量％的Co。如果像这样构成，则由于在钎焊料层在高于第一温度的第二温度下与电子部件收容体进行接合之际，可以使第一层经由第二层充分地扩散到钎焊料层，所以可以在钎焊料层上形成足够量的金属间化合物。在上述根据第一本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种气体密封用盖子，是用于包括用来收容电子部件（２０）的电子部件收容体（１０）的电子部件收容用封装件的气体密封用盖子（１），其特征在于，具有：基件（２）；在所述基件的表面上形成，含有扩散促进材料的以Ｎｉ为主要成分第一层（３） ；在所述第一层的表面上所形成的第二层（４）；以及在所述第二层的表面上的所述电子部件收容体被接合的区域上所形成的以Ｓｎ为主要成分的钎焊料层（５），所述第二层，具有如下的功能：抑制所述第一层在第一温度下扩散到所述钎焊料层 ，并且在高于所述第一温度的第二温度下所述钎焊料层与所述电子部件收容体进行接合之际，使所述第一层经由所述第二层扩散到所述钎焊料层。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 2004-11-5 321631/20041.一种气体密封用盖子，是用于包括用来收容电子部件(20)的电子部件收容体(10)的电子部件收容用封装件的气体密封用盖子(1)，其特征在于，具有基件(2)；在所述基件的表面上形成，含有扩散促进材料的以Ni为主要成分第一层(3)；在所述第一层的表面上所形成的第二层(4)；以及在所述第二层的表面上的所述电子部件收容体被接合的区域上所形成的以Sn为主要成分的钎焊料层(5)，所述第二层，具有如下的功能抑制所述第一层在第一温度下扩散到所述钎焊料层，并且在高于所述第一温度的第二温度下所述钎焊料层与所述电子部件收容体进行接合之际，使所述第一层经由所述第二层扩散到所述钎焊料层。2.如权利要求1中所述的气体密封用盖子，其特征在于，所述第一温度是通过使钎焊料糊剂(6)熔融而形成所述钎焊料层之际的温度，所述第二温度是通过使所述钎焊料层熔融而把所述气体密封用盖子接合于所述电子部件收容体之际的温度。3.如权利要求1或如权利要求2中所述的气体密封用盖子，其特征在于，所述第二层由Ni来形成。4.如权利要求3中所述的气体密封用盖子，其特征在于，所述第二层具有0.03μm以上0.075μm以下的厚度。5.如权利要求1～4中的任何一项中所述的气体密封用盖子，其特征在于，所述第一层作为所述扩散促进材料含有7.5质量％～20质量％的Co。6.如权利要求1～5中的任何一项中所述的气体密封用盖子，其特征在于，所述基件由Fe-Ni-Co类合金来形成。7.如权利要求1～6中的任何一项中所述的气体密封用盖子，其特征在于，所述第一层和所述第二层通过镀敷来形成。8.如权利要求7中所述的气体密封用盖子，其特征在于，所述第一层在所述基件的表面的整个面上形成，并且所述第二层在所述第一层的表面的整个面上形成。9.如权利要求1～8中的任何一项中所述的气体密封用盖子，其特征在于，所述钎焊料层不含有Pb，并且含有Ag。10.一种电子部件收容用封装件，是包括用来收容电子部件(20)的电子部件收容体(10)的电子部件收容用封装件，其特征在于，具有气体密封用盖子(1)，该气体密封用盖子(1)包括基件(2)；在所述基件的表面上形成，含有扩散促进材料的以Ni为主要成分的第一层(3)；在所述第一层的表面上形成的第二层(4)；以及在所述第二层的表面上的所述电子部件收容体被接合的区域上所形成的以Sn为主要成分的钎焊料层(5)，所述第二层，具有如下的功能抑制所述第一层在第一温度下扩散到所述钎焊料层，并且在高于所述第一温度的第二温度下所述钎焊料层与所述电子部件收容体进行接合之际，使所述第一层经由所述第二层扩散到所述钎焊料层，在对应于所述钎焊料层的所述电子部件收容体的部分上，形成第三层(14)，所述钎焊料层与所述第三层接合，...

【专利技术属性】
技术研发人员：山本雅春，高野健二，平纯司，
申请(专利权)人：株式会社新王材料，
类型：发明
国别省市：JP[日本]